公开(公告)号：US20060066615A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：US11203725

申请日：2005-08-15

申请人： Hong Shen

发明人： Hong Shen

IPC分类号： G06T17/00

CPC分类号： G06T7/0012 ,  G06T2207/30061

摘要： A computer-implemented method for visualizing a tumor in a volume data includes providing a plurality of tumors, detected and segmented from the volume data, storing locations of a plurality of voxels corresponding to each of the plurality of tumors, and determining a mesh of surface voxels for each of the plurality of tumors from the stored locations. The method further includes rendering the meshes for each of the plurality of tumors in a volume rendering window, selecting a tumor of interest from the plurality of tumors rendered in the volume rendering window, and determining a correspondence of the selected tumor to a slice of the volume data, wherein the slice of the volume data is displayed in a main window.

摘要翻译： 用于在体数据中可视化肿瘤的计算机实现的方法包括提供从体数据检测和分割的多个肿瘤，存储对应于多个肿瘤中的每一个的多个体素的位置，以及确定表面的网格 来自存储位置的多个肿瘤中的每一个的体素。 该方法还包括在体绘制窗口中渲染多个肿瘤中的每一个的网格，从体绘制窗口中呈现的多个肿瘤中选择感兴趣的肿瘤，以及确定所选择的肿瘤与切片的对应关系 卷数据，其中卷数据的切片显示在主窗口中。

公开(公告)号：US20060062425A1

公开(公告)日：2006-03-23

申请号：US11203792

申请日：2005-08-15

申请人： Hong Shen ,  Shuping Qing

发明人： Hong Shen ,  Shuping Qing

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G06T15/08 ,  G06T7/11 ,  G06T2200/08 ,  G06T2207/10081 ,  G06T2207/20128 ,  G06T2207/20156 ,  G06T2207/20161 ,  G06T2207/30008

摘要： A computer-implemented method for building an atlas includes providing a volume data for a plurality of bones, segmenting, individually, the plurality of bones from the volume data, storing locations of a plurality of voxels for each of the plurality of bones, wherein each of the plurality of bones is registered with a dedicated list of locations, wherein the locations are locations in a coordinate system of the volume data, selecting one or more of the plurality of bones, forming a selected structure, and rendering the selected structure in the coordinate system of the volume data according to the dedicated list of locations of each of the plurality of bones in the selected structure, wherein a rendering is displayed by a display.

摘要翻译： 用于构建图集的计算机实现的方法包括提供用于多个骨骼的体数据，从体数据单独分割多个骨骼，存储多个骨骼中的每一个的多个体素的位置，其中每个 将多个骨骼的专用列表登记在专用的位置列表中，其中，位置是体数据的坐标系中的位置，选择多个骨骼中的一个或多个，形成所选择的结构，并将所选择的结构呈现在 根据所选择的结构中的多个骨骼中的每一个的位置的专用列表来体积数据的坐标系，其中通过显示显示呈现。

公开(公告)号：US20050111714A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10974313

申请日：2004-10-27

申请人： Hong Shen ,  Benjamin Odry ,  Shuping Qing

发明人： Hong Shen ,  Benjamin Odry ,  Shuping Qing

IPC分类号： G06K9/00 ,  G06T7/00

CPC分类号： G06T7/0012 ,  A61B6/5294 ,  G06T2207/30061 ,  Y10S378/901

摘要： A method of identifying a patient from digital medical images includes providing a first digital image volume of an organ of a patient and a second digital image volume of the same organ, segmenting each slice of the first image volume and calculating a cross-sectional area of the organ in each slice to form a first area profile, segmenting each slice of the second image volume and calculating a cross-sectional area of the organ in each slice to form a second area profile, and comparing the first area profile with the second area profile to determine a correlation value for the two profiles. Based on the correlation value between the first area profile and the second area profile, it is determined whether the first digital image volume of the organ and the second digital image volume of the same organ came from the same patient.

摘要翻译： 从数字医学图像识别患者的方法包括提供患者的器官的第一数字图像体积和同一器官的第二数字图像体积，分割第一图像体积的每个切片，并计算第一图像体积的横截面积 每个切片中的器官以形成第一区域轮廓，分割第二图像体积的每个切片并计算每个切片中的器官的横截面面积以形成第二区域轮廓，并且将第一区域轮廓与第二区域 配置文件以确定两个配置文件的相关值。 基于第一区域轮廓和第二区域轮廓之间的相关值，确定器官的第一数字图像体积和同一器官的第二数字图像体积是否来自同一患者。

公开(公告)号：US06861418B2

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：US10736243

申请日：2003-12-16

申请人： Jingrong Cui ,  Ruofei Zhang ,  Hong Shen ,  Ji Yu Chu ,  Fang-Jie Zhang ,  Marcel Koenig ,  Steven Huy Do ,  Xiaoyuan Li ,  Chung Chen Wei ,  Peng Cho Tang

发明人： Jingrong Cui ,  Ruofei Zhang ,  Hong Shen ,  Ji Yu Chu ,  Fang-Jie Zhang ,  Marcel Koenig ,  Steven Huy Do ,  Xiaoyuan Li ,  Chung Chen Wei ,  Peng Cho Tang

IPC分类号： A61K31/136 ,  A61K31/337 ,  A61K31/404 ,  A61K31/416 ,  A61K31/4192 ,  A61K31/4439 ,  A61K31/454 ,  A61K31/496 ,  A61K31/513 ,  A61K31/5377 ,  A61K31/541 ,  A61K31/55 ,  A61K45/00 ,  A61P3/10 ,  A61P9/00 ,  A61P9/10 ,  A61P11/16 ,  A61P13/08 ,  A61P13/12 ,  A61P17/06 ,  A61P19/02 ,  A61P29/00 ,  A61P31/10 ,  A61P35/00 ,  A61P37/02 ,  A61P43/00 ,  C07D209/34 ,  C07D209/42 ,  C07D401/14 ,  C07D403/06 ,  C07D403/14 ,  C07D413/14 ,  C07D417/14 ,  C07D487/04 ,  A61K31/33 ,  A61K31/4738 ,  C07D209/04 ,  C07D311/94

CPC分类号： C07D403/14 ,  C07D209/34 ,  C07D401/14 ,  C07D403/06 ,  C07D417/14 ,  C07D487/04

摘要： The present invention relates to 4-arylindolinones, as well as pharmaceutical compositions thereof, capable of modulating protein kinase signal transduction in order to regulate, modulate and/or inhibit abnormal cell proliferation. The present invention also relates to methods for treating protein kinase related disorders.

摘要翻译： 本发明涉及能够调节蛋白激酶信号转导以调节，调节和/或抑制异常细胞增殖的4-芳基吲哚啉酮及其药物组合物。 本发明还涉及治疗蛋白激酶相关病症的方法。

公开(公告)号：US08785632B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13537759

申请日：2012-06-29

申请人： Jingrong Jean Cui ,  Lee Andrew Funk ,  Lei Jia ,  Pei-Pei Kung ,  Jerry Jialun Meng ,  Mitchell David Nambu ,  Mason Alan Pairish ,  Hong Shen ,  Michelle Tran-Dube

发明人： Jingrong Jean Cui ,  Lee Andrew Funk ,  Lei Jia ,  Pei-Pei Kung ,  Jerry Jialun Meng ,  Mitchell David Nambu ,  Mason Alan Pairish ,  Hong Shen ,  Michelle Tran-Dube

IPC分类号： C07D401/10 ,  C07D401/04 ,  C07D401/14 ,  C07D213/73 ,  A61P35/00

CPC分类号： C07D403/04 ,  A61K31/4418 ,  A61K31/4439 ,  A61K31/4545 ,  A61K31/496 ,  A61K31/4965 ,  A61K31/497 ,  A61K45/06 ,  C07D213/73 ,  C07D213/76 ,  C07D241/20 ,  C07D401/04 ,  C07D401/12 ,  C07D401/14 ,  C07D403/14

摘要： Enantiomerically pure compound of formula 1 are provided, as well as methods for their synthesis and use. Preferred compounds are potent inhibitors of the c-Met protein kinase, and are useful in the treatment of abnormal cell growth disorders, such as cancers.

摘要翻译： 提供了对映异构体纯的式1化合物，以及它们合成和使用的方法。 优选的化合物是c-Met蛋白激酶的有效抑制剂，并且可用于治疗异常细胞生长障碍如癌症。

公开(公告)号：US20130299985A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13466792

申请日：2012-05-08

申请人： Hong Shen

发明人： Hong Shen

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： Systems, apparatuses, and methods related to the design, fabrication, and manufacture of gallium arsenide (GaAs) integrated circuits are disclosed. Copper can be used as the contact material for a GaAs integrated circuit. Metallization of the wafer and through-wafer vias can be achieved through copper plating processes disclosed herein. Various protocols can be employed during processing to avoid cross-contamination between copper-plated and non-copper-plated wafers. GaAs integrated circuits can be singulated, packaged, and incorporated into various electronic devices.

摘要翻译： 公开了与砷化镓（GaAs）集成电路的设计，制造和制造相关的系统，装置和方法。 铜可以用作GaAs集成电路的接触材料。 通过本文公开的铜电镀工艺可以实现晶片和晶片通孔的金属化。 在处理过程中可采用各种方案，以避免镀铜和非镀铜晶圆之间的交叉污染。 GaAs集成电路可以单片化，封装并结合到各种电子设备中。

公开(公告)号：US20130249095A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13429725

申请日：2012-03-26

申请人： Hong Shen

发明人： Hong Shen

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/92247

摘要： Systems, apparatuses, and methods related to the design, fabrication, and manufacture of gallium arsenide (GaAs) integrated circuits are disclosed. Copper can be used as the contact material for a GaAs integrated circuit. Metallization of the wafer and through-wafer vias can be achieved through copper plating processes disclosed herein. Direct die solder (DDS) attach can be achieved by use of electroless nickel plating of the copper contact layer followed by a palladium flash. GaAs integrated circuits can be singulated, packaged, and incorporated into various electronic devices.

摘要翻译： 公开了与砷化镓（GaAs）集成电路的设计，制造和制造相关的系统，装置和方法。 铜可以用作GaAs集成电路的接触材料。 通过本文公开的铜电镀工艺可以实现晶片和晶片通孔的金属化。 可以通过使用铜接触层的无电镀镍，然后使用钯闪光来实现直接焊料（DDS）附着。 GaAs集成电路可以单片化，封装并结合到各种电子设备中。

公开(公告)号：US08415805B2

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：US12971465

申请日：2010-12-17

申请人： Hong Shen

发明人： Hong Shen

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

摘要： Etched wafers and methods of forming the same are disclosed. In one embodiment, a method of etching a wafer is provided. The method includes forming a metal hard mask on the wafer using electroless plating, patterning the metal hard mask, and etching a plurality of features on the wafer using an etcher. The plurality of featured are defined by the metal hard mask.

摘要翻译： 公开了蚀刻的晶片及其形成方法。 在一个实施例中，提供了蚀刻晶片的方法。 该方法包括使用化学镀在晶片上形成金属硬掩模，图案化金属硬掩模，以及使用蚀刻器蚀刻晶片上的多个特征。 多个特征由金属硬掩模定义。

公开(公告)号：US20120178750A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13423618

申请日：2012-03-19

申请人： Subharekha Raghavan ,  Steven L. Colletti ,  Fa-Xiang Ding ,  Hong Shen ,  James R. Tata ,  Ashley Rouse Lins ,  Abigail Lee Smenton ,  Weichun Chen ,  Darby Rye Schmidt ,  George Scott Tria

发明人： Subharekha Raghavan ,  Steven L. Colletti ,  Fa-Xiang Ding ,  Hong Shen ,  James R. Tata ,  Ashley Rouse Lins ,  Abigail Lee Smenton ,  Weichun Chen ,  Darby Rye Schmidt ,  George Scott Tria

IPC分类号： A61K31/4439 ,  A61K31/423 ,  A61K31/429 ,  A61K31/41 ,  A61K31/426 ,  A61K31/427 ,  A61K31/403 ,  A61K31/4375 ,  A61K31/437 ,  A61K31/538 ,  A61K31/4196 ,  A61P9/10 ,  A61P3/06 ,  A61P3/10 ,  A61P3/00 ,  A61K31/196

CPC分类号： C07D261/20 ,  C07C233/52 ,  C07C233/55 ,  C07C235/36 ,  C07C237/20 ,  C07C2601/10 ,  C07C2601/16 ,  C07D231/12 ,  C07D249/06 ,  C07D249/08 ,  C07D257/04 ,  C07D271/06 ,  C07D277/30 ,  C07D307/79 ,  C07D309/14 ,  C07D309/28 ,  C07D401/04 ,  C07D413/04 ,  C07D417/04 ,  C07D513/04

摘要： The present invention encompasses compounds of Formula I: as well as pharmaceutically acceptable salts and hydrates thereof, that are useful for treating atherosclerosis, dyslipidemias and the like. Pharmaceutical compositions and methods of use are also included.

摘要翻译： 本发明包括可用于治疗动脉粥样硬化，血脂异常等的式I化合物及其药学上可接受的盐和水合物。 还包括药物组合物和使用方法。

公开(公告)号：US20120153477A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US12972119

申请日：2010-12-17

申请人： Hong Shen

发明人： Hong Shen

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/5286 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/32 ,  C23C18/38 ,  C23C18/42 ,  C23C18/50 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods for plating metal over features of a semiconductor wafer and devices that can be formed by these methods are disclosed. One such method includes forming a barrier layer over the substrate using electroless plating and forming a copper layer over the barrier layer. In some implementations, the semiconductor wafer is a GaAs wafer. Alternatively or additionally, the feature over which metal is plated can be a through-wafer via. In some implementations, a seed layer over the barrier layer can be formed using electroless plating.

摘要翻译： 公开了通过这些方法形成的可以形成半导体晶片的特征的金属镀覆方法和装置。 一种这样的方法包括使用化学镀在衬底上形成阻挡层，并在阻挡层上形成铜层。 在一些实施方案中，半导体晶片是GaAs晶片。 或者或另外，金属镀覆的特征可以是贯通晶片通孔。 在一些实施方案中，阻挡层上的种子层可以使用无电镀形成。