公开(公告)号：US20090166666A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：US12314730

申请日：2008-12-16

申请人： Chiu-Lin Yao ,  Min-Hsun Hsieh ,  Tzer-Perng Chen

发明人： Chiu-Lin Yao ,  Min-Hsun Hsieh ,  Tzer-Perng Chen

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An exemplary semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a semiconductor stacked layer and a conductive structure. The conductive structure is located on the semiconductor stacked layer. The conductive structure includes a bottom portion and a top portion on opposite sides thereof. The bottom portion is in contact with the semiconductor stacked layer. A ratio of a top width of the top portion to a bottom width of the bottom portion is less than 0.7. The conductive structure can be a conductive dot structure or a conductive line structure.

摘要翻译： 提供了示例性的半导体器件。 半导体器件包括半导体堆叠层和导电结构。 导电结构位于半导体堆叠层上。 导电结构包括底部和在其相对侧上的顶部。 底部与半导体堆叠层接触。 顶部的顶部宽度与底部的底部宽度之比小于0.7。 导电结构可以是导电点结构或导线结构。

公开(公告)号：US20090140280A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12292593

申请日：2008-11-21

申请人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

发明人： Chien-Fu Shen ,  Cheng-Ta Kuo ,  Wei-Shou Chen ,  Tsung-Hsien Liu ,  Yi-Wen Ku ,  Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L24/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

摘要： A light-emitting device comprises a substrate, an epitaxial structure formed on the substrate including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a light-emitting layer formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A trench is formed in the epitaxial structure to expose a part of side surface of the epitaxial structure and a part of surface of the first semiconductor layer, so that a first conductive structure is formed on the part of surface of the first semiconductor layer in the trench, and a second conductive structure is formed on the second semiconductor layer. The first conductive structure includes a first electrode and a first pad electrically contacted with each other. The second conductive structure includes a second electrode and a second pad electrically contacted with each other. Furthermore, the area of at least one of the first pad and the second pad is between 1.5×104 μm and 6.2×104 μm.

摘要翻译： 发光器件包括衬底，形成在衬底上的外延结构，包括第一半导体层，第二半导体层和形成在第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。 在外延结构中形成沟槽以暴露外延结构的侧面的一部分和第一半导体层的表面的一部分，使得第一导电结构形成在第一半导体层的表面的一部分中 沟槽，并且在第二半导体层上形成第二导电结构。 第一导电结构包括彼此电接触的第一电极和第一焊盘。 第二导电结构包括彼此电接触的第二电极和第二焊盘。 此外，第一垫和第二垫中的至少一个的面积在1.5×10 4 mum到6.2×10 4 m之间。

公开(公告)号：US20090045435A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US12222548

申请日：2008-08-12

申请人： Chiu-Lin Yao ,  Ta-Cheng Hsu ,  Min-Hsun Hsieh

发明人： Chiu-Lin Yao ,  Ta-Cheng Hsu ,  Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L2933/0091

摘要： A stamp having a nanoscale structure and a manufacturing method thereof are disclosed. The stamp includes a substrate, a buffer layer, and a nanoscale stamp layer. The method comprises forming a buffer layer on the substrate, and forming a stamp layer having a nanoscale structure on the buffer layer.

摘要翻译： 公开了具有纳米级结构的印模及其制造方法。 印模包括基板，缓冲层和纳米尺度印模层。 该方法包括在衬底上形成缓冲层，并在缓冲层上形成具有纳米尺度结构的印模层。

公开(公告)号：US07489068B2

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：US11326750

申请日：2006-01-06

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Ta-Cheng Hsu ,  Wei-Chih Peng ,  Ya-Ju Lee

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Ta-Cheng Hsu ,  Wei-Chih Peng ,  Ya-Ju Lee

IPC分类号： H01J5/16

CPC分类号： H01L33/22

摘要： A light emitting device having a transparent substrate, a light emitting stack, and a transparent adhesive layer is provided. The light emitting stack is disposed above the transparent substrate and comprises a diffusing surface. The transparent adhesive layer is disposed between the transparent substrate and the diffusing surface of the light emitting stack; an index of refraction of the light emitting stack is different from that of the transparent adhesive layer.

摘要翻译： 提供了具有透明基板，发光叠层和透明粘合剂层的发光器件。 发光堆叠设置在透明基板的上方并且包括漫射面。 透明粘合剂层设置在透明基板和发光叠层的漫射面之间; 发光层的折射率与透明粘合剂层的折射率不同。

公开(公告)号：US20090021926A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12219084

申请日：2008-07-16

申请人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chih-Chiang Lu

发明人： Chien-Yuan Wang ,  Min-Hsun Hsieh ,  Chih-Chiang Lu

IPC分类号： F21V9/16 ,  G02F1/35

CPC分类号： G02F1/353 ,  F21K9/64 ,  F21V9/30 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An embodiment of the invention discloses a wavelength converting system capable of emitting a second electromagnetic radiation having a second wavelength in response to a first electromagnetic radiation having a first wavelength, wherein an energy level of the first electromagnetic radiation is higher than that of the second electromagnetic level, and a positive correlation is between the first wavelength and the second wavelength.

摘要翻译： 本发明的实施例公开了一种波长转换系统，其能够响应于具有第一波长的第一电磁辐射发射具有第二波长的第二电磁辐射，其中第一电磁辐射的能级高于第二电磁辐射的能级 在第一波长和第二波长之间呈正相关。

公开(公告)号：US20080315236A1

公开(公告)日：2008-12-25

申请号：US12230203

申请日：2008-08-26

申请人： Chih-Chiang Lu ,  Wei-Chih Peng ,  Shiau-Huei San ,  Min-Hsun Hsieh

发明人： Chih-Chiang Lu ,  Wei-Chih Peng ,  Shiau-Huei San ,  Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/387 ,  H01L33/40 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60

摘要： An embodiment of the invention discloses an optoelectronic semiconductor device comprising a semiconductor system capable of performing a conversion between light energy and electrical energy; an interfacial layer formed on at least two surfaces of the semiconductor system; an electrical conductor; and an electrical connector electrically connecting the semiconductor system to the electric conductor.

摘要翻译： 本发明的实施例公开了一种光电子半导体器件，其包括能够执行光能和电能之间的转换的半导体系统; 形成在所述半导体系统的至少两个表面上的界面层; 电导体 以及将半导体系统电连接到电导体的电连接器。

公开(公告)号：US20080308832A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US12213129

申请日：2008-06-16

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Chiu-Lin Yao

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Chiu-Lin Yao

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/44

摘要： A light-emitting device comprises a semiconductor light-emitting stack; and an optical field tuning layer formed on the semiconductor light-emitting stack to change beam angles of the light-emitting device.

摘要翻译： 发光装置包括半导体发光叠层; 以及形成在半导体发光叠层上的光场调谐层，以改变发光器件的光束角度。

公开(公告)号：US20060081857A1

公开(公告)日：2006-04-20

申请号：US11222922

申请日：2005-09-08

申请人： Steve Hong ,  Jen-Shui Wang ,  Tzu-Feng Tseng ,  Ching-San Tao ,  Wen-Huang Liu ,  Min-Hsun Hsieh

发明人： Steve Hong ,  Jen-Shui Wang ,  Tzu-Feng Tseng ,  Ching-San Tao ,  Wen-Huang Liu ,  Min-Hsun Hsieh

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L27/15 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48145 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/06825

摘要： A light emitting device having a circuit protection unit is provided. The circuit protection unit has a low-resistance layer and a potential barrier layer, wherein a barrier potential exists at the interface between the low-resistance layer and the potential barrier layer. The circuit protection unit is electrically connected with the light emitting device. When an electrostatic discharge or excessive forward current is occurred in the light emitting device, the circuit protection unit provides a rectifying function for preventing damages caused by static electricity or excessive forward current to the light emitting device.

摘要翻译： 提供具有电路保护单元的发光装置。 电路保护单元具有低电阻层和势垒层，其中势垒电位存在于低电阻层和势垒层之间的界面处。 电路保护单元与发光装置电连接。 当在发光装置中发生静电放电或过大的正向电流时，电路保护单元提供整流功能，用于防止由静电引起的损坏或向发光器件产生过大的正向电流。

公开(公告)号：US07009217B2

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：US10904176

申请日：2004-10-27

申请人： Wen-Huang Liu ,  Tzu-Feng Tseng ,  Min-Hsun Hsieh ,  Ting-Wei Yeh ,  Jen-Shui Wang

发明人： Wen-Huang Liu ,  Tzu-Feng Tseng ,  Min-Hsun Hsieh ,  Ting-Wei Yeh ,  Jen-Shui Wang

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L31/12

CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

摘要： A light emitting diode having an adhesive layer and a reflective layer and a manufacturing method thereof featured by adhering together a light emitting diode stack and a substrate having a reflective metal layer by use of a transparent adhesive layer so that the light rays directed to the reflective metal layer can be reflected therefrom to improve the brightness of the light emitting diode.

公开(公告)号：US20060006402A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US11160773

申请日：2005-07-08

申请人： Min-Hsun Hsieh ,  Ching-San Tao ,  Tzu-Feng Tseng ,  Jr-Peng Ni

发明人： Min-Hsun Hsieh ,  Ching-San Tao ,  Tzu-Feng Tseng ,  Jr-Peng Ni

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/46

摘要： The present invention is related to a light emitting diode of an omnidirectional reflector providing with a transparent conductive layer. In the present invention, a cohesion layer is formed between a transparent layer and a metal reflection layer to improve the cohesive force therebetween and increase the reflectivity of the light emitting diode, so as the present invention can enhance the light-emitting efficiency of the light emitting diode.

摘要翻译： 本发明涉及提供透明导电层的全向反射器的发光二极管。 在本发明中，在透明层和金属反射层之间形成内聚层，以提高它们之间的凝聚力并增加发光二极管的反射率，因此本发明可以提高光的发光效率 发光二极管。