公开(公告)号：US07833401B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11766723

申请日：2007-06-21

申请人： Nianci Han ,  Li Xu ,  Hong Shih ,  Yang Zhang ,  Danny Lu ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Nianci Han ,  Li Xu ,  Hong Shih ,  Yang Zhang ,  Danny Lu ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： C25D5/10 ,  C25D5/50 ,  C25D3/54

CPC分类号： C25D3/54 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4411 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  C23C28/36 ,  C23C28/42 ,  C23C30/00 ,  C23C30/005 ,  C25D3/44 ,  C25D3/56 ,  C25D5/18 ,  C25D5/50 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/67115 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/12618 ,  Y10T428/12667 ,  Y10T428/12736 ,  Y10T428/12778 ,  Y10T428/12806

摘要： A method of forming a component capable of being exposed to a plasma in a process chamber comprises forming a structure comprising a surface and electroplating yttrium, and optionally aluminum or zirconium, onto the surface. Thereafter, the electroplated layer can be annealed to oxide the yttrium and other electroplated species.

摘要翻译： 形成能够在处理室中暴露于等离子体的组分的方法包括在表面上形成包括表面和电镀钇以及任选的铝或锆的结构。 此后，可以将电镀层退火以氧化钇和其它电镀物质。

公开(公告)号：US20100180426A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12356687

申请日：2009-01-21

申请人： DAVID DATONG HUO ,  Irene Ai-Lin Chou ,  David Koonce ,  Jennifer Y. Sun

发明人： DAVID DATONG HUO ,  Irene Ai-Lin Chou ,  David Koonce ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： B23P17/00

CPC分类号： C23C16/4401 ,  Y10T29/4998

摘要： Methods and apparatus for reducing particles in a gas delivery system are provided herein. In some embodiments, a method of fabricating a gas distribution apparatus, such as a gas distribution plate or nozzle, for a semiconductor process chamber includes providing a gas distribution apparatus having one or more apertures adapted to flow a gas therethrough. A slurry is flowed through the one or more apertures to remove a damaged surface from sidewalls of the plurality of apertures. In some embodiments, the gas distribution apparatus may be oxidized before or after flowing the slurry through the one or more apertures. In some embodiments, the gas distribution apparatus may be conditioned by providing RF power to the gas distribution plate for a desired period of time.

摘要翻译： 本文提供了用于减少气体输送系统中的颗粒的方法和装置。 在一些实施例中，制造用于半导体处理室的气体分配装置（例如气体分配板或喷嘴）的方法包括提供具有适于使气体流过其中的一个或多个孔的气体分配装置。 浆料流过一个或多个孔以从多个孔的侧壁去除受损表面。 在一些实施例中，气体分配装置可以在使浆料流过一个或多个孔之前或之后被氧化。 在一些实施例中，可以通过在气体分布板上提供RF功率达到期望的时间段来调节气体分配设备。

公开(公告)号：US20100129670A1

公开(公告)日：2010-05-27

申请号：US12590200

申请日：2009-11-03

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Kenneth S. Collins

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： B32B18/00 ,  B32B17/06 ,  B32B9/04 ,  B05D3/02 ,  C04B35/50 ,  C04B35/553

CPC分类号： C04B41/86 ,  C03C8/00 ,  C03C2214/20 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5023 ,  H01J37/32477 ,  C04B41/4539 ,  C04B41/5055 ,  C04B35/10 ,  C04B35/00 ,  C04B35/14 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/581

摘要： Embodiments of the invention relate to compositions of metal oxyfluoride-comprising glazes or metal fluoride-comprising glazes, glass ceramics, and combinations thereof which are useful as plasma-resistant solid substrates or plasma resistant protective coatings over other substrates. Also described are methods of fabricating various structures which incorporate such compositions, including solid substrates and coatings over the surface of a substrate which has a melting point which is higher than about 1600° C., such as aluminum oxide, aluminum nitride, quartz, silicon carbide, silicon nitride.

摘要翻译： 本发明的实施方案涉及可用作等离子体固体基质或耐等离子体保护涂层超过其它基底的包含氟化of的釉料或含金属氟化物的釉料，玻璃陶瓷及其组合的组合物。 还描述了制造包含这样的组合物的各种结构的方法，其包括在熔点高于约1600℃的基底表面上的固体基质和涂层，例如氧化铝，氮化铝，石英，硅 碳化物，氮化硅。

公开(公告)号：US20090162647A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12004907

申请日：2007-12-21

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins ,  Thomas Graves ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins ,  Thomas Graves ,  Ren-Guan Duan ,  Senh Thach

IPC分类号： B32B15/04 ,  B05D3/00

CPC分类号： C23C16/4404 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477

摘要： An article which is resistant to corrosion or erosion by chemically active plasmas and a method of making the article are described. The article is comprised of a metal or metal alloy substrate having on its surface a coating which is an oxide of the metal or metal alloy. The structure of the oxide coating is columnar in nature. The grain size of the crystals which make up the oxide is larger at the surface of the oxide coating than at the interface between the oxide coating and the metal or metal alloy substrate, and wherein the oxide coating is in compression at the interface between the oxide coating and the metal or metal alloy substrate. Typically the metal is selected from the group consisting of yttrium, neodymium, samarium, terbium, dysprosium, erbium, ytterbium, scandium, hafnium, niobium or combinations thereof.

摘要翻译： 描述了耐化学活性等离子体腐蚀或侵蚀的制品以及制造该制品的方法。 该制品由金属或金属合金基材组成，其表面上具有金属或金属合金的氧化物的涂层。 氧化物涂层的结构本质上是柱状的。 构成氧化物的晶体的晶粒尺寸在氧化物涂层的表面比在氧化物涂层和金属或金属合金基底之间的界面处的晶粒尺寸大，并且其中氧化物涂层在氧化物之间的界面处被压缩 涂层和金属或金属合金基材。 通常，金属选自钇，钕，钐，铽，镝，铒，镱，钪，铪，铌或其组合。

公开(公告)号：US20090056745A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US11845620

申请日：2007-08-27

申请人： JENNIFER Y. SUN ,  Senh Thach ,  Xi Zhu ,  Li Xu ,  Anisul Khan

发明人： JENNIFER Y. SUN ,  Senh Thach ,  Xi Zhu ,  Li Xu ,  Anisul Khan

IPC分类号： C23G1/02

CPC分类号： C23C16/4407 ,  C11D7/08 ,  C11D7/10 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0064

摘要： A cleaning process for recovering an anodized aluminum part is particularly useful when the part has been exposed to a fluorine-containing plasma in etch reactor. The part is bathed in an agitated solution of a fluoride acid, such as ammonium fluoride, which converts aluminum fluoride to a soluble fluoride. The part is rinsed in water. The pores of the cleaned anodization may be resealed by a submerging the part in hot agitated deionized water.

摘要翻译： 当在蚀刻反应器中暴露于含氟等离子体时，用于回收阳极氧化铝部件的清洁方法是特别有用的。 将该部分浸渍在氟化物酸如氟化铵的搅拌溶液中，其将氟化铝转化为可溶性氟化物。 该部件在水中冲洗。 清洁的阳极氧化的孔可以通过将部件浸没在热的搅拌去离子水中来重新密封。

公开(公告)号：US20090025751A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12284540

申请日：2008-09-22

申请人： Xikun Wang ,  Li Xu ,  Jennifer Y. Sun

发明人： Xikun Wang ,  Li Xu ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： B08B3/08 ,  B08B3/12

CPC分类号： C30B35/00 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C14/00 ,  C23C16/4404 ,  C23C28/042 ,  Y10S134/902 ,  Y10T428/26

摘要： Disclosed herein is a cleaning method useful in removing contaminants from a surface of a coating which comprises an oxide or fluoride of a Group III B metal. Typically the coating overlies an aluminum substrate which is present as part of a semiconductor processing apparatus. The coating typically comprises an oxide or a fluoride of Y, Sc, La, Ce, Eu, Dy, or the like, or yttrium-aluminum-garnet (YAG). The coating may further comprise about 20 volume % or less of Al2O3.

摘要翻译： 本文公开了一种可用于从包含IIIBB族金属的氧化物或氟化物的涂层表面除去污染物的清洁方法。 通常，涂层覆盖作为半导体处理装置的一部分存在的铝基板。 涂层通常包含Y，Sc，La，Ce，Eu，Dy等的氧化物或氟化物，或钇 - 铝 - 石榴石（YAG）。 涂层可以进一步包含约20体积％或更少的Al 2 O 3。

公开(公告)号：US20080264565A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US11796211

申请日：2007-04-27

申请人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

发明人： Jennifer Y. Sun ,  Ren-Guan Duan ,  Jie Yuan ,  Li Xu ,  Kenneth S. Collins

IPC分类号： C04B35/48 ,  C23C16/22 ,  H01L21/3065

CPC分类号： C23C16/4404 ,  C04B35/111 ,  C04B35/505 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/5346 ,  C04B41/87 ,  C04B41/91 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9692 ,  H01J37/32467 ,  C04B41/4527 ,  C04B41/5031 ,  C04B41/5042 ,  C04B35/10 ,  C04B35/14 ,  C04B35/581

摘要： A ceramic article which is resistant to erosion by halogen-containing plasmas used in semiconductor processing. The ceramic article includes ceramic which is multi-phased, typically including two phase to three phases. The ceramic is formed from yttrium oxide at a molar concentration ranging from about 50 mole % to about 75 mole %; zirconium oxide at a molar concentration ranging from about 10 mole % to about 30 mole %; and at least one other component, selected from the group consisting of aluminum oxide, hafnium oxide, scandium oxide, neodymium oxide, niobium oxide, samarium oxide, ytterbium oxide, erbium oxide, cerium oxide, and combinations thereof, at a molar concentration ranging from about 10 mole % to about 30 mole %.

摘要翻译： 一种耐半导体加工中含卤素等离子体侵蚀的陶瓷制品。 陶瓷制品包括多相陶瓷，通常包括两相至三相。 陶瓷由摩尔浓度范围为约50摩尔％至约75摩尔％的氧化钇形成; 摩尔浓度范围为约10摩尔％至约30摩尔％的氧化锆; 和选自氧化铝，氧化铪，氧化钪，氧化钕，氧化铌，氧化钐，氧化镱，氧化铒，氧化铈及其组合中的至少一种其它组分，摩尔浓度范围为 约10摩尔％至约30摩尔％。

公开(公告)号：US20080179181A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11733984

申请日：2007-04-11

申请人： KENNETH S. COLLINS ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

发明人： KENNETH S. COLLINS ,  Hiroji Hanawa ,  Kartik Ramaswamy ,  Douglas A. Buchberger ,  Shahid Rauf ,  Kallol Bera ,  Lawrence Wong ,  Walter R. Merry ,  Matthew L. Miller ,  Steven C. Shannon ,  Andrew Nguyen ,  James P. Cruse ,  James Carducci ,  Troy S. Detrick ,  Subhash Deshmukh ,  Jennifer Y. Sun

IPC分类号： H05H1/00

CPC分类号： H01J37/32174 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165

摘要： A method for processing a workpiece in a plasma reactor chamber includes coupling RF power at a first VHF frequency f1 to a plasma via one of the electrodes of the chamber, and providing a center ground return path for RF current passing directly between the ceiling electrode and the workpiece support electrode for the frequency f1. The method further includes providing a variable height edge ground annular element and providing a ground return path through the edge ground annular element for the frequency f1. The method controls the uniformity of plasma ion density distribution by controlling the distance between the variable height edge ground annular element and one of: (a) height of ceiling electrode or (b) height of workpiece support electrode.

摘要翻译： 用于在等离子体反应器室中处理工件的方法包括通过室的电极之一将RFF功率以第一VHF频率f 1耦合到等离子体，并且提供用于RF电流的中心接地返回路径，其直接通过天花板电极 工件支撑电极为频率f 1。 该方法还包括提供可变高度边缘接地环形元件，并为频率f 1提供通过边缘接地环形元件的接地返回路径。 该方法通过控制可变高度边缘接地环形元件之间的距离和（a）天花板电极的高度或（b）工件支撑电极的高度来控制等离子体离子密度分布的均匀性。

公开(公告)号：US20080179008A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：US11685772

申请日：2007-03-14

申请人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Ajit Balakrishna ,  David Palagashvili ,  James P. Cruse ,  Jennifer Y. Sun ,  Valentin N. Todorov ,  Shahid Rauf ,  Kartik Ramaswamy ,  Gerhard M. Schneider ,  Imad Yousif ,  Martin Jeffrey Salinas

发明人： Kenneth S. Collins ,  Hiroji Hanawa ,  Andrew Nguyen ,  Ajit Balakrishna ,  David Palagashvili ,  James P. Cruse ,  Jennifer Y. Sun ,  Valentin N. Todorov ,  Shahid Rauf ,  Kartik Ramaswamy ,  Gerhard M. Schneider ,  Imad Yousif ,  Martin Jeffrey Salinas

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/68764 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32366 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68728

摘要： A reactor is provided for removing polymer from a backside of a workpiece. The reactor includes a vacuum chamber having a ceiling, a floor and a cylindrical side wall. A workpiece support apparatus within the chamber is configured to support a workpiece thereon, so that the workpiece has its front side facing the ceiling. The support apparatus leaves at least an annular periphery of the backside of the workpiece exposed. A confinement member defines a narrow gap with the outer edge of the workpiece, the narrow gap being on the order of about 1% of workpiece diameter, the narrow gap corresponding to a boundary dividing the chamber between an upper process zone and a lower process zone. A vacuum pump is coupled to the lower process zone. A lower external plasma-generating chamber introduces a plasma by-product into the lower process zone and a supply of a polymer etch precursor gas coupled to the lower external plasma-generating chamber. An upper external plasma-generating chamber is coupled to introduce a plasma by-product into the upper process zone and a supply of a scavenger species precursor gas coupled to the upper external plasma-generating chamber.

摘要翻译： 提供反应器用于从工件的背面去除聚合物。 反应器包括具有天花板，地板和圆柱形侧壁的真空室。 室内的工件支撑装置构造成在其上支撑工件，使得工件的前侧面向天花板。 支撑装置离开被暴露的工件的背面的至少一个环形周边。 约束构件与工件的外边缘限定窄间隙，窄间隙约为工件直径的约1％，窄间隙对应于在上加工区和下加工区之间划分腔室的边界 。 真空泵联接到下部处理区。 较低的外部等离子体发生室将等离子体副产物引入下部工艺区域中，并且提供耦合到下部外部等离子体产生室的聚合物蚀刻前体气体。 耦合上部外部等离子体产生室以将等离子体副产物引入上部工艺区域中，并且供应与上部外部等离子体产生室耦合的清除剂物质前体气体。

公开(公告)号：US06508911B1

公开(公告)日：2003-01-21

申请号：US09375243

申请日：1999-08-16

申请人： Nianci Han ,  Hong Shih ,  Jennifer Y. Sun ,  Li Xu

发明人： Nianci Han ,  Hong Shih ,  Jennifer Y. Sun ,  Li Xu

IPC分类号： H05H100

CPC分类号： H01J37/32467 ,  C23C16/27 ,  H01J37/32477

摘要： A diamond coating formed on a bulk member used in a plasma processing chamber for processing a substrate such as a semiconductor wafer. The coating is particularly useful in a plasma etching chamber using a chlorine-based chemistry to etch metal. One class of such parts includes a dielectric chamber wall, in particular, a chamber wall through which RF or microwave energy is coupled into the chamber to support the plasma. For example, an RF inductive coil is positioned outside the chamber wall and inductively couples energy into the chamber. Exemplary substrates for the diamond coating include alumina, silicon nitride, silicon carbide, polysilicon, and a SiC/Si composite. Amorphous carbon may be substituted for diamond.

摘要翻译： 在用于处理诸如半导体晶片的基板的等离子体处理室中的主体部件上形成的金刚石涂层。 该涂层在使用氯基化学蚀刻金属的等离子体蚀刻室中特别有用。 一类这样的部件包括电介质室壁，特别是室壁，RF或微波能量通过室壁耦合到室中以支撑等离子体。 例如，RF感应线圈定位在室壁外部并且将能量感应地耦合到腔室中。 用于金刚石涂层的示例性基底包括氧化铝，氮化硅，碳化硅，多晶硅和SiC / Si复合材料。 无定形碳可以代替金刚石。