公开(公告)号：US20050152075A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：US11034273

申请日：2005-01-12

申请人： Hiromu Miyazawa ,  Takamitsu Higuchi ,  Setsuya Iwashita

发明人： Hiromu Miyazawa ,  Takamitsu Higuchi ,  Setsuya Iwashita

IPC分类号： H01F10/20 ,  G11B5/127 ,  G11B5/33 ,  G11C11/14 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/193 ,  H01F10/32 ,  H01F41/30 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/16 ,  H01F1/401 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/302 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12

摘要： A magnetoresistance effect element is provided and includes a memory layer, an insulating layer and a fixed magnetic layer successively stacked on a substrate. The memory layer is formed on the substrate through a transition metal oxide layer having a predetermined orientation plane. A buffer layer is preferably provided on a lower layer side of the transition metal oxide layer.

摘要翻译： 提供了磁阻效应元件，并且包括依次层叠在基板上的存储层，绝缘层和固定磁性层。 存储层通过具有预定取向平面的过渡金属氧化物层形成在衬底上。 缓冲层优选设置在过渡金属氧化物层的下层侧。

公开(公告)号：US20050140743A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US10980749

申请日：2004-11-03

申请人： Hiromu Miyazawa ,  Takeshi Kijima ,  Takamitsu Higuchi ,  Setsuya Iwashita

发明人： Hiromu Miyazawa ,  Takeshi Kijima ,  Takamitsu Higuchi ,  Setsuya Iwashita

IPC分类号： B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/135 ,  B41J2/14 ,  B41J2/145 ,  B41J2/15 ,  B41J2/16 ,  F04B9/00 ,  F04B43/04 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/319 ,  H01L41/39 ,  H03B5/30 ,  H03B5/32 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17 ,  H03H9/25 ,  H03H9/64 ,  H03H9/72

CPC分类号： H03H9/02133 ,  B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  F04B43/046 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/172 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174

摘要： A piezoelectric film is provided that is represented by the following general formula: Pb1-b[((X1/3Nb2/3)1-cB′c)1-aYa]O3 wherein X is at least one of Mg, Zn and Ni; B′ is at least one of Zr, Ti and Hf; Y is at least one of V, Nb, Ta, Cr, Mo and W; a satisfies 0.05≦a

摘要翻译： 提供了由以下通式表示的压电膜：Pb 1-b [（（X 1/3 Nb 2/3） ）1-c B'C 1）a-1-a a a a 3 a / 3 >其中X是Mg，Zn和Ni中的至少一种; B'是Zr，Ti和Hf中的至少一种; Y是V，Nb，Ta，Cr，Mo和W中的至少一种; a满足0.05 <= a <0.30; b满足0.025 <= b <= 0.15; 当X为Mg时，c满足0.25 <= c <= 0.35; 当X为Ni时，c满足0.30 <= c <0.40; 当X为Zn时，c满足0.05 <= c <0.15。

公开(公告)号：US06891741B2

公开(公告)日：2005-05-10

申请号：US10404538

申请日：2003-04-02

申请人： Kazumasa Hasegawa ,  Eiji Natori ,  Hiromu Miyazawa ,  Junichi Karasawa

发明人： Kazumasa Hasegawa ,  Eiji Natori ,  Hiromu Miyazawa ,  Junichi Karasawa

IPC分类号： G11C11/22 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/101 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

摘要： A ferroelectric memory device includes a simple matrix type memory cell array. Provided that the maximum absolute value of a voltage applied between a first signal electrode and a second signal electrode is Vs, polarization P of a ferroelectric capacitor formed of the first electrode, the second electrode, and ferroelectric layer is within the range of 0.1P(+Vs) P(+1/3Vs) when the applied voltage is changed from −Vs to +1/3Vs.

摘要翻译： 铁电存储器件包括简单矩阵型存储单元阵列。 假设在第一信号电极和第二信号电极之间施加的电压的最大绝对值为Vs，由第一电极，第二电极和铁电层形成的铁电电容器的极化P为0.1P（ + Vs） P（+ 1 / 3Vs） 至+ 1 / 3V。

公开(公告)号：US20050079735A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10968957

申请日：2004-10-21

申请人： Takamitsu Higuchi ,  Setsuya Iwashita ,  Hiromu Miyazawa

发明人： Takamitsu Higuchi ,  Setsuya Iwashita ,  Hiromu Miyazawa

IPC分类号： C01G55/00 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/24 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/04 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319 ,  H01L21/00 ,  H01L29/24 ,  H01L33/00 ,  H01L21/469

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/24 ,  C30B29/32 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L29/045 ,  H01L41/316

摘要： The invention provides a substrate for an electronic device including a conductive oxide layer which is formed by epitaxial growth with cubic crystal (100) orientation or pseudo-cubic crystal (100) orientation and which contains a metal oxide having a perovskite structure, a method for manufacturing a substrate for an electronic device, and an electronic device provided with such a substrate for an electronic device. A substrate for an electronic device includes a Si substrate, a buffer layer which is formed by epitaxial growth on the Si substrate and which contains a metal oxide having a NaCl structure, and a conductive oxide layer which is formed by epitaxial growth with cubic crystal (100) orientation or pseudo-cubic crystal (100) orientation on the buffer layer and which contains a metal oxide having a perovskite structure. The Si substrate is preferably a (100) substrate or a (110) substrate from which a natural oxidation film is not removed. The buffer layer preferably has an average thickness of 10 nm or less.

摘要翻译： 本发明提供了一种电子器件用基板，其包括通过外延生长而形成的导电氧化物层，所述外延生长具有立方晶（100）取向或假立方晶体（100）取向，并且其包含具有钙钛矿结构的金属氧化物， 制造用于电子设备的基板，以及设置有这种电子设备用基板的电子设备。 用于电子器件的衬底包括Si衬底，通过在Si衬底上外延生长并且含有具有NaCl结构的金属氧化物形成的缓冲层和通过用立方晶体外延生长形成的导电氧化物层（ 100）取向或假立方晶体（100）取向，并且其包含具有钙钛矿结构的金属氧化物。 Si衬底优选是不去除天然氧化膜的（100）衬底或（110）衬底。 缓冲层的平均厚度优选为10nm以下。

公开(公告)号：US08746853B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US13338055

申请日：2011-12-27

申请人： Hiromu Miyazawa ,  Hiroaki Tamura

发明人： Hiromu Miyazawa ,  Hiroaki Tamura

IPC分类号： B41J2/045

CPC分类号： H01L41/318 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2202/03 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1878

摘要： A piezoelectric element comprises a piezoelectric layer and an electrode provided to the piezoelectric layer. The piezoelectric layer has a Perovskite-type structure containing bismuth and iron, and includes nitrogen in an oxygen site of the Perovskite-type structure.

摘要翻译： 压电元件包括​​压电层和设置在压电层上的电极。 压电层具有含有铋和铁的钙钛矿型结构，并且在钙钛矿型结构的氧部位含有氮。

公开(公告)号：US08668310B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US12914321

申请日：2010-10-28

申请人： Takayuki Yonemura ,  Hiromu Miyazawa

发明人： Takayuki Yonemura ,  Hiromu Miyazawa

IPC分类号： B41J2/045 ,  H01L41/00 ,  H02N2/00

CPC分类号： H01L41/183 ,  B41J2/14233 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2202/03 ,  C04B35/2608 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/768 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A liquid-ejecting head includes a pressure-generating chamber communicating with a nozzle opening, and a piezoelectric element. The piezoelectric element has piezoelectric layer contains a perovskite complex oxide containing Bi, La, Fe, and Mn and can undergo electric-field-induced phase transition.

摘要翻译： 液体喷射头包括与喷嘴开口连通的压力产生室和压电元件。 压电元件具有包含含有Bi，La，Fe和Mn的钙钛矿复合氧化物的压电层，并且可以进行电场相变。

公开(公告)号：US08616682B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13046671

申请日：2011-03-11

申请人： Takayuki Yonemura ,  Hiromu Miyazawa

发明人： Takayuki Yonemura ,  Hiromu Miyazawa

IPC分类号： H01L41/00 ,  H02N2/00 ,  B41J2/045

CPC分类号： H01L41/183 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1634 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2202/03 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1878

摘要： A liquid ejection head, comprises a pressure generation chamber communicating with a nozzle opening and a piezoelectric element having a piezoelectric layer and an electrodes. The piezoelectric layer is a perovskite type complex oxide containing bismuth, iron, and cerium. The piezoelectric layer contains the cerium in a proportion of 0.01 molar ratio or more and 0.13 molar ratio or lower based on the total amount of the bismuth and the cerium.

公开(公告)号：US08371681B2

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：US13100348

申请日：2011-05-04

申请人： Hiromu Miyazawa

发明人： Hiromu Miyazawa

IPC分类号： B41J2/045 ,  C04B35/495 ,  C04B35/00 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187

CPC分类号： H01L41/183 ,  B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1878

摘要： A piezoelectric element includes a piezoelectric layer and electrodes provided to the piezoelectric layer. The piezoelectric layer consists of a complex oxide containing bismuth, cerium, iron and cobalt and the molar ratio of cobalt to the total of iron and cobalt is 0.125 or more and 0.875 or less.

摘要翻译： 压电元件包括​​压电层和设置在压电层上的电极。 压电层由含有铋，铈，铁和钴的复合氧化物组成，钴与铁和钴的总摩尔比为0.125以上且0.875以下。

公开(公告)号：US20120182359A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13353215

申请日：2012-01-18

申请人： Hiromu MIYAZAWA ,  Takayuki YONEMURA ,  Koichi MOROZUMI

发明人： Hiromu MIYAZAWA ,  Takayuki YONEMURA ,  Koichi MOROZUMI

IPC分类号： B41J2/045 ,  H01L41/18

CPC分类号： H01L41/332 ,  B41J2/14233 ,  C04B35/26 ,  C04B35/2666 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： A piezoelectric element comprises a piezoelectric layer consisting a complex oxide having a perovskite structure containing bismuth and iron and electrodes provided to the piezoelectric layer. The complex oxide further contains a first dopant element that is magnesium and a second dopant element that is at least one of manganese, titanium, vanadium, niobium and tin.

摘要翻译： 压电元件包括​​由包含铋和铁的钙钛矿结构的复合氧化物和设置在压电层上的电极组成的压电层。 复合氧化物还含有镁和第二掺杂元素，第一掺杂元素是锰，钛，钒，铌和锡中的至少一种。

公开(公告)号：US20120162320A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13337723

申请日：2011-12-27

申请人： Hiromu MIYAZAWA ,  Takayuki YONEMURA ,  Koichi MOROZUMI

发明人： Hiromu MIYAZAWA ,  Takayuki YONEMURA ,  Koichi MOROZUMI

IPC分类号： H01L41/18 ,  B41J2/045

CPC分类号： H01L41/1878 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14419 ,  B41J2202/03 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/318

摘要： A piezoelectric element comprises a piezoelectric layer and an electrode provided to the piezoelectric layer. The piezoelectric layer is made of complex oxide having a Perovskite-type structure containing bismuth and iron, and the complex oxide includes at least one kind of a first doping element selected from the group consisting of sodium, potassium, calcium, strontium and barium and a second doping element formed from cerium.

摘要翻译： 压电元件包括​​压电层和设置在压电层上的电极。 该压电层由含有铋和铁的钙钛矿型结构的复合氧化物制成，复合氧化物包括选自钠，钾，钙，锶和钡中的至少一种第一掺杂元素和 由铈形成的第二掺杂元素。