公开(公告)号：US20140272194A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14291818

申请日：2014-05-30

申请人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Bing Han ,  Mark Leonard O'Neill ,  Ronald Martin Pearlstein ,  Richard Ho ,  Haripin Chandra ,  Agnes Derecskei-Kovacs

发明人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Bing Han ,  Mark Leonard O'Neill ,  Ronald Martin Pearlstein ,  Richard Ho ,  Haripin Chandra ,  Agnes Derecskei-Kovacs

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/30

CPC分类号： C23C16/24 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C23C16/308 ,  C23C16/32 ,  C23C16/345 ,  C23C16/347 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228

摘要： Described herein are organoaminosilane precursors which can be used to deposit silicon containing films which contain silicon and methods for making these precursors. Also disclosed herein are deposition methods for making silicon-containing films or silicon containing films using the organoaminosilane precursors described herein. Also disclosed herein are the vessels that comprise the organoaminosilane precursors or a composition thereof that can be used, for example, to deliver the precursor to a reactor in order to deposit a silicon-containing film.

摘要翻译： 本文描述了可用于沉积含有硅的含硅膜的有机氨基硅烷前体和用于制备这些前体的方法。 本文还公开了使用本文所述的有机氨基硅烷前体制备含硅膜或含硅膜的沉积方法。 还公开了包含有机氨基硅烷前体或其组合物的容器，其可以用于例如将前体输送到反应器以沉积含硅膜。

公开(公告)号：US08828505B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13405453

申请日：2012-02-27

申请人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney ,  Eugene Joseph Karwacki, Jr.

发明人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney ,  Eugene Joseph Karwacki, Jr.

IPC分类号： C23C16/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： The present invention is a process of plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition of silicon nitride, silicon carbonitride, silicon oxynitride, silicon carboxynitride, and carbon doped silicon oxide from alkylaminosilanes having Si—H3, preferably of the formula (R1R2N)SiH3 wherein R1 and R2 are selected independently from C2 to C10 and a nitrogen or oxygen source, preferably ammonia or oxygen has been developed to provide films with improved properties such as etching rate, hydrogen concentrations, and stress as compared to films from thermal chemical vapor deposition.

摘要翻译： 本发明是由具有Si-H3（优选为式（R1R2N）SiH3）的烷基氨基硅烷，氮化硅，碳氮化硅，氮氧化硅，氮氧化硅，碳掺杂的氧化硅等离子体增强的循环化学气相沉积的方法，其中R1和R2 独立于C2至C10选择氮和氧源，优选为氨或氧，以提供与热化学气相沉积的膜相比具有改进性能的蚀刻速率，氢浓度和应力的膜。

公开(公告)号：US20130210217A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13572973

申请日：2012-08-13

申请人： Manchao Xiao ,  Iain Buchanan ,  Xinjian Lei

发明人： Manchao Xiao ,  Iain Buchanan ,  Xinjian Lei

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144

摘要： The present invention is a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy (GST) or germanium-bismuth-tellurium (GBT) film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony precursor is used as a source of antimony for the alloy film. The invention is also related to making antimony alloy with other elements using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silylantimony or silylbismuth precursor is used as a source of antimony or bismuth.

摘要翻译： 本发明是使用选自原子层沉积和化学气相沉积的方法制造锗 - 锑 - 碲合金（GST）或锗 - 铋 - 碲（GBT）膜的方法，其中甲硅烷基锑前体是 用作合金膜的锑源。 本发明还涉及使用选自原子层沉积和化学气相沉积的方法制备其它元素的锑合金，其中使用甲硅烷基锑或甲硅烷基铋前体作为锑或铋的来源。

公开(公告)号：US20130066082A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13418747

申请日：2012-03-13

申请人： John Anthony Thomas Norman ,  Xinjian Lei

发明人： John Anthony Thomas Norman ,  Xinjian Lei

IPC分类号： C07F7/28 ,  C23C16/448 ,  C23C16/44

CPC分类号： C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553

摘要： Organometallic compounds suitable for use as vapor phase deposition precursors for metal-containing films are provided. Methods of depositing metal-containing films using certain organometallic precursors are also provided. Such metal-containing films are particularly useful in the manufacture of electronic devices.

公开(公告)号：US08313807B2

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：US12535192

申请日：2009-08-04

申请人： John Anthony Thomas Norman ,  Xinjian Lei

发明人： John Anthony Thomas Norman ,  Xinjian Lei

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07C257/00 ,  C09B67/00

CPC分类号： C07C211/14 ,  C07C217/40 ,  C07C225/06 ,  C23C16/18

摘要： The present invention is directed to high coordination sphere Group 2 metal β-diketiminate compositions, such as bis(N-(2,2-methoxyethyl)-4-(2,2-methoxyethylimino)-2-penten-2-aminato) barium; and the deposition of the metals of such metal ligand compositions by chemical vapor deposition, pulsed chemical vapor deposition, molecular layer deposition or atomic layer deposition to produce Group 2 metal containing films, such as barium strontium titanate films or strontium titanate films or barium doped lanthanate as high k materials for electronic device manufacturing.

摘要翻译： 本发明涉及高配位球2族金属和二铬酸盐组合物，例如双（N-（2,2-甲氧基乙基）-4-（2,2-甲氧基乙基亚氨基）-2-戊烯-2-氨基） 钡; 以及通过化学气相沉积，脉冲化学气相沉积，分子层沉积或原子层沉积沉积这种金属配体组合物的金属，以产生第二族金属含有膜，例如钛酸钡锶膜或钛酸锶薄膜或掺杂钡的镧系元素 作为电子设备制造的高k材料。

公开(公告)号：US20120171874A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13405453

申请日：2012-02-27

申请人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney ,  Eugene Joseph Karwacki, JR.

发明人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney ,  Eugene Joseph Karwacki, JR.

IPC分类号： H01L21/314

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

摘要： The present invention is a process of plasma enhanced cyclic chemical vapor deposition of silicon nitride, silicon carbonitride, silicon oxynitride, silicon carboxynitride, and carbon doped silicon oxide from alkylaminosilanes having Si—H3, preferably of the formula (R1R2N)SiH3 wherein R1 and R2 are selected independently from C2 to C10 and a nitrogen or oxygen source, preferably ammonia or oxygen has been developed to provide films with improved properties such as etching rate, hydrogen concentrations, and stress as compared to films from thermal chemical vapor deposition.

摘要翻译： 本发明是由具有Si-H3（优选为式（R1R2N）SiH3）的烷基氨基硅烷，氮化硅，碳氮化硅，氮氧化硅，氮氧化硅，碳掺杂的氧化硅等离子体增强的循环化学气相沉积的方法，其中R1和R2 独立于C2至C10选择氮和氧源，优选为氨或氧，以提供与热化学气相沉积的膜相比具有改进性能的蚀刻速率，氢浓度和应力的膜。

公开(公告)号：US20120171378A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13156501

申请日：2011-06-09

申请人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

发明人： Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Liu Yang

IPC分类号： C23C16/30 ,  B05D3/10

CPC分类号： C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： This invention discloses the synthesis of metal chalcogenides using chemical vapor deposition (CVD) process, atomic layer deposition (ALD) process, or wet solution process. Ligand exchange reactions of organosilyltellurium or organosilylselenium with a series of metal compounds having neucleophilic substituents generate metal chalcogenides. This chemistry is used to deposit germanium-antimony-tellurium (GeSbTe) and germanium-antimony-selenium (GeSbSe) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

摘要翻译： 本发明公开了使用化学气相沉积（CVD）工艺，原子层沉积（ALD）工艺或湿法工艺的金属硫族化合物的合成。 有机甲硅烷基碲或有机甲硅烷基硒与一系列具有亲核取代基的金属化合物的配体交换反应产生金属硫族化物。 该化学物质用于沉积锗 - 锑碲（GeSbTe）和锗 - 锑 - 硒（GeSbSe）膜或其他碲和硒基金属化合物用于相变记忆和光伏器件。

公开(公告)号：US08193027B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US13023145

申请日：2011-02-08

申请人： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Iain Buchanan

发明人： Manchao Xiao ,  Liu Yang ,  Xinjian Lei ,  Iain Buchanan

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/06 ,  H01L21/44 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/06 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0322 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  Y02E10/541

摘要： Described herein is a method and liquid-based precursor composition for depositing a multicomponent film. In one embodiment, the method and compositions described herein are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices.

摘要翻译： 本文描述了一种用于沉积多组分膜的方法和基于液体的前体组合物。 在一个实施方案中，本文所述的方法和组合物用于沉积锗碲（GeTe），锑碲（SbTe），锑锗（SbGe），锗锑碲（GST），铟锑碲（IST），银铟锑碲 （AIST），碲化镉（CdTe），硒化镉（CdSe），碲化锌（ZnTe），硒化锌（ZnSe），铜铟镓硒（CIGS）膜或其他用于相变记忆和光伏的碲和硒基金属化合物 设备。

公开(公告)号：US07875312B2

公开(公告)日：2011-01-25

申请号：US11439554

申请日：2006-05-23

申请人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney

发明人： Hareesh Thridandam ,  Manchao Xiao ,  Xinjian Lei ,  Thomas Richard Gaffney

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/31608 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31633

摘要： The present invention is directed to a method for depositing a silicon oxide layer on a substrate by CVD. The reaction of an organoaminosilane precursor where the alkyl group has at least two carbon atoms in the presence of an oxidizing agent allows for the formation of a silicon oxide film. The organoaminosilanes are represented by the formulas: The use of diisopropylaminosilane is the preferred precursor for the formation of the silicon oxide film.

摘要翻译： 本发明涉及通过CVD在衬底上沉积氧化硅层的方法。 在氧化剂存在下，烷基具有至少两个碳原子的有机氨基硅烷前体的反应允许形成氧化硅膜。 有机基氨基硅烷由下式表示：使用二异丙基氨基硅烷是形成氧化硅膜的优选前体。

公开(公告)号：US20080143002A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US11939109

申请日：2007-11-13

申请人： Thomas Andrew Steidl ,  Charles Michael Birtcher ,  Xinjian Lei

发明人： Thomas Andrew Steidl ,  Charles Michael Birtcher ,  Xinjian Lei

IPC分类号： B01F3/04

CPC分类号： C23C16/4482 ,  C23C16/448

摘要： The present invention is a bubbler having a diptube inlet ending in a bubble size reducing outlet and at least one baffle disc positioned between the outlet of the diptube and the outlet of the bubbler to provide a narrow annular space between the baffle disc and the wall of the bubbler to prevent liquid droplets from entering the outlet to the bubbler. The bubble size reducing outlet is an elongated cylindrical porous metal frit situated in a sump of approximately the same dimensions. A metal frit is placed at the inlet of the outlet of the bubbler. The present invention is also a process of delivering a chemical precursor from a bubbler vessel having the above structure.

摘要翻译： 本发明是一种起泡器，其具有终止于气泡尺寸减小出口的二通孔入口和至少一个位于汲取管的出口和起泡器的出口之间的挡板，以在挡板和壁之间提供窄的环形空间 起泡器以防止液滴进入出口到起泡器。 气泡尺寸减小出口是位于大致相同尺寸的贮槽中的细长圆柱形多孔金属玻璃料。 金属玻璃料放置在起泡器出口的入口处。 本发明也是从具有上述结构的起泡容器输送化学前体的方法。