公开(公告)号：US20070181816A1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：US11669299

申请日：2007-01-31

申请人： Mitsushi Ikeda ,  Toshiyuki Oka

发明人： Mitsushi Ikeda ,  Toshiyuki Oka

IPC分类号： G01T1/24 ,  H01L27/14 ,  H01L25/00 ,  G01J5/20 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14676 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14669 ,  H01L31/02161

摘要： An anisotropic conductive film includes: an insulating material; and a plurality of conductive particles dispersed in the insulating material, the conductive particles provided in a plurality of lines in a first direction along the thickness of the insulating material, the conductive particles in the lines disposed electrically connectable to each other, and the conductive particles in different lines disposed apart from each other in a second direction perpendicular to the first direction.

摘要翻译： 各向异性导电膜包括：绝缘材料; 以及分散在所述绝缘材料中的多个导电粒子，所述导电粒子沿着所述绝缘材料的厚度沿着第一方向设置在多条线上，所述导体粒子彼此电连接地设置，所述导电粒子 在垂直于第一方向的第二方向上彼此分离的不同的线。

公开(公告)号：US20060131506A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：US11352339

申请日：2006-02-13

申请人： Keitaro Shigenaka ,  Naoya Mashio

发明人： Keitaro Shigenaka ,  Naoya Mashio

IPC分类号： G01T1/24

CPC分类号： H01L27/14669 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14683

摘要： A fabrication method of a thermal type infrared ray imaging device that includes forming a plurality of diodes in a single crystal silicon layer as first and second thermoelectric conversion parts constituting a thermoelectric conversion part; forming input and output wirings to be connected to a plurality of cells; forming a plurality of opening portions which expose the single crystal silicon substrate; forming a first photothermal conversion layer; and removing selectively a portion of the single crystal silicon substrate via the plurality of opening portions.

摘要翻译： 一种热式红外线成像装置的制造方法，其包括在单晶硅层中形成多个二极管作为构成热电转换部的第一和第二热电转换部; 形成要连接到多个单元的输入和输出布线; 形成暴露单晶硅衬底的多个开口部; 形成第一光热转换层; 以及经由所述多个开口部分选择性地去除所述单晶硅衬底的一部分。

公开(公告)号：US20050264454A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US10525074

申请日：2003-08-20

申请人： Seong-Hwoon Kim ,  Richard Leblanc ,  Lee Mirth

发明人： Seong-Hwoon Kim ,  Richard Leblanc ,  Lee Mirth

IPC分类号： G01J5/20 ,  G01K17/00 ,  H01J5/02 ,  H01L27/146 ,  H01Q1/26

CPC分类号： G01K17/003 ,  G01J5/0837 ,  G01J5/20 ,  H01L27/14669

摘要： An antenna-coupled microbolometer multilayer structure, and associated method of forming an antenna-coupled microbolometer multilayer structure are disclosed, where the structure includes a dielectric layer of dielectric material having at least one locally doped region doped with a dopant to provide a thermal conductive path from a first side to a second side of the dielectric layer. The structure includes an antenna on the first side of the dielectric layer coupled to the locally doped region; a read-out integrated circuit (ROIC) on the second side of the dielectric layer coupled to the locally doped region; a conductive substrate between the dielectric layer and the ROIC; and an electrical connection between the locally doped region and the ROIC, wherein the ROIC is connected to detect, via the electrical connection, a change in electrical resistivity of the locally doped region due to thermal energy absorbed from the antenna.

摘要翻译： 公开了一种天线耦合的微测辐射热计多层结构以及形成天线耦合的微测热计多层结构的相关方法，其中该结构包括介电材料的电介质层，该电介质层具有掺杂有掺杂剂的至少一个局部掺杂区域，以提供导热路径 从电介质层的第一侧到第二侧。 该结构包括在与局部掺杂区域耦合的电介质层的第一侧上的天线; 在与局部掺杂区域耦合的电介质层的第二侧上的读出集成电路（ROIC）; 介电层和ROIC之间的导电基板; 以及局部掺杂区域和ROIC之间的电连接，其中ROIC被连接以通过电连接检测由于从天线吸收的热能而导致局部掺杂区域的电阻率的变化。

公开(公告)号：US20050167709A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11070721

申请日：2005-03-02

申请人： Carlos Augusto

发明人： Carlos Augusto

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/00 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/10 ,  H01L31/107

CPC分类号： H01L27/14669 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1075

摘要： A method of fabricating light-sensing devices including photodiodes monolithically integrated with CMOS devices. Several types of photodiode devices (PIN, HIP) are epitaxially grown in one single step on active areas implanted in a common semiconductor substrate, the active areas having defined polarities. The epitaxially grown layers for the photodiode devices may be either undoped or in-situ doped with profiles suitable for their respective operation. With appropriate choice of substrate materials, device layers and heterojunction engineering and process architecture, it is possible co fabricate siliconbased and germanium-based multi-spectral sensors that can deliver pixel density and cost of fabrication comparable to the state of the art CCDs and CMOS image sensors. The method can be implemented with epitaxially deposited films on the following substrates: Silicon Bulk, Thick-Film and Thin-Film Silicon-On-Insulator (SOI), Germanium Bulk, Thick-Film and Thin-Film Germanium-On-Insulator (GeOI).

摘要翻译： 一种制造包括与CMOS器件单片集成的光电二极管的光感测装置的方法。 多个类型的光电二极管器件（PIN，HIP）在植入公共半导体衬底的有源区域的一个步骤中外延生长，有源区域具有确定的极性。 用于光电二极管器件的外延生长层可以是未掺杂的或原位掺杂的，适用于它们各自的操作。 通过适当选择衬底材料，器件层和异质结工程和工艺架构，可以共同制造基于硅和锗的多光谱传感器，可以提供与现有技术的CCD和CMOS图像相当的像素密度和制造成本 传感器。 该方法可以在以下基板上用外延沉积膜实现：硅体积，厚膜和薄膜绝缘体上硅（SOI），锗体积，厚膜和薄膜绝缘体（GeOI ）。

公开(公告)号：US20030062480A1

公开(公告)日：2003-04-03

申请号：US10260501

申请日：2002-10-01

申请人： NEC CORPORATION

发明人： Masayuki Kanzaki

IPC分类号： G01J005/00

CPC分类号： B81B7/0041 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0145 ,  G01J5/04 ,  G01J5/045 ,  G01J5/20 ,  H01L27/14669

摘要： An infrared ray detector includes an array of pixels each including a micro-bridge structure wherein a diaphragm is supported in spaced relationship with a substrate by a beam structure. Each pixel has a vacuum encapsulation structure supported in a base area wherein the beam structure is supported by the substrate. The vacuum encapsulation structure includes a window film encapsulating first and second vacuum spaces formed by removing first and second sacrificial films sandwiching therebetween the diaphragm.

摘要翻译： 一种红外线检测器，包括各自包括微桥结构的像素阵列，其中隔膜通过光束结构与衬底间隔开地支撑。 每个像素具有支撑在基底区域中的真空封装结构，其中光束结构由衬底支撑。 该真空封装结构包括一个密封第一和第二真空空间的窗膜，该第一和第二真空空间是通过除去夹在其间的隔膜的第一和第二牺牲膜形成的。

公开(公告)号：US06320189B1

公开(公告)日：2001-11-20

申请号：US09352232

申请日：1999-07-13

申请人： Jean-Louis Ouvrier-Buffet ,  Chantal Beccia ,  Michel Vilain

发明人： Jean-Louis Ouvrier-Buffet ,  Chantal Beccia ,  Michel Vilain

IPC分类号： H01L27142

CPC分类号： G01J5/08 ,  G01J5/0846 ,  G01J5/20 ,  H01L27/14669 ,  H04N5/332

摘要： A device for the detection of multi-spectral infrared and visible radiation using a bolometric detector having at least one active layer and two control electrodes for the detection of both infrared and visible radiation, and also using at least one photodetector having at least two active layers and two control electrodes for detecting solely visible radiation. The device is uncooled, and the two detectors are superimposed and combined with one-another for forming the same sensitive element.

摘要翻译： 一种用于使用具有至少一个有源层和两个控制电极的测温检测器来检测多光谱红外和可见辐射的装置，用于检测红外和可见光辐射，并且还使用至少一个具有至少两个有源层的光电检测器 以及用于仅检测可见光的两个控制电极。 该装置是非冷却的，并且两个检测器被叠加并且彼此组合以形成相同的敏感元件。

公开(公告)号：US5345093A

公开(公告)日：1994-09-06

申请号：US687603

申请日：1991-04-15

申请人： Veerendra K. Mathur

发明人： Veerendra K. Mathur

IPC分类号： G02F2/02 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/12 ,  H01L31/16

CPC分类号： H01L31/02966 ,  G02F2/02 ,  H01L27/14669 ,  H01L31/0324

摘要： Spectral shift between different wavelength spectra by restricted narrow bandgap absorption of incident radiation at one location on a semiconductor body, under electrical bias causing release of radiation at another emission location as a result of radiative electron-hole recombination. The semiconductor body is a graded bandgap establishing composition of two selected compounds alloyed to a variable, position-dependent degree between the respective radiation and emission locations at which the respective narrow and wide bandgap properties of the compounds prevail.

摘要翻译： 由于辐射电子 - 空穴复合的结果，在电偏压下导致在另一个发射位置释放辐射的入射辐射在半导体体上的一个位置处的入射辐射的受限窄带隙吸收，在不同波长光谱之间的光谱偏移。 半导体主体是两个选定化合物的分级带隙，其构成了在相应的辐射和发射位置之间具有可变位置相关程度的化合物，其中化合物的各自的窄带宽宽带隙特性占优势。

公开(公告)号：US5072122A

公开(公告)日：1991-12-10

申请号：US597406

申请日：1990-10-15

申请人： Hongxing Jiang ,  Jingyu Lin

发明人： Hongxing Jiang ,  Jingyu Lin

IPC分类号： G11C13/04 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L29/22 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/10 ,  H04N5/33

CPC分类号： H01L27/14669 ,  H01L31/0296

摘要： Mixed II-VI crystal semiconductors (10) having the general formula Zn.sub.x Cd.sub.1-x Se, where x is up to about 0.4, are provided which exhibit persistent photoconductivity (PPC) above 70.degree. K. which is quenchable by infrared radiation. An electrical apparatus (12) utilizing the crystal (10) of the invention is also provided. An imaging apparatus (70) is further provided which includes a charge storage image device (72) having an array (82) of mixed II-VI semiconductor elements (84). A visible or an infrared image is stored in array (82) by first initializing array (82) and then exposing elements (84) to the image to be recorded.

摘要翻译： 提供具有通式Zn x C d 1-x S e的混合II-VI晶体半导体（10），其中x为高达约0.4，其表现出高于70°K的持续光电导率（PPC），其可通过红外辐射淬火。 还提供了利用本发明的晶体（10）的电气设备（12）。 还提供一种成像装置（70），其包括具有混合的II-VI半导体元件（84）的阵列（82）的电荷存储图像装置（72）。 通过首先初始化阵列（82）然后将元件（84）暴露于要记录的图像，将可见或红外图像存储在阵列（82）中。

公开(公告)号：US4620209A

公开(公告)日：1986-10-28

申请号：US656059

申请日：1984-09-28

申请人： Sidney G. Parker ,  Rudy L. York

发明人： Sidney G. Parker ,  Rudy L. York

IPC分类号： G01J5/02 ,  G01J5/28 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/368 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0264 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14669

摘要： The disclosure relates to an infrared detector and method of making an infrared detector having HgCdTe detectors in the same focal plane of different compositions responsive to two or more different infrared frequency windows. This is accomplished by using SiO.sub.2 and/or Si.sub.x O.sub.y N.sub.z for masking and/or isolation during liquid phase epitaxial growth of the HgCdTe. The SiO.sub.2 and/or Si.sub.x O.sub.y N.sub.z are formed by plasma deposition.

摘要翻译： 本公开涉及一种红外检测器和在响应于两个或更多个不同的红外频率窗口的同一焦平面上制造具有HgCdTe检测器的红外检测器的方法。 这通过在HgCdTe的液相外延生长期间使用SiO 2和/或SixOyNz来进行掩模和/或隔离来实现。 通过等离子体沉积形成SiO2和/或SixOyNz。

公开(公告)号：US4551623A

公开(公告)日：1985-11-05

申请号：US441867

申请日：1982-11-15

申请人： Charles T. Elliott ,  Anthony M. White

发明人： Charles T. Elliott ,  Anthony M. White

IPC分类号： G01J1/44 ,  G01J5/30 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/09 ,  H04N5/33 ,  H04N5/369 ,  H04N5/372 ,  H01J40/14

CPC分类号： H01L27/14669 ,  G01J5/30 ,  H01L31/09 ,  H04N3/1518 ,  H04N3/1525 ,  H04N5/33

摘要： An alternating bias is applied to a modified photoconductive detector and photosignal extracted from each detector element. This extraction may be performed using an integrator to produce a dc signal output, or alternatively by using a high-pass filter or phase-sensitive detector to extract a photosignal at an harmonic of the bias frequency. The detector used is provided with elements that have a responsivity that is a different function of bias amplitude for each polarity. The detector element may be shaped with variation in width or depth, to produce this differential responsivity. Alternatively element bias contacts may be of different width to produce field gradient and differential responsivity. It is advantageous to obscure a part of each element area by including an opaque mask.

摘要翻译： 将交替偏压施加到从每个检测器元件提取的修饰的光电导检测器和光信号。 可以使用积分器来执行该提取以产生直流信号输出，或者通过使用高通滤波器或相敏检测器以偏置频率的谐波提取光信号。 使用的检测器具有对每个极性具有不同偏置幅度函数的响应度的元件。 检测器元件可以被成形为具有宽度或深度的变化，以产生该差分响应度。 或者，元件偏置触点可以具有不同的宽度以产生场梯度和差分响应度。 通过包括不透明掩模来模糊每个元件区域的一部分是有利的。