公开(公告)号：US20100032696A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12189635

申请日：2008-08-11

申请人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Ding-Yuan Chen ,  Chia-Lin Yu ,  Hung-Ta Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou ,  Ding-Yuan Chen ,  Chia-Lin Yu ,  Hung-Ta Lin

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

摘要： A light-emitting diode (LED) device is provided. The LED device has raised semiconductor regions formed on a substrate. LED structures are formed over the raised semiconductor regions such that bottom contact layers and active layers of the LED device are conformal layers. The top contact layer has a planar surface. In an embodiment, the top contact layers are continuous over a plurality of the raised semiconductor regions while the bottom contact layers and the active layers are discontinuous between adjacent raised semiconductor regions.

摘要翻译： 提供了一种发光二极管（LED）装置。 LED装置已经凸起形成在基板上的半导体区域。 在凸起的半导体区域上形成LED结构，使得LED器件的底部接触层和有源层是保形层。 顶部接触层具有平坦的表面。 在一个实施例中，顶部接触层在多个凸起的半导体区域上是连续的，而底部接触层和有源层在相邻凸起的半导体区域之间是不连续的。

公开(公告)号：US20090272975A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12189558

申请日：2008-08-11

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chia-Lin Yu ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chia-Lin Yu ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02595

摘要： A structure and method for a light-emitting diode are presented. A preferred embodiment comprises a substrate with a conductive, poly-crystalline, silicon-containing layer over the substrate. A first contact layer is epitaxially grown, using the conductive, poly-crystalline, silicon-containing layer as a nucleation layer. An active layer is formed over the first contact layer, and a second contact layer is formed over the active layer.

摘要翻译： 提出了一种发光二极管的结构和方法。 优选的实施方案包括在衬底上具有导电的，多晶的含硅层的衬底。 使用导电多晶硅层作为成核层，外延生长第一接触层。 在第一接触层上形成有源层，并且在有源层上形成第二接触层。

公开(公告)号：US08803189B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US12538701

申请日：2009-08-10

申请人： Chen-Hua Yu ,  Chia-Lin Yu ,  Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Hung-Ta Lin

发明人： Chen-Hua Yu ,  Chia-Lin Yu ,  Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Hung-Ta Lin

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L21/8258 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007

摘要： A circuit structure includes a substrate; a patterned mask layer over the substrate, wherein the patterned mask layer includes a plurality of gaps; and a group-III group-V (III-V) compound semiconductor layer. The III-V compound semiconductor layer includes a first portion over the mask layer and second portions in the gaps, wherein the III-V compound semiconductor layer overlies a buffer/nucleation layer.

摘要翻译： 电路结构包括基板; 在所述衬底上的图案化掩模层，其中所述图案化掩模层包括多个间隙; 和III族V族（III-V）族化合物半导体层。 III-V族化合物半导体层包括掩模层上的第一部分和间隙中的第二部分，其中III-V族化合物半导体层覆盖缓冲层/成核层。

公开(公告)号：US08525200B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12269497

申请日：2008-11-12

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/10

摘要： A light-emitting diode (LED) device is provided. The LED device has a substrate, a reflective structure over the substrate, and an LED structure over the reflective structure. The reflective structure is formed of non-metallic materials. In one embodiment, the reflective structure is formed of alternating layers of different non-metallic materials having different refractive indices. In another embodiment, the reflective structure is formed of alternating layers of high-porosity silicon and low-porosity silicon. In yet another embodiment, the reflective structure is formed of silicon dioxide, which may allow the use of fewer layers. The reflective structure may be formed directly on the same substrate as the LED structure or formed on a separate substrate and then bonded to the LED structure.

摘要翻译： 提供了一种发光二极管（LED）装置。 LED器件具有衬底，衬底上的反射结构以及反射结构上的LED结构。 反射结构由非金属材料形成。 在一个实施例中，反射结构由具有不同折射率的不同非金属材料的交替层形成。 在另一个实施例中，反射结构由高孔隙率硅和低孔隙率硅的交替层形成。 在另一个实施例中，反射结构由二氧化硅形成，其可以允许使用更少的层。 反射结构可以直接形成在与LED结构相同的基板上，或者形成在单独的基板上，然后结合到LED结构。

公开(公告)号：US08486730B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13567734

申请日：2012-08-06

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Hung-Ta Lin ,  Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Hung-Ta Lin ,  Chen-Hua Yu ,  Wen-Chih Chiou

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  C23C14/048 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L25/167 ,  H01L33/0079 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a light-emitting diode (LED) device and separating the LED device from a growth substrate is provided. The LED device is formed by forming an LED structure over a growth substrate. The method includes forming and patterning a mask layer on the growth substrate. A first contact layer is formed over the patterned mask layer with an air bridge between the first contact layer and the patterned mask layer. The first contact layer may be a contact layer of the LED structure. After the formation of the LED structure, the growth substrate is detached from the LED structure along the air bridge.

摘要翻译： 提供一种形成发光二极管（LED）器件并将LED器件与生长衬底分离的方法。 LED器件通过在生长衬底上形成LED结构而形成。 该方法包括在生长衬底上形成和图案化掩模层。 在图案化掩模层之上形成第一接触层，在第一接触层和图案化掩模层之间具有空气桥。 第一接触层可以是LED结构的接触层。 在形成LED结构之后，生长衬底沿着空气桥与LED结构分离。

公开(公告)号：US08278125B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US13225164

申请日：2011-09-02

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/12

摘要： A semiconductor device includes a silicon substrate; silicon faceted structures formed on a top surface of the silicon substrate; and a group-III nitride layer over the silicon faceted structures. The silicon faceted structures are separated from each other, and have a repeated pattern.

摘要翻译： 半导体器件包括硅衬底; 形成在硅衬底的顶表面上的硅刻面结构; 以及在硅刻面结构上的III族氮化物层。 硅分面结构彼此分离，并且具有重复的图案。

公开(公告)号：US20120171851A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13418098

申请日：2012-03-12

申请人： Chen-Hua Yu ,  Ding-Yuan Chen

发明人： Chen-Hua Yu ,  Ding-Yuan Chen

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L27/156 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/1035 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20

摘要： A circuit structure includes a substrate and a film over the substrate and including a plurality of portions allocated as a plurality of rows. Each of the plurality of rows of the plurality of portions includes a plurality of convex portions and a plurality of concave portions. In each of the plurality of rows, the plurality of convex portions and the plurality of concave portions are allocated in an alternating pattern.

摘要翻译： 电路结构包括衬底和衬底上的膜，并且包括分配为多行的多个部分。 多个部分的多行中的每一个包括多个凸部和多个凹部。 在多行中的每一行中，以交替图案分配多个凸部和多个凹部。

公开(公告)号：US20120025222A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13269968

申请日：2011-10-10

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Wen-Chih Chiou ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L25/0753 ,  H01L33/642 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/113 ,  H05K2201/10106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A circuit structure includes a carrier substrate, which includes a first through-via and a second through-via. Each of the first through-via and the second through-via extends from a first surface of the carrier substrate to a second surface of the carrier substrate opposite the first surface. The circuit structure further includes a light-emitting diode (LED) chip bonded onto the first surface of the carrier substrate. The LED chip includes a first electrode and a second electrode connected to the first through-via and the second through-via, respectively.

摘要翻译： 电路结构包括载体基板，其包括第一通孔和第二通孔。 第一通孔和第二通孔中的每一个从载体衬底的第一表面延伸到与第一表面相对的载体衬底的第二表面。 电路结构还包括结合到载体基板的第一表面上的发光二极管（LED）芯片。 LED芯片包括分别连接到第一通孔和第二通孔的第一电极和第二电极。

公开(公告)号：US20110318860A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13225164

申请日：2011-09-02

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/12

摘要： A semiconductor device includes a silicon substrate; silicon faceted structures formed on a top surface of the silicon substrate; and a group-III nitride layer over the silicon faceted structures. The silicon faceted structures are separated from each other, and have a repeated pattern.

摘要翻译： 半导体器件包括硅衬底; 形成在硅衬底的顶表面上的硅刻面结构; 以及在硅刻面结构上的III族氮化物层。 硅分面结构彼此分离，并且具有重复的图案。

公开(公告)号：US20110260261A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13179275

申请日：2011-07-08

申请人： Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu

发明人： Ding-Yuan Chen ,  Chen-Hua Yu

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7848

摘要： A method for forming a semiconductor structure includes providing a semiconductor substrate including a first region and a second region; and forming a first and a second metal-oxide-semiconductor (MOS) device. The step of forming the first MOS device includes forming a first silicon germanium layer over the first region of the semiconductor substrate; forming a silicon layer over the first silicon germanium layer; forming a first gate dielectric layer over the silicon layer; and patterning the first gate dielectric layer to form a first gate dielectric. The step of forming the second MOS device includes forming a second silicon germanium layer over the second region of the semiconductor substrate; forming a second gate dielectric layer over the second silicon germanium layer with no substantially pure silicon layer therebetween; and patterning the second gate dielectric layer to form a second gate dielectric.

摘要翻译： 一种形成半导体结构的方法包括：提供包括第一区域和第二区域的半导体衬底; 以及形成第一和第二金属氧化物半导体（MOS）器件。 形成第一MOS器件的步骤包括在半导体衬底的第一区域上形成第一硅锗层; 在所述第一硅锗层上形成硅层; 在所述硅层上形成第一栅介质层; 以及图案化所述第一栅极介电层以形成第一栅极电介质。 形成第二MOS器件的步骤包括在半导体衬底的第二区域上形成第二硅锗层; 在第二硅锗层上形成第二栅极电介质层，其间没有基本上纯的硅层; 以及图案化所述第二栅极介电层以形成第二栅极电介质。