公开(公告)号：US20050101113A1

公开(公告)日：2005-05-12

申请号：US10704497

申请日：2003-11-06

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Robert Turkot

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/4958 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dielectric layer on a substrate, and forming a first metal layer on a first part of the dielectric layer, leaving a second part of the dielectric layer exposed. After a second metal layer is formed on both the first metal layer and the second part of the dielectric layer, a masking layer is formed on the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成电介质层，并且在介电层的第一部分上形成第一金属层，留下介电层的第二部分露出。 在第一金属层和电介质层的第二部分上形成第二金属层之后，在第二金属层上形成掩模层。

公开(公告)号：US07666727B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US11099190

申请日：2005-04-04

申请人： Brian Doyle ,  Scott A. Hareland ,  Mark Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian Doyle ,  Scott A. Hareland ,  Mark Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A transistor comprising a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a substrate. A pair of source/drain regions are formed in the substrate on opposite sides of the laterally opposite sidewalls of the gate electrode. The gate electrode has a central portion formed on the gate dielectric layer and over the substrate region between the source and drain regions and a pair sidewall portions which overlap a portion of the source/drain regions wherein the central portion has a first work function and said pair of sidewall portions has a second work function, wherein the second work function is different than the first work function.

摘要翻译： 一种晶体管，包括形成在形成于基板上的栅介质层上的栅电极。 在栅电极的横向相对的侧壁的相对侧上的衬底中形成一对源极/漏极区域。 栅极电极具有形成在栅极介电层上并且在源极和漏极区域之间的衬底区域上的中心部分和与源极/漏极区域的一部分重叠的一对侧壁部分，其中中心部分具有第一功函数和所述 一对侧壁部分具有第二功函数，其中第二功函数不同于第一功函数。

公开(公告)号：US07193253B2

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：US11202541

申请日：2005-08-11

申请人： Mark Doczy ,  Nathan Baxter ,  Robert S. Chau ,  Kari Harkonen ,  Teemu Lang

发明人： Mark Doczy ,  Nathan Baxter ,  Robert S. Chau ,  Kari Harkonen ,  Teemu Lang

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L29/4966 ,  C04B35/5618 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/723 ,  C22C14/00 ,  C22C16/00 ,  C22C27/00 ,  C22C32/0084 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/6659

摘要： Embodiments of a transition metal alloy having an n-type or p-type work function that does not significantly shift at elevated temperature. The disclosed transition metal alloys may be used as, or form a part of, the gate electrode in a transistor. Methods of forming a gate electrode using these transition metal alloys are also disclosed.

摘要翻译： 具有在升高的温度下不会显着移位的n型或p型功函的过渡金属合金的实施例。 公开的过渡金属合金可以用作晶体管中的栅电极，或者形成其中的一部分。 还公开了使用这些过渡金属合金形成栅电极的方法。

公开(公告)号：US07030430B2

公开(公告)日：2006-04-18

申请号：US10641848

申请日：2003-08-15

申请人： Mark Doczy ,  Nathan Baxter ,  Robert S. Chau ,  Kari Harkonen ,  Teemu Lang

发明人： Mark Doczy ,  Nathan Baxter ,  Robert S. Chau ,  Kari Harkonen ,  Teemu Lang

IPC分类号： H01L27/148

CPC分类号： H01L29/4966 ,  C04B35/5618 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/723 ,  C22C14/00 ,  C22C16/00 ,  C22C27/00 ,  C22C32/0084 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/6659

摘要： Embodiments of a transition metal alloy having an n-type or p-type work function that does not significantly shift at elevated temperature. The disclosed transition metal alloys may be used as, or form a part of, the gate electrode in a transistor. Methods of forming a gate electrode using these transition metal alloys are also disclosed.

摘要翻译： 具有在升高的温度下不会显着移位的n型或p型功函的过渡金属合金的实施例。 公开的过渡金属合金可以用作晶体管中的栅电极，或者形成其中的一部分。 还公开了使用这些过渡金属合金形成栅电极的方法。

公开(公告)号：US20070069302A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11238445

申请日：2005-09-28

申请人： Been-Yih Jin ,  Robert Chau ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask

发明人： Been-Yih Jin ,  Robert Chau ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78684

摘要： A method utilizing a common gate electrode material with a single work function for both the pMOS and nMOS transistors where the magnitude of the transistor threshold voltages is modified by semiconductor band engineering and article made thereby.

摘要翻译： 利用对pMOS和nMOS晶体管具有单功函数的公共栅电极材料的方法，其中晶体管阈值电压的幅度由半导体带工程和由此制成的制品修改。

公开(公告)号：US07195021B2

公开(公告)日：2007-03-27

申请号：US11217008

申请日：2005-08-30

申请人： Michael Chan ,  Robert Bristol ,  Mark Doczy

发明人： Michael Chan ,  Robert Bristol ,  Mark Doczy

IPC分类号： B08B6/00

CPC分类号： G21K1/06 ,  B08B7/0057 ,  G03F7/70925 ,  Y10S134/902

摘要： A method for cleaning optics in a chamber. The method can include introducing a first etchant into a chamber that encloses an optical component and a source of electromagnetic radiation that is suitable for lithography, ionizing the first etchant, and removing debris from a surface of the optical component.

摘要翻译： 一种清洁室内光学元件的方法。 该方法可以包括将第一蚀刻剂引入到包围光学部件的室中，以及适于光刻的电磁辐射源，电离第一蚀刻剂，以及从光学部件的表面去除碎屑。

公开(公告)号：US20060286755A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11154138

申请日：2005-06-15

申请人： Justin Brask ,  Robert Chau ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic

发明人： Justin Brask ,  Robert Chau ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic

IPC分类号： H01L31/119 ,  H01L31/113 ,  H01L31/062 ,  H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/785 ,  H04B1/3827 ,  Y10S438/926

摘要： A method of fabricating a MOS transistor having a thinned channel region is described. The channel region is etched following removal of a dummy gate. The source and drain regions have relatively low resistance with the process.

摘要翻译： 描述了制造具有减薄沟道区的MOS晶体管的方法。 在去除虚拟栅极之后蚀刻沟道区。 源极和漏极区域具有相对较低的电阻。

公开(公告)号：US20060094180A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：US10980522

申请日：2004-11-02

申请人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, forming a barrier layer on the high-k gate dielectric layer, and forming a fully silicided gate electrode on the barrier layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，在高k栅极电介质层上形成阻挡层，并在阻挡层上形成完全硅化的栅电极。

公开(公告)号：US20060051882A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11210220

申请日：2005-08-22

申请人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming an oxide layer on a substrate, and forming a high-k dielectric layer on the oxide layer. The oxide layer and the high-k dielectric layer are then annealed at a sufficient temperature for a sufficient time to generate a gate dielectric with a graded dielectric constant.

公开(公告)号：US20050221548A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US11099190

申请日：2005-04-04

申请人： Brian Doyle ,  Scott Hareland ,  Mark Doczy ,  Robert Chau

发明人： Brian Doyle ,  Scott Hareland ,  Mark Doczy ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L31/112

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

摘要： A transistor comprising a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a substrate. A pair of source/drain regions are formed in the substrate on opposite sides of the laterally opposite sidewalls of the gate electrode. The gate electrode has a central portion formed on the gate dielectric layer and over the substrate region between the source and drain regions and a pair sidewall portions which overlap a portion of the source/drain regions wherein the central portion has a first work function and said pair of sidewall portions has a second work function, wherein the second work function is different than the first work function.

摘要翻译： 一种晶体管，包括形成在形成于基板上的栅介质层上的栅电极。 在栅电极的横向相对的侧壁的相对侧上的衬底中形成一对源极/漏极区域。 栅极电极具有形成在栅极介电层上并且在源极和漏极区域之间的衬底区域上的中心部分和与源极/漏极区域的一部分重叠的一对侧壁部分，其中中心部分具有第一功函数和所述 一对侧壁部分具有第二功函数，其中第二功函数不同于第一功函数。