公开(公告)号：US06653716B1

公开(公告)日：2003-11-25

申请号：US09866148

申请日：2001-05-24

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Pascale Francis ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Pascale Francis ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L2993

CPC分类号： H01L29/94 ,  H01L29/93

摘要： The linear tuning range of a semiconductor varactor is substantially increased by forming a lightly-doped drain region of a first conductivity type in a semiconductor material of a second conductivity type between a heavily-doped diffusion of the second conductivity type and a lower-plate region of the semiconductor material.

摘要翻译： 半导体变容二极管的线性调谐范围通过在第二导电类型的重掺杂扩散和下板区域之间形成第二导电类型的半导体材料中的第一导电类型的轻掺杂漏区， 的半导体材料。

公开(公告)号：US06492859B2

公开(公告)日：2002-12-10

申请号：US09769084

申请日：2001-01-24

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H03K508

CPC分类号： H01L27/0259

摘要： In an ESD protection circuit for an analog bipolar circuit, the avalanche breakdown voltage of a reverse-coupled NPN BJT acting as an avalanche diode is adjusted to comply with breakdown voltage and latchup requirements by including a resistor between the base and collector of the BJT.

摘要翻译： 在模拟双极电路的ESD保护电路中，通过在BJT的基极和集电极之间包括一个电阻，调节充当雪崩二极管的反向耦合NPN BJT的雪崩击穿电压，以符合击穿电压和闭锁要求。

公开(公告)号：US08878295B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US13086187

申请日：2011-04-13

申请人： Peter J. Hopper ,  Alexei Sadovnikov ,  William French ,  Erika Mazotti ,  Richard Wendell Foote, Jr. ,  Punit Bhola ,  Vladislav Vashchenko

发明人： Peter J. Hopper ,  Alexei Sadovnikov ,  William French ,  Erika Mazotti ,  Richard Wendell Foote, Jr. ,  Punit Bhola ,  Vladislav Vashchenko

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7835

摘要： A DMOS transistor with a lower on-state drain-to-source resistance and a higher breakdown voltage utilizes a slanted super junction drift structure that lies along the side wall of an opening with the drain region at the bottom of the opening and the source region near the top of the opening.

摘要翻译： 具有较低导通状态漏极至源极电阻和较高击穿电压的DMOS晶体管利用沿开口侧壁设置的倾斜超结漂移结构，漏极区位于开口底部和源极区 靠近开口顶部。

公开(公告)号：US20120091501A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12925277

申请日：2010-10-18

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Antonio Gallerano ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Antonio Gallerano ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L29/747 ,  H01L21/332

CPC分类号： H01L29/87 ,  H01L27/0262 ,  H01L29/66121

摘要： In a DIAC-like device that includes an n+ and a p+ region connected to the high voltage node, and an n+ and a p+ region connected to the low voltage node, at least two MOS devices are formed between the n+ and p+ region connected to the high voltage node, and the n+ and p+ region connected to the low voltage node.

摘要翻译： 在包括连接到高压节点的n +和p +区以及连接到低电压节点的n +和p +区的DIAC类器件中，在连接到低电压节点的n +和p +区之间形成至少两个MOS器件 高压节点，连接到低电压节点的n +和p +区域。

公开(公告)号：US07839242B1

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US11893535

申请日：2007-08-16

申请人： Peter J. Hopper ,  Trevor Niblock ,  Peter Johnson ,  Vladislav Vashchenko

发明人： Peter J. Hopper ,  Trevor Niblock ,  Peter Johnson ,  Vladislav Vashchenko

IPC分类号： H01H51/34

CPC分类号： H02M3/34

摘要： A MEMS magnetic flux switch is fabricated as a ferromagnetic core. The core includes a center cantilever that is fabricated as a free beam that can oscillate at a resonant frequency that is determined by its mechanical and material properties. The center cantilever is moved by impulses applied by an associated motion oscillator, which can be magnetic or electric actuators.

摘要翻译： MEMS磁通开关被制造为铁磁芯。 芯包括中心悬臂，其被制造为可以以其机械和材料性质确定的共振频率振荡的自由梁。 中心悬臂由相关运动振荡器施加的脉冲移动，运动振荡器可以是磁性或电动执行器。

公开(公告)号：US07800127B1

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11503593

申请日：2006-08-14

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Alexander Burinskiy ,  Peter J. Hopper ,  Vladimir Kuznetsov

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Alexander Burinskiy ,  Peter J. Hopper ,  Vladimir Kuznetsov

IPC分类号： H01L23/62

CPC分类号： H01L29/7436 ,  H01L27/0262 ,  H01L29/87

摘要： In an ESD device for fast switching applications based on a BSCR or NLDMOS-SCR, an anode junction control electrode is provided by not connecting the anode electrode to the collector of the BSCR or to the drain of the NLDMOS-SCR, and a cathode junction control electrode is provided by forming an additional n+ region in the BSCR or an additional p+ region in the p-well of the NLDMOS-SCR. The triggering voltage of the ESD device is adjusted after a time delay by controlling one or both of the control electrodes using an RC-timer-driver circuit.

摘要翻译： 在用于基于BSCR或NLDMOS-SCR的快速切换应用的ESD装置中，阳极结控制电极通过不将阳极电极连接到BSCR的集电极或NLDMOS-SCR的漏极而提供，并且阴极结 通过在BSCR中的附加n +区域或NLDMOS-SCR的p阱中的附加p +区域形成控制电极。 通过使用RC定时器驱动器电路控制一个或两个控制电极，在延迟之后调整ESD装置的触发电压。

公开(公告)号：US07795102B1

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11654735

申请日：2007-01-17

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Vladimir Kuznetsov ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Vladimir Kuznetsov ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L29/8611 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66128

摘要： In a SiGe BJT process, a diode is formed by defining a p-n junction between the BJT collector and BJT internal base, blocking the external gate regions of the BJT and doping the emitter poly of the BJT with the same dopant type as the internal base thereby using the emitter contact to define the contact to the internal base. Electrical contact to the collector is established through a sub-collector or by means of a second emitter poly and internal base both doped with the same dopant type as the collector.

摘要翻译： 在SiGe BJT工艺中，通过限定BJT集电极和BJT内部基极之间的pn结，形成二极管，阻挡BJT的外部栅极区域，并以与内部基底相同的掺杂剂类型掺杂BJT的发射极多晶， 使用发射极接触来定义与内部基座的接触。 通过子集电极或通过掺杂与收集器相同的掺杂剂类型的第二发射极多晶硅和内部基极建立与集电极的电接触。

公开(公告)号：US07521310B1

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：US11261235

申请日：2005-10-29

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Alexel Sadovnikov ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Alexel Sadovnikov ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/0817 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0641

摘要： In a complementary SiGe bipolar process, a pnpn thyristor structure is formed from some of the layers of a pnp transistor and an npn transistor formed on top of each other and making use of the SiGe gates to define the blocking junction.

摘要翻译： 在互补的SiGe双极工艺中，pnpn晶闸管结构由形成在顶部上的pnp晶体管和npn晶体管的一些层形成，并且利用SiGe栅极来限定阻挡结。

公开(公告)号：US07285805B1

公开(公告)日：2007-10-23

申请号：US11503594

申请日：2006-08-14

申请人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L29/86 ,  H01L21/33 ,  H02H9/04

CPC分类号： H01L27/0262 ,  H01L29/7436

摘要： In a low voltage ESD protection device, an extra control electrode is created by not connecting the n+ drain and p+ emitter regions of the LVTSCR, and controlling the control electrode by means of a diode connected NMOS.

摘要翻译： 在低电压ESD保护器件中，通过不连接LVTSCR的n +漏极和p +发射极区域，并通过连接NMOS的二极管来控制控制电极，产生额外的控制电极。

公开(公告)号：US07259411B1

公开(公告)日：2007-08-21

申请号：US10728132

申请日：2003-12-04

申请人： Peter J. Hopper ,  Yuri Mirgorodski ,  Vladislav Vashchenko ,  Peter Johnson

发明人： Peter J. Hopper ,  Yuri Mirgorodski ,  Vladislav Vashchenko ,  Peter Johnson

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/823885 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

摘要： A vertical MOS transistor has a source region, a channel region, and a drain region that are vertically stacked, and a trench that extends from the top surface of the drain region through the drain region, the channel region, and partially into the source region. The vertical MOS transistor also has an insulation layer that lines the trench, and a conductive gate region that contacts the insulation layer to fill up the trench.

摘要翻译： 垂直MOS晶体管具有垂直堆叠的源极区域，沟道区域和漏极区域以及从漏极区域的顶表面延伸穿过漏极区域，沟道区域并且部分地延伸到源极区域的沟槽 。 垂直MOS晶体管还具有对沟槽进行排列的绝缘层，以及接触绝缘层以填充沟槽的导电栅极区域。