公开(公告)号：US20060046458A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US11208679

申请日：2005-08-22

申请人： Remigijus Gaska ,  Jianping Zhang ,  Michael Shur

发明人： Remigijus Gaska ,  Jianping Zhang ,  Michael Shur

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L31/111 ,  H01L29/74 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452

摘要： An improved ohmic contact for a nitride-based semiconductor device is provided. In particular, a semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device are provided in which a semiconductor structure has an ohmic contact that includes a contact layer and a metal layer thereon. The contact layer includes at least Aluminum (Al) and Indium (In), and can further include Gallium (Ga) and/or Nitrogen (N). The molar fraction of Al and/or In can be increased/decreased within the contact layer.

公开(公告)号：US06903385B2

公开(公告)日：2005-06-07

申请号：US10676963

申请日：2003-10-01

申请人： Remigijus Gaska ,  Xuhong Hu ,  Michael Shur

发明人： Remigijus Gaska ,  Xuhong Hu ,  Michael Shur

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L33/32 ,  H01L31/072

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/802

摘要： A semiconductor structure having a textured nitride-based layer. The textured nitride-based layer can be formed above one or more crystalline nitride layers and a substrate, and can be formed into any desired pattern. The semiconductor structure can be incorporated as part of, for example, a field effect transistor, a light emitting diode, or a laser.

摘要翻译： 具有织构化的氮化物基层的半导体结构。 纹理氮化物基层可以形成在一个或多个结晶氮化物层和基底之上，并且可以形成任何期望的图案。 半导体结构可以作为例如场效应晶体管，发光二极管或激光器的一部分被并入。

公开(公告)号：US20050110053A1

公开(公告)日：2005-05-26

申请号：US10721803

申请日：2003-11-25

申请人： Michael Shur ,  Remigijus Gaska ,  Yuriy Bilenko

发明人： Michael Shur ,  Remigijus Gaska ,  Yuriy Bilenko

IPC分类号： G01N27/26 ,  G01N27/414 ,  H01L21/00 ,  H01L23/58

CPC分类号： G01N27/414 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor sensing device in which a sensing layer is exposed to a medium being tested in an area below and/or adjacent to a contact. In one embodiment, the device comprises a field effect transistor in which the sensing layer is disposed below a gate contact. The sensing layer is exposed to the medium by one or more perforations that are included in the gate contact and/or one or more layers disposed above the sensing layer. The sensing layer can comprise a dielectric layer, a semiconductor layer, or the like.

摘要翻译： 一种半导体感测装置，其中感测层暴露于在接触件下方和/或邻近的区域内被测试的介质。 在一个实施例中，该器件包括场效应晶体管，其中感测层设置在栅极触点下方。 感测层通过包括在栅极接触中的一个或多个穿孔和/或设置在感测层上方的一个或多个层而暴露于介质。 感测层可以包括电介质层，半导体层等。

公开(公告)号：US08586997B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US13396059

申请日：2012-02-14

申请人： Grigory Simin ,  Michael Shur ,  Remigijus Gaska

发明人： Grigory Simin ,  Michael Shur ,  Remigijus Gaska

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7786 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/405

摘要： A semiconductor device including a low conducting field-controlling element is provided. The device can include a semiconductor including an active region, and a set of contacts to the active region. The field-controlling element can be coupled to one or more of the contacts in the set of contacts. The field-controlling element can be formed of a low conducting layer having a sheet resistance between approximately 103 Ohms per square and approximately 107 Ohms per square. During direct current and/or low frequency operation, the field-controlling element can behave similar to a metal electrode. However, during high frequency operation, the field-controlling element can behave similar to an insulator.

摘要翻译： 提供了包括低导电场控制元件的半导体器件。 该器件可以包括半导体，其包括有源区，以及一组与有源区的接触。 场控制元件可以耦合到该组触点中的一个或多个触点。 场控元件可由低导电层形成，薄层电阻约为每平方103欧姆/平方欧姆/平方欧。 在直流和/或低频操作期间，场控元件可以类似于金属电极。 然而，在高频操作期间，场控元件可以表现得类似于绝缘体。

公开(公告)号：US08339163B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12791272

申请日：2010-06-01

申请人： Grigory Simin ,  Alexei Koudymov ,  Michael Shur ,  Remigijus Gaska

发明人： Grigory Simin ,  Alexei Koudymov ,  Michael Shur ,  Remigijus Gaska

IPC分类号： H03K3/00

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/088 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316

摘要： A field effect transistor (FET) including a monolithically integrated gate control circuit element can be included in, for example, a radio frequency switch circuit. For example, the FET can be included as a series and/or shunt FET of a radio frequency coplanar waveguide circuit. The widths of the series and shunt FETs of a switch circuit can be selected to provide a target isolation and/or a target insertion loss for a target operating frequency.

摘要翻译： 包括单片集成栅极控制电路元件的场效应晶体管（FET）可以包括在例如射频开关电路中。 例如，FET可以被包括为射频共面波导电路的串联和/或并联FET。 可以选择开关电路的串联和并联FET的宽度，以为目标工作频率提供目标隔离和/或目标插入损耗。

公开(公告)号：US08338871B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US12645876

申请日：2009-12-23

申请人： Grigory Simin ,  Michael Shur ,  Remigijus Gaska

发明人： Grigory Simin ,  Michael Shur ,  Remigijus Gaska

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L29/7786

摘要： A group III nitride-based transistor capable of achieving terahertz-range cutoff and maximum frequencies of operation at relatively high drain voltages is provided. In an embodiment, two additional independently biased electrodes are used to control the electric field and space-charge close to the gate edges.

摘要翻译： 提供了能够在较高漏极电压下实现太赫兹范围截止和最大工作频率的III族氮化物基晶体管。 在一个实施例中，使用两个附加的独立偏置电极来控制靠近栅极边缘的电场和空间电荷。

公开(公告)号：US20120217473A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13404703

申请日：2012-02-24

申请人： Michael Shur ,  Remigijus Gaska

发明人： Michael Shur ,  Remigijus Gaska

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/32341

摘要： An improved light emitting heterostructure is provided. The heterostructure includes an active region having a set of barrier layers and a set of quantum wells, each of which is adjoined by a barrier layer. The quantum wells have a delta doped p-type sub-layer located therein, which results in a change of the band structure of the quantum well. The change can reduce the effects of polarization in the quantum wells, which can provide improved light emission from the active region.

摘要翻译： 提供改进的发光异质结构。 异质结构包括具有一组阻挡层的有源区和一组量子阱，每个量子阱与势垒层相邻。 量子阱具有位于其中的δ掺杂的p型子层，这导致量子阱的带结构的变化。 这种改变可以减少量子阱中的极化的影响，这可以提供来自有源区域的改进的光发射。

公开(公告)号：US08227322B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US11671784

申请日：2007-02-06

申请人： Qhalid Fareed ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur

发明人： Qhalid Fareed ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： C23C16/45523 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

摘要： Nitride-based film is grown using multiple precursor fluxes. Each precursor flux is pulsed one or more times to add a desired element to the nitride-based film at a desired time. The quantity, duration, timing, and/or shape of the pulses is customized for each element to assist in generating a high quality nitride-based film.

摘要翻译： 使用多种前体助熔剂生长氮化物基膜。 每个前体通量被脉冲一次或多次，以在期望的时间向氮化物基膜添加所需的元素。 针对每个元件定制脉冲的数量，持续时间，定时和/或形状，以帮助产生高质量的基于氮化物的膜。

公开(公告)号：US20120119189A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US13296581

申请日：2011-11-15

申请人： Remigijus Gaska ,  Michael Shur

发明人： Remigijus Gaska ,  Michael Shur

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/452 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

摘要： An ohmic contact to a semiconductor layer including a heterostructure barrier layer and a metal layer adjacent to the heterostructure barrier layer is provided. The heterostructure barrier layer can form a two dimensional free carrier gas for the contact at a heterointerface of the heterostructure barrier layer and the semiconductor layer. The metal layer is configured to form a contact with the two dimensional free carrier gas.

摘要翻译： 提供了与包括异质结构阻挡层和邻近异质结构阻挡层的金属层的半导体层的欧姆接触。 异质结构阻挡层可以在异质结构阻挡层和半导体层的异质界面处形成用于接触的二维自由载气。 金属层被配置成与二维无载体气体形成接触。

公开(公告)号：US08030575B2

公开(公告)日：2011-10-04

申请号：US11465241

申请日：2006-08-17

申请人： Yuriy Bilenko ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur ,  Grigory Simin

发明人： Yuriy Bilenko ,  Remigijus Gaska ,  Michael Shur ,  Grigory Simin

IPC分类号： H05K1/03

CPC分类号： H01L23/62 ,  H01L25/167 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49169 ,  Y10T29/53174 ,  H01L2924/00

摘要： A solution for protecting an electronic device from an electrical surge using a mounting structure is provided. In particular, the mounting structure comprises a conductive material and is electrically connected to the protected electrical device. The conductive material and/or mounting structure can have one or more properties that prevent the mounting structure from adversely impacting operation of the electronic device during normal operation, but enables the mounting structure to provide an alternative electrical path during the electrical surge.

摘要翻译： 提供了一种使用安装结构保护电子设备免受电涌的解决方案。 特别地，安装结构包括导电材料并且电连接到受保护的电气设备。 导电材料和/或安装结构可以具有防止安装结构在正常操作期间不利地影响电子设备的操作的一个或多个特性，但是使安装结构能够在电涌期间提供替代的电路径。