公开(公告)号：US08203071B2

公开(公告)日：2012-06-19

申请号：US12178289

申请日：2008-07-23

申请人： Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Soo Young Choi ,  Tae Kyung Won ,  Liwei Li

发明人： Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Soo Young Choi ,  Tae Kyung Won ,  Liwei Li

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L31/1824 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to solar cells and methods and apparatuses for forming the same. More particularly, embodiments of the present invention relate to thin film multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same. Embodiments of the present invention also include an improved thin film silicon solar cell, and methods and apparatus for forming the same, where one or more of the layers in the solar cell comprises at least one amorphous silicon layer that has improved electrical characteristics and mechanical properties, and is capable of being deposited at rates many times faster than conventional amorphous silicon deposition processes.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及太阳能电池及其形成方法和装置。 更具体地，本发明的实施例涉及薄膜多结太阳能电池及其形成方法和装置。 本发明的实施例还包括改进的薄膜硅太阳能电池及其形成方法和装置，其中太阳能电池中的一个或多个层包括至少一个具有改善的电特性和机械性能的非晶硅层 ，并且能够以比常规非晶硅沉积工艺快许多倍的速率沉积。

公开(公告)号：US20080289687A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US11752823

申请日：2007-05-23

申请人： TAE KYUNG WON ,  Soo Young Choi ,  Yong Kee Chae ,  Liwei Li ,  Shuran Sheng

发明人： TAE KYUNG WON ,  Soo Young Choi ,  Yong Kee Chae ,  Liwei Li ,  Shuran Sheng

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L31/04 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  Y10S438/94

摘要： Methods and apparatus for reducing defects on transmitting conducting oxide (TCO) layer are provided. The method includes a method of laser scribing a TCO layer for solar cell applications. In one embodiment, a method for depositing a silicon layer on a transmitting conducting oxide (TCO) layer may include laser scribing a cell-integrated region of a TCO layer disposed on a substrate for solar applications, the TCO layer having a laser scribing free periphery region outward of the cell-integrated region, the periphery region having a width between about 10 mm and about 30 mm measured from an edge of the substrate, transferring the scribed substrate into a deposition chamber, and depositing a silicon containing layer on the TCO layer in the deposition chamber.

摘要翻译： 提供了减少传导导电氧化物（TCO）层缺陷的方法和装置。 该方法包括激光划片用于太阳能电池应用的TCO层的方法。 在一个实施例中，用于在透射导电氧化物（TCO）层上沉积硅层的方法可以包括激光刻划设置在用于太阳能应用的衬底上的TCO层的电池集成区域，TCO层具有激光划线自由周边 所述外围区域具有从所述基板的边缘测量的约10mm至约30mm之间的宽度，将所述划线基板转印到沉积室中，并且在所述TCO层上沉积含硅层 在沉积室中。

公开(公告)号：US09243328B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US12407766

申请日：2009-03-19

申请人： Gaku Furuta ,  David Atchley ,  Soo Young Choi ,  John M. White

发明人： Gaku Furuta ,  David Atchley ,  Soo Young Choi ,  John M. White

IPC分类号： B01J19/08 ,  C23C16/458

CPC分类号： C23C16/4581

摘要： The present invention generally provides apparatus for supporting a large area substrate in a plasma reactor. One embodiment, a substrate support for using in a plasma reactor includes an electrically conductive body has a top surface with a plurality of roll-formed indents.

摘要翻译： 本发明通常提供用于在等离子体反应器中支撑大面积基板的装置。 一个实施例中，用于在等离子体反应器中使用的衬底支撑件包括导电体，其具有具有多个辊形凹口的顶表面。

公开(公告)号：US20100089319A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12576991

申请日：2009-10-09

申请人： Carl A. Sorensen ,  John M. White ,  Jozef Kudela ,  Jonghoon Baek ,  Jriyan Jerry Chen ,  Steve McPherson ,  Soo Young Choi ,  Robin L. Tiner

发明人： Carl A. Sorensen ,  John M. White ,  Jozef Kudela ,  Jonghoon Baek ,  Jriyan Jerry Chen ,  Steve McPherson ,  Soo Young Choi ,  Robin L. Tiner

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/4585 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174

摘要： A method and apparatus having a RF return path with low impedance coupling a substrate support to a chamber wall in a plasma processing system is provided. In one embodiment, a processing chamber includes a chamber body having a chamber sidewall, a bottom and a lid assembly supported by the chamber sidewall defining a processing region, a substrate support disposed in the processing region of the chamber body, a shadow frame disposed on an edge of the substrate support assembly, and a RF return path having a first end coupled to the shadow frame and a second end coupled to the chamber sidewall.

摘要翻译： 提供了一种具有低阻抗的RF返回路径的方法和装置，其将衬底支撑件耦合到等离子体处理系统中的室壁。 在一个实施例中，处理室包括室主体，其具有室侧壁，底部和盖组件，其由限定加工区域的室侧壁支撑，设置在室主体的处理区域中的基板支撑件， 衬底支撑组件的边缘，以及RF返回路径，其具有耦合到阴影框架的第一端和联接到室侧壁的第二端。

公开(公告)号：US07648892B2

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US12258194

申请日：2008-10-24

申请人： Soo Young Choi ,  Takako Takehara ,  John M. White ,  Yong Kee Chae

发明人： Soo Young Choi ,  Takako Takehara ,  John M. White ,  Yong Kee Chae

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02579 ,  C23C16/24 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for depositing a microcrystalline silicon film layer with improved deposition rate and film quality are provided in the present invention. Also, a photovoltaic (PV) cell having a microcrystalline silicon film is provided. In one embodiment, the method produces a microcrystalline silicon film on a substrate at a deposition rate greater than about 20 nm per minute, wherein the microcrystalline silicon film has a crystallized volume between about 20 percent to about 80 percent.

摘要翻译： 在本发明中提供了具有改进的沉积速率和膜质量的沉积微晶硅膜层的方法。 此外，提供具有微晶硅膜的光伏（PV）电池。 在一个实施例中，该方法以大于约20nm /分钟的沉积速率在衬底上产生微晶硅膜，其中微晶硅膜的结晶体积在约20％至约80％之间。

公开(公告)号：US20090324847A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12583814

申请日：2009-08-25

申请人： Soo Young Choi ,  John M. White

发明人： Soo Young Choi ,  John M. White

IPC分类号： C23C16/50

CPC分类号： C23C16/4401 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/022

摘要： It has been discovered that a parasitic plasma problem which has existed with respect to incoming plasma source gases present in a source gas feed line to a plasma processing chamber can be avoided. The stability of a parasitic plasma is avoided by installing an RF resistor conduit in the source gas feed line and increasing the pressure in the RF resistor conduit through which the plasma source gases flow. Use of a variable surface restrictor in the RF resistor conduit or between the RF resistor conduit and the plasma processing chamber enables not only avoidance of the formation of a parasitic plasma in incoming plasma source gases, but also easier cleaning of the processing chamber plasma generation system when a remotely generated plasma is used for such cleaning.

摘要翻译： 已经发现，可以避免存在于等离子体处理室的源气体供给管线中的入射等离子体源气体存在的寄生等离子体问题。 通过在源气体供给管线中安装RF电阻器管道并且增加等离子体源气体通过其流过的RF电阻器管道中的压力来避免寄生等离子体的稳定性。 在RF电阻器导管中或在RF电阻器导管和等离子体处理室之间使用可变表面限制器不仅能够避免在输入等离子体源气体中形成寄生等离子体，而且可以更容易地清洁处理室等离子体产生系统 当远程产生的等离子体用于这种清洁时。

公开(公告)号：US20090071403A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US12233443

申请日：2008-09-18

申请人： Soo Young Choi ,  Robin L. Tiner ,  John M. White

发明人： Soo Young Choi ,  Robin L. Tiner ,  John M. White

IPC分类号： C23C16/513

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522

摘要： The invention generally relates to a plasma enhanced chemical vapor deposition chamber for depositing amorphous or microcrystalline silicon on a glass substrate to fabricate solar voltaic cells. The chamber includes a backing plate having at least one fluid receiving conduit to receive cooling fluid to remove heat generated within the chamber by the plasma, thereby stabilizing and cooling the backing plate to assure the uniformity of deposition of materials on the surface of the substrate.

摘要翻译： 本发明一般涉及用于在玻璃基板上沉积非晶或微晶硅以制造太阳能电池的等离子体增强化学气相沉积室。 该腔室包括具有至少一个流体接收导管以便接收冷却流体以利用等离子体去除室内产生的热量的背板，从而稳定和冷却背板，以确保材料在衬底表面上的沉积的均匀性。

公开(公告)号：US20070298590A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11426127

申请日：2006-06-23

申请人： Soo Young Choi ,  Takako Takehara ,  John M. White ,  Yong Kee Chae

发明人： Soo Young Choi ,  Takako Takehara ,  John M. White ,  Yong Kee Chae

IPC分类号： H01L31/00 ,  H05H1/24 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02579 ,  C23C16/24 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： Methods for depositing a microcrystalline silicon film layer with improved deposition rate and film quality are provided in the present invention. Also, photovoltaic (PV) cell having a microcrystalline silicon film is provided. In one embodiment, the method produces a microcrystalline silicon film on a substrate at a deposition rate greater than about 20 nm per minute, wherein the microcrystalline silicon film has a crystallized volume between about 20 percent to about 80 percent.

摘要翻译： 在本发明中提供了具有改进的沉积速率和膜质量的沉积微晶硅膜层的方法。 此外，提供具有微晶硅膜的光伏（PV）电池。 在一个实施例中，该方法以大于约20nm /分钟的沉积速率在衬底上产生微晶硅膜，其中微晶硅膜的结晶体积在约20％至约80％之间。

公开(公告)号：US09382621B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US12700484

申请日：2010-02-04

申请人： Soo Young Choi ,  Robin L. Tiner ,  Shinichi Kurita ,  John M. White ,  Carl A. Sorensen ,  Jeffrey A. Kho ,  Suhail Anwar ,  Makoto Inagawa ,  Gaku Furuta

发明人： Soo Young Choi ,  Robin L. Tiner ,  Shinichi Kurita ,  John M. White ,  Carl A. Sorensen ,  Jeffrey A. Kho ,  Suhail Anwar ,  Makoto Inagawa ,  Gaku Furuta

IPC分类号： C23C16/509 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/5096 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/67069

摘要： A method and apparatus for providing an electrically symmetrical ground or return path for electrical current between two electrodes is described. The apparatus includes at least on radio frequency (RF) device coupled to one of the electrodes and between a sidewall and/or a bottom of a processing chamber. The method includes moving one electrode relative to another and realizing a ground return path based on the position of the displaced electrode using one or both of a RF device coupled to a sidewall and the electrode, a RF device coupled to a bottom of the chamber and the electrode, or a combination thereof.

摘要翻译： 描述了一种用于提供用于两个电极之间的电流的电对称接地或返回路径的方法和装置。 该装置至少包括耦合到电极之一和处理室的侧壁和/或底部之间的射频（RF）装置。 该方法包括相对于另一个电极移动一个电极，并且基于使用耦合到侧壁和电极的RF器件中的一个或两个的位移电极实现接地返回路径，耦合到腔室的底部的RF器件和 电极或其组合。

公开(公告)号：US08328939B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US11780478

申请日：2007-07-20

申请人： Soo Young Choi ,  John M. White

发明人： Soo Young Choi ,  John M. White

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/507 ,  H01L21/3065

CPC分类号： C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32596

摘要： The present invention generally comprises a diffuser plate for a PECVD chamber. The diffuser plate comprises a plurality of hollow cathode cavities. The edge of the diffuser plate that will reside closest to a slit valve within a processing chamber may have the shape and/or size of the hollow cathode cavities adjusted to compensate for the proximity to the slit valve. By adjusting the shape and/or size of the hollow cathode cavities closest to the slit valve, the diffuser plate may permit a uniform plasma distribution across the processing chamber and thus, a uniform film thickness upon a substrate during a PECVD process.

摘要翻译： 本发明通常包括用于PECVD室的扩散板。 扩散板包括多个空心阴极腔。 最靠近处理室内的狭缝阀的扩散器板的边缘可以具有被调整以补偿与狭缝阀接近的空心阴极腔的形状和/或尺寸。 通过调节最接近狭缝阀的中空阴极腔的形状和/或尺寸，扩散板可以允许跨过处理室的均匀的等离子体分布，从而在PECVD工艺期间在衬底上具有均匀的膜厚度。