公开(公告)号：US06486047B2

公开(公告)日：2002-11-26

申请号：US09872279

申请日：2001-05-31

申请人： Won-Jae Lee ,  In-Kyu You ,  Yil-Suk Yang ,  Byoung-Gon Yu ,  Kyoung-Ik Cho

发明人： Won-Jae Lee ,  In-Kyu You ,  Yil-Suk Yang ,  Byoung-Gon Yu ,  Kyoung-Ik Cho

IPC分类号： H01L2126

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31691 ,  Y10S438/905

摘要： An apparatus for forming Strontium-Tantalum-Oxide films and a method thereof using an atomic layer deposition tool are provided. In the Strontium-Tantalum-Oxide films deposited by using plasma and the atomic layer deposition, its leakage-current is very low, and its dielectric constant has a range of 30 to 100 depending on the there heating conditions. Therefore, the method provides structures for i) an insulating film of an NDRO-type ferroelectric memory device that has a structure of Metal-film/Ferroelectric-film/Insulating-film/Silicon, ii) a gate oxide film substituting for silicon oxide film, and iii) an insulating film of Electro Luminescent Display (ELD) device.

摘要翻译： 提供一种用于形成锶钽氧化物膜的装置及其使用原子层沉积工具的方法。 在通过使用等离子体和原子层沉积沉积的锶钽氧化物膜中，其漏电流非常低，并且其介电常数的范围为30至100，这取决于那里的加热条件。 因此，该方法提供了i）具有金属膜/铁电体/绝缘膜/硅的结构的NDRO型铁电体存储元件的绝缘膜的结构，ii）用氧化硅膜代替的栅极氧化膜 ，和iii）电致发光显示器（ELD）装置的绝缘膜。

公开(公告)号：US08344366B2

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：US12858868

申请日：2010-08-18

申请人： Kang Dae Kim ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong Suk Yang ,  Seung Youl Kang

发明人： Kang Dae Kim ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong Suk Yang ,  Seung Youl Kang

IPC分类号： H01L51/10

CPC分类号： H01L51/0545 ,  H01L51/105

摘要： Provided are an organic thin film transistor and a method of forming the same. The method comprises forming a gate electrode on a substrate, forming a gate dielectric, which covers the gate electrode and includes a recess region at an upper portion, on the substrate, forming a source electrode and a drain electrode in the recess region, and forming an organic semiconductor layer between the source electrode and the drain electrode in the recess region.

摘要翻译： 提供一种有机薄膜晶体管及其形成方法。 该方法包括在衬底上形成栅电极，形成覆盖栅电极并在衬底上包括上部的凹陷区的栅极电介质，在凹陷区域中形成源电极和漏电极，并形成 在凹陷区域中的源电极和漏电极之间的有机半导体层。

公开(公告)号：US08278138B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12915495

申请日：2010-10-29

申请人： Yong Suk Yang ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Soon Won Jung ,  Kang Dae Kim ,  Yong-Young Noh

发明人： Yong Suk Yang ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Soon Won Jung ,  Kang Dae Kim ,  Yong-Young Noh

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1608

摘要： Provided are a resistive memory device and a method of fabricating the same. The resistive memory device comprises an electron channel layer formed by means of a swelling process and an annealing process. Thus, conductive nanoparticles are uniformly dispersed in the electron channel layer to improve reliability of the resistive memory device. According to the method, an electron channel layer is formed by means of a printing process, a swelling process, and an annealing process. Thus, fabrication time is reduced.

摘要翻译： 提供了一种电阻式存储器件及其制造方法。 电阻式存储器件包括通过膨胀工艺和退火工艺形成的电子通道层。 因此，导电纳米粒子均匀分散在电子通道层中，以提高电阻式存储器件的可靠性。 根据该方法，通过印刷工艺，溶胀工艺和退火工艺形成电子通道层。 因此，制造时间缩短。

公开(公告)号：US08198148B2

公开(公告)日：2012-06-12

申请号：US12766953

申请日：2010-04-26

申请人： Jae Bon Koo ,  Seung Youl Kang ,  In-Kyu You

发明人： Jae Bon Koo ,  Seung Youl Kang ,  In-Kyu You

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/84 ,  H01L24/83 ,  H01L24/93 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/00

摘要： Provided is a method for manufacturing a semiconductor device. The method includes: providing a first substrate where an active layer is formed on a buried insulation layer; forming a gate insulation layer on the active layer; forming a gate electrode on the gate insulation layer; forming a source/drain region on the active layer at both sides of the gate electrode; exposing the buried insulation layer around a thin film transistor (TFT) including the gate electrode and the source/drain region; forming an under cut at the bottom of the TFT by partially removing the buried insulation layer; and transferring the TFT on a second substrate.

摘要翻译： 提供一种半导体器件的制造方法。 该方法包括：提供在掩埋绝缘层上形成有源层的第一衬底; 在有源层上形成栅极绝缘层; 在栅极绝缘层上形成栅电极; 在栅极两侧的有源层上形成源/漏区; 将掩埋绝缘层暴露在包括栅电极和源/漏区的薄膜晶体管（TFT）周围; 通过部分去除掩埋绝缘层在TFT的底部形成底切; 以及在第二基板上转移TFT。

公开(公告)号：US20120139558A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13307023

申请日：2011-11-30

申请人： Yong Suk YANG ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo

发明人： Yong Suk YANG ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo

IPC分类号： G01R27/28

CPC分类号： G06K19/0723 ,  G06K17/0029 ,  G06K19/0725 ,  G06K19/07773 ,  G06K19/07788 ,  G08B13/2434

摘要： Provided is a radio frequency identification (RFID) tag. The RFID tags includes: a conductive layer and a conductive line disposed above and below an insulation layer, respectively; an antenna connected to one end of the conductive line; a resistor connected to the other end of the conductive line; a first conductive plate connected to the conductive line and constituting a first capacitor in conjunction with the conductive layer and the insulation layer; and a first sensing device connected between the conductive line and the conductive layer and having an impedance changed according to a sensing of a first target material.

摘要翻译： 提供了射频识别（RFID）标签。 RFID标签包括：分别设置在绝缘层上方和下方的导电层和导电线; 连接到导线的一端的天线; 连接到所述导线的另一端的电阻器; 连接到所述导电线并与所述导电层和所述绝缘层一起构成第一电容器的第一导电板; 以及连接在导电线和导电层之间并具有根据第一目标材料的感测而改变的阻抗的第一感测装置。

公开(公告)号：US20120125214A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US13294201

申请日：2011-11-11

申请人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Minseok Kim ,  Taeyoub Kim

发明人： Jae Bon Koo ,  In-Kyu You ,  Minseok Kim ,  Taeyoub Kim

IPC分类号： B41F35/04

CPC分类号： B41F3/36 ,  B41F3/46 ,  B41F3/52

摘要： Provided is an offset printer configured to increase or maximize productivity and yield. The offset printer includes a printing roller, a coating unit configured to apply a printing substance to the printing roller, a patterning unit configured to pattern the printing substance applied to the printing roller from the coating unit, a printing unit configured to transfer the patterned printing substance to a printing medium, and a cleaning unit configured to clean the printing substance remaining on the printing roller by a dry cleaning method.

摘要翻译： 提供了配置成增加或最大化生产率和产量的胶版印刷机。 胶版印刷机包括印刷辊，被配置为将印刷物质施加到印刷辊的涂布单元，配置成从涂布单元对施加到印刷辊上的印刷物质进行图案化的图案形成单元;被配置为将图案印刷 物质到打印介质，以及清洁单元，其构造成通过干洗方法清洁残留在印刷辊上的印刷物质。

公开(公告)号：US08039294B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US11782889

申请日：2007-07-25

申请人： Gi Heon Kim ,  Sung Min Yoon ,  Kyu Ha Baek ,  In Kyu You ,  Seung Youl Kang ,  Seong Deok Ahn ,  Kyung Soo Suh

发明人： Gi Heon Kim ,  Sung Min Yoon ,  Kyu Ha Baek ,  In Kyu You ,  Seung Youl Kang ,  Seong Deok Ahn ,  Kyung Soo Suh

IPC分类号： B05D3/00

CPC分类号： H01L21/02118 ,  C08F120/00 ,  C08F120/10 ,  C08F120/44 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31691 ,  H01L51/0537

摘要： Provided is an insulating layer in which an inorganic material is added to an organic polymer to thereby improve the insulating properties, an organic thin film transistor using the insulating layer, and a method of fabricating the organic thin film transistor. An insulating layer for an organic thin film transistor including a vinyl polymer and an inorganic material is provided. Here, a weight ratio of the vinyl polymer to the inorganic material may be in the range of 1:0.0001 to 1:0.5. Accordingly, it is possible to fabricate a thin film at low temperature and, further, to fabricate an insulating layer having a high-dielectric constant, not affecting other layers formed in the previous processes during the formation of the insulating layer.

摘要翻译： 提供一种绝缘层，其中无机材料被添加到有机聚合物中以提高绝缘性能，使用该绝缘层的有机薄膜晶体管以及制造该有机薄膜晶体管的方法。 提供了包含乙烯基聚合物和无机材料的有机薄膜晶体管的绝缘层。 这里，乙烯基聚合物与无机材料的重量比可以在1：0.0001〜1:0.5的范围内。 因此，可以在低温下制造薄膜，并且还可以制造绝缘层，该绝缘层具有高介电常数，不影响在形成绝缘层期间的以前工艺中形成的其它层。

公开(公告)号：US20110094774A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12684097

申请日：2010-01-07

申请人： Yong Suk YANG ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong-Young Noh

发明人： Yong Suk YANG ,  In-Kyu You ,  Jae Bon Koo ,  Yong-Young Noh

IPC分类号： H05K1/00 ,  H05K1/11 ,  H05K1/09 ,  H05K3/12 ,  H05K3/42

CPC分类号： H01L21/4814 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0277 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/0313 ,  H05K1/09 ,  H05K3/105 ,  H05K3/125 ,  H05K3/4069 ,  H05K2203/1105 ,  H05K2203/125 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00

摘要： Provided are a multi-layer interconnection structure and a manufacturing method thereof. The multi-layer interconnection structure includes a substrate; a first wiring on the substrate; an interlayer insulation layer on the first wiring; a second wiring on the interlayer insulation layer; and a via contact including at least one conductive filament penetrating through the interlayer insulation layer between the second wiring and the first wiring to be electrically connected to the first wiring and the second wiring.

摘要翻译： 提供一种多层互连结构及其制造方法。 多层互连结构包括基板; 在基板上的第一布线; 第一布线上的层间绝缘层; 层间绝缘层上的第二布线; 以及通孔接触，其包括穿过所述第二布线和所述第一布线之间的所述层间绝缘层的至少一个导电丝，以电连接到所述第一布线和所述第二布线。

公开(公告)号：US07672037B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US11977514

申请日：2007-10-25

申请人： In Kyu You ,  Seung Youl Kang ,  Chul Am Kim ,  Seong Deok Ahn ,  Gi Heon Kim ,  Ji Young Oh ,  Kyung Soo Suh

发明人： In Kyu You ,  Seung Youl Kang ,  Chul Am Kim ,  Seong Deok Ahn ,  Gi Heon Kim ,  Ji Young Oh ,  Kyung Soo Suh

IPC分类号： G02B26/00 ,  G03G17/04

CPC分类号： G02F1/167 ,  G02F2202/01

摘要： Provided are an electrophoretic display device and a manufacturing method thereof, and more specifically, electrophoretic e-paper to which a high-k dielectric material is applied in order to improve a reaction rate. The electrophoretic display device of the present invention comprises a plurality of capsules comprising a dielectric fluid and at least one type of particles individually operating in response to an applied electric field and suspended in the dielectric fluid; first and second substrates respectively formed on and below the capsules and having electrodes formed thereon; and a dielectric layer formed on at least one of the first and second substrates to be in contact with the capsules.

摘要翻译： 提供了一种电泳显示装置及其制造方法，更具体地说，为了提高反应速率，应用了高k电介质材料的电泳电纸。 本发明的电泳显示装置包括多个胶囊，其包括介电流体和至少一种类型的颗粒，所述至少一种类型的颗粒响应于施加的电场单独地操作并悬浮在介电流体中; 第一和第二基板分别形成在胶囊上和下面并且具有形成在其上的电极; 以及形成在所述第一和第二基板中的至少一个上以与所述胶囊接触的电介质层。

公开(公告)号：US07651739B2

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：US11450169

申请日：2006-06-08

申请人： In Kyu You ,  Seung Youl Kang ,  Seong Deok Ahn ,  Gi Heon Kim ,  Ji Young Oh ,  Chul Am Kim ,  Kyu Ha Baek ,  Kyung Soo Suh

发明人： In Kyu You ,  Seung Youl Kang ,  Seong Deok Ahn ,  Gi Heon Kim ,  Ji Young Oh ,  Chul Am Kim ,  Kyu Ha Baek ,  Kyung Soo Suh

IPC分类号： B05D3/02 ,  B05D3/00 ,  B05D1/18 ,  B08B3/10

CPC分类号： H01L51/0097 ,  C08J7/047 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/386 ,  H05K2203/0759 ,  Y02E10/549

摘要： A surface treatment method of an FRP substrate is provided. According to the method, an FRP substrate that is less deformed than a conventional flexible substrate material is used, and surface roughness, which is a drawback of the FRP substrate, is improved so that it may be applied to the fabrication of a device. In order to reduce the surface roughness of an FRP substrate, the FRP substrate is coated with an organic insulating solution and thereby planarized. Due to the reduced deformation and superior flatness, failures occurring due to misalignment in a photolithography process may be prevented.

摘要翻译： 提供FRP基板的表面处理方法。 根据该方法，使用比常规柔性基板材料变形小的FRP基板，作为FRP基板的缺点的表面粗糙度得到改善，从而可以将其应用于器件的制造。 为了降低FRP基板的表面粗糙度，FRP基板被涂覆有机绝缘溶液，由此平坦化。 由于减小的变形和优异的平坦度，可以防止由于光刻工艺中的未对准而发生的故障。