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    Configurable Memory Array
    41.
    发明申请
    Configurable Memory Array 有权
    可配置内存阵列

    公开(公告)号：US20120218805A1

    公开(公告)日：2012-08-30

    申请号：US13034763

    申请日：2011-02-25

    申请人： Jung Pill Kim ,  Hari M. Rao ,  Xiaochun Zhu ,  Xia Li ,  Seung H. Kang

    发明人： Jung Pill Kim ,  Hari M. Rao ,  Xiaochun Zhu ,  Xia Li ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C5/06 ,  H05K13/00 ,  G11C29/08 ,  G11C11/00 ,  G11C7/00

    CPC分类号： G11C11/1677 ,  G11C8/08 ,  G11C8/14 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C29/18 ,  G11C29/30 ,  G11C2029/1202 ,  G11C2029/2602 ,  H01L43/12

    摘要： Embodiments disclosed include a memory array having a plurality of bit lines and a plurality of source lines disposed in columns. A plurality of word lines is disposed in rows. A plurality of storage elements have a first subset of storage elements electrically decoupled from the memory array and a second subset of storage elements coupled to the memory array. The memory array further includes a plurality of bit cells, each including one storage element from the second subset of storage elements coupled to at least two transistors. The bit cells are coupled to the plurality of bit lines and the plurality source lines. Each transistor is coupled to one word line. The memory array can further include logic to select a high performance mode and a high density mode.

    摘要翻译： 所公开的实施例包括具有多个位线和多个排列成列的源极线的存储器阵列。 多行字线被排列成行。 多个存储元件具有与存储器阵列电分离的存储元件的第一子集和耦合到存储器阵列的存储元件的第二子集。 存储器阵列还包括多个位单元，每个位单元包括来自耦合到至少两个晶体管的存储元件的第二子集的一个存储元件。 位单元耦合到多个位线和多个源极线。 每个晶体管耦合到一个字线。 存储器阵列还可以包括选择高性能模式和高密度模式的逻辑。

    Magnetic Tunnel Junction Device and Fabrication
    47.
    发明申请
    Magnetic Tunnel Junction Device and Fabrication 有权
    磁隧道结设备及制造

    公开(公告)号：US20110049656A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：US12557611

    申请日：2009-09-11

    申请人： Xia Li ,  Seung H. Kang

    发明人： Xia Li ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/8246 ,  G06F19/00

    CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

    摘要： A magnetic tunnel junction (MTJ) device and fabrication method is disclosed. In a particular embodiment, a method of forming a magnetic tunnel junction (MTJ) device includes forming a top electrode layer over an MTJ structure. The top electrode layer includes a first nitrified metal.

    摘要翻译： 公开了一种磁性隧道结（MTJ）器件及其制造方法。 在特定实施例中，形成磁性隧道结（MTJ）器件的方法包括在MTJ结构上形成顶部电极层。 顶部电极层包括第一硝化金属。

    Reducing Source Loading Effect in Spin Torque Transfer Magnetoresisitive Random Access Memory (STT-MRAM)
    49.
    发明申请
    Reducing Source Loading Effect in Spin Torque Transfer Magnetoresisitive Random Access Memory (STT-MRAM) 有权
    自旋转移磁电随机存取存储器（STT-MRAM）中减少源负载效应

    公开(公告)号：US20100220516A1

    公开(公告)日：2010-09-02

    申请号：US12396295

    申请日：2009-03-02

    申请人： Kangho Lee ,  Seung H. Kang ,  Xiaochun Zhu

    发明人： Kangho Lee ,  Seung H. Kang ,  Xiaochun Zhu

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/14 ,  H01L29/82

    CPC分类号： H01L43/08 ,  G06F17/5068 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

    摘要： Systems and methods to reduce source loading effects in STT-MRAM are disclosed. In a particular embodiment, a method includes determining a switching current ratio of a magnetic tunnel junction (MTJ) structure that enables stable operation of a memory cell. The memory cell includes the MTJ structure serially coupled to an access transistor. The method also includes modifying an offset magnetic field that is incident to a free layer of the MTJ structure. The modified offset magnetic field causes the MTJ structure to exhibit the switching current ratio.

    摘要翻译： 公开了减少STT-MRAM中的源负载效应的系统和方法。 在特定实施例中，一种方法包括确定使得能够稳定地操作存储器单元的磁性隧道结（MTJ）结构的开关电流比。 存储单元包括串行耦合到存取晶体管的MTJ结构。 该方法还包括修改入射到MTJ结构的自由层的偏移磁场。 改进的偏移磁场使MTJ结构呈现开关电流比。

    BIT LINE VOLTAGE CONTROL IN SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY
    50.
    发明申请
    BIT LINE VOLTAGE CONTROL IN SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY 有权
    旋转转矩磁极线随机存取存储器中的位线电压控制

    公开(公告)号：US20100195376A1

    公开(公告)日：2010-08-05

    申请号：US12362500

    申请日：2009-01-30

    申请人： Sei Seung Yoon ,  Seung H. Kang

    发明人： Sei Seung Yoon ,  Seung H. Kang

    IPC分类号： G11C11/02 ,  G11C7/00

    CPC分类号： G11C11/1673 ,  G11C11/1659

    摘要： A Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) and associated read operations are disclosed. A bit cell includes a magnetic tunnel junction (MTJ) and a word line transistor, the bit cell being coupled to a bit line and a source line. A clamping circuit is coupled to the bit line and is configured to clamp the bit line voltage to a desired voltage level during a read operation of the STT-MRAM to prevent the bit line voltage from exceeding the desired voltage level. The desired voltage level is less than a write voltage threshold associated with a write operation of the STT-MRAM.

    摘要翻译： 公开了一种自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）和相关读取操作。 位单元包括磁性隧道结（MTJ）和字线晶体管，位单元耦合到位线和源极线。 钳位电路耦合到位线，并且被配置为在STT-MRAM的读取操作期间将位线电压钳位到期望的电压电平，以防止位线电压超过期望的电压电平。 期望的电压电平小于与STT-MRAM的写入操作相关联的写入电压阈值。