公开(公告)号：US08710597B1

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13090228

申请日：2011-04-19

申请人： Daniel N. Koury, Jr.

发明人： Daniel N. Koury, Jr.

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： B81C1/00134 ,  B81C1/00142 ,  G01P15/0802 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643 ,  H01L2924/01013

摘要： A method and structure for adding mass with stress isolation to MEMS. The structure has a thickness of silicon material coupled to at least one flexible element. The thickness of silicon material can be configured to move in one or more spatial directions about the flexible element(s) according to a specific embodiment. The apparatus also includes a plurality of recessed regions formed in respective spatial regions of the thickness of silicon material. Additionally, the apparatus includes a glue material within each of the recessed regions and a plug material formed overlying each of the recessed regions.

摘要翻译： 一种将应力隔离加入MEMS的方法和结构。 该结构具有耦合到至少一个柔性元件的硅材料的厚度。 根据具体实施例，硅材料的厚度可被配置为围绕柔性元件在一个或多个空间方向上移动。 该设备还包括形成在硅材料厚度的相应空间区域中的多个凹陷区域。 此外，该设备包括在每个凹陷区域内的胶合材料和形成在每个凹陷区域上的塞子材料。

公开(公告)号：US20100301706A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：US12472506

申请日：2009-05-27

申请人： Daniel N. Koury, JR.

发明人： Daniel N. Koury, JR.

IPC分类号： G01L1/16

CPC分类号： G01L1/16 ,  G01L9/008

摘要： A differential piezoelectric sensor (20) includes a suspended structure (24) coupled to a substrate (22). The suspended structure (24) has at least one location (44) in a first stress state (70) and at least one location (46) in a second stress state (72) when the suspended structure (24) is in a stress position (69). Piezoelectric elements (26) are located on the suspended structure (24) at the locations (44), each producing a signal (78) in response to mechanical stress (68) experienced by the suspended structure (24). In addition, piezoelectric elements (28) are formed on the suspended structure (24) at the locations (46), each producing a signal (80) in response to the mechanical stress (68). The piezoelectric elements (26, 28) are electrically connected to combine the signals (78, 80) so as to obtain a signal (76) representative of the mechanical stress (68) experienced by the suspended structure (24).

摘要翻译： 差动压电传感器（20）包括耦合到衬底（22）的悬挂结构（24）。 当悬挂结构（24）处于应力位置时，悬挂结构（24）具有处于第一应力状态（70）的至少一个位置（44）和处于第二应力状态（72）的至少一个位置（46​​） （69）。 压电元件（26）在位置（44）处位于悬挂结构（24）上，每个产生响应于悬挂结构（24）经历的机械应力（68）的信号（78）。 此外，压电元件（28）在位置（46​​）处的悬置结构（24）上形成，每个产生响应于机械应力（68）的信号（80）。 压电元件（26,28）电连接以组合信号（78,80），以便获得代表由悬挂结构（24）经历的机械应力（68）的信号（76）。

公开(公告)号：US07637160B2

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US11479792

申请日：2006-06-30

申请人： Daniel N. Koury, Jr. ,  Andrew C. McNeil

发明人： Daniel N. Koury, Jr. ,  Andrew C. McNeil

IPC分类号： G01P15/125

CPC分类号： G01P15/125 ,  B81B3/0094 ,  B81B2201/0235 ,  G01C19/5719 ,  G01P15/08 ,  G01P15/135 ,  G01P2015/0814

摘要： A MEMS device that has a sensitivity to a stimulus in at least one sensing direction includes a substrate, a movable mass with corner portions suspended in proximity to the substrate, at least one suspension structure coupled approximately to the corner portions of the movable mass for performing a mechanical spring function, and at least one anchor for coupling the substrate to the at least one suspension structure. The at least one anchor is positioned approximately on a center line in the at least one sensing direction.

摘要翻译： 对至少一个感测方向上的刺激具有敏感性的MEMS器件包括基底，具有悬挂在基底附近的拐角部分的可移动物体，至少一个悬挂结构，其大致耦合到可移动块的角部，用于执行 机械弹簧功能，以及用于将衬底耦合到至少一个悬挂结构的至少一个锚固件。 所述至少一个锚固件大致位于所述至少一个感测方向上的中心线上。

公开(公告)号：US20080290430A1

公开(公告)日：2008-11-27

申请号：US11753851

申请日：2007-05-25

申请人： Dave S. Mahadevan ,  Daniel N. Koury, JR.

发明人： Dave S. Mahadevan ,  Daniel N. Koury, JR.

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/52

CPC分类号： B81B7/0048 ,  B81B2201/0235

摘要： A stress-isolated MEMS device (14) includes a platform (26) suspended over a substrate wafer (24). In one embodiment, the platform (26) is suspended by springs (38), but other suspension techniques may also be used. A transducer (28) is formed over the platform (26). The transducer (28) includes immovable portions (50) and movable portions (52). The transducer (28) and platform (26) are sealed within a cavity (62) formed within a cap support (30) between a cap wafer (32) and the substrate wafer (24). A leadframe (22) is affixed to the substrate wafer (24). The cap wafer (32) and other portions of the device (14) become embedded in a package material (20) so that a substantially solid boundary forms between the cap wafer (32) and the package material (20).

摘要翻译： 应力隔离MEMS器件（14）包括悬挂在衬底晶片（24）上的平台（26）。 在一个实施例中，平台（26）由弹簧（38）悬挂，但也可以使用其它悬挂技术。 传感器（28）形成在平台（26）上方。 换能器（28）包括不可移动部分（50）和可移动部分（52）。 传感器（28）和平台（26）被密封在形成在盖子晶片（32）和基板晶片（24）之间的盖支撑件（30）内的空腔（62）内。 引线框架（22）固定到基板晶片（24）上。 封盖晶片（32）和器件（14）的其它部分变得嵌入封装材料（20）中，使得在盖晶片（32）和封装材料（20）之间形成基本上固体的边界。

公开(公告)号：US06228275B1

公开(公告)日：2001-05-08

申请号：US09208924

申请日：1998-12-10

申请人： Daniel J. Koch ,  Jonathan H. Hammond ,  Daniel N. Koury, Jr. ,  Jonathan F. Gorrell

发明人： Daniel J. Koch ,  Jonathan H. Hammond ,  Daniel N. Koury, Jr. ,  Jonathan F. Gorrell

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

摘要： A sensor has a support substrate (200), an electrode (110, 510, 710) movable relative to a surface (201) of the support substrate (200) and comprised of a first material, a structure (160, 460, 560, 760) over a portion of the electrode (110, 510, 710) to limit mobility of the electrode (110, 510, 710) and comprised of a second material different from the first material, and bonding pads (170, 470) outside a perimeter of the electrode (110, 510, 710) and comprised of the second material.

摘要翻译： 传感器具有支撑衬底（200），可相对于支撑衬底（200）的表面（201）移动并且由第一材料，结构（160,460,560， 760）覆盖所述电极（110,510,710）的一部分以限制所述电极（110,510,710）的移动性，并且包括不同于所述第一材料的第二材料，以及在所述电极 电极（110,510,710）的周边并且由第二材料构成。

公开(公告)号：US5583291A

公开(公告)日：1996-12-10

申请号：US509368

申请日：1995-07-31

申请人： Ronald J. Gutteridge ,  Daniel N. Koury, Jr.

发明人： Ronald J. Gutteridge ,  Daniel N. Koury, Jr.

IPC分类号： G01L1/14 ,  G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  G01P15/00 ,  G01L9/12 ,  H01G7/00

CPC分类号： G01P15/0802 ,  G01L1/148 ,  G01P15/125

摘要： A micromachined structure having at least one anchor that includes a supporting substrate with a first and a second foot fixedly positioned on the surface of the substrate and each foot has a supporting edge, which edges are positioned in parallel spaced apart relationship, an elongated tether positioned in spaced relation from the surface of the substrate and extending from the micromachined structure parallel to the parallel supporting edges of the first and the second foot, and first and second risers extending along the supporting edges of the first foot and the second foot, respectively, and rising upwardly to the edges of the tether. The first and the second foot, the first and second risers and the tether being formed integrally by surface micromachining.

摘要翻译： 一种微加工结构，其具有至少一个锚，其包括支撑基底，第一和第二脚固定地定位在基底的表面上，并且每个脚具有支撑边缘，该边缘以平行间隔开的​​关系定位， 与衬底的表面间隔开并且从微机械结构平行于第一和第二脚的平行支撑边缘延伸，并且分别沿着第一脚和第二脚的支撑边缘延伸的第一和第二立管， 并向上升到系绳的边缘。 第一和第二脚，第一和第二立管和系绳通过表面微加工一体地形成。

公开(公告)号：US5337606A

公开(公告)日：1994-08-16

申请号：US926616

申请日：1992-08-10

申请人： Paul T. Bennett ,  Ronald J. Gutteridge ,  Daniel N. Koury, Jr. ,  David F. Mietus ,  Ljubisa Ristic

发明人： Paul T. Bennett ,  Ronald J. Gutteridge ,  Daniel N. Koury, Jr. ,  David F. Mietus ,  Ljubisa Ristic

IPC分类号： G01P15/08 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  H01G7/00

CPC分类号： G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  Y10T29/43

摘要： A micromachined capacitor structure having a first anchor (12) attached to the substrate (24), a tether (13) coupled to the anchor (12) and having a portion free to move in a lateral direction over the substrate (24) in response to acceleration. A tie-bar (14) is coupled to the movable portion of the tether (13), and at least one movable capacitor plate (16) is coupled to the tie bar (13). A first fixed capacitor plate (16) is attached to the substrate (24) laterally overlapping and vertically spaced from the at least one movable capacitor plate (16).

摘要翻译： 一种微加工电容器结构，其具有附接到所述基板（24）的第一锚固件（12），联接到所述锚固件（12）的系绳（13），并且具有在所述基板（24）上沿横向移动的部分，以响应 加速。 连杆（14）联接到系绳（13）的可移动部分，并且至少一个可移动电容器板（16）联接到连接杆（13）。 第一固定电容器板（16）与至少一个可移动电容器板（16）横向重叠并垂直间隔地安装到基板（24）。

公开(公告)号：US4757029A

公开(公告)日：1988-07-12

申请号：US45502

申请日：1987-05-04

申请人： Daniel N. Koury, Jr.

发明人： Daniel N. Koury, Jr.

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/66666

摘要： A method of making a vertical field effect transistor (FET) having a plurality of gates which are isolated from each other. Each gate has a contact thereby enabling a single gate which is turned "on" to cause the vertical FET to conduct a current. This configuration allows for a logical "or" function to be implemented in a vertical FET.

摘要翻译： 一种制造具有彼此隔离的多个栅极的垂直场效应晶体管（FET）的方法。 每个栅极具有接触，从而使得能够导通“垂直”FET的单个栅极导通电流。 该配置允许在垂直FET中实现逻辑“或”功能。

公开(公告)号：US06215645B1

公开(公告)日：2001-04-10

申请号：US09071623

申请日：1998-05-01

申请人： Guang Xuan Li ,  Frank A. Shemansky, Jr. ,  Ronald James Gutteridge ,  Daniel N. Koury, Jr. ,  Zuoying Lisa Zhang

发明人： Guang Xuan Li ,  Frank A. Shemansky, Jr. ,  Ronald James Gutteridge ,  Daniel N. Koury, Jr. ,  Zuoying Lisa Zhang

IPC分类号： H01G700

CPC分类号： B81B3/0072 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125

摘要： A differential capacitor structure (10) formed overlying a substrate (12) having a middle layer (24) disposed between a lower layer (18) and an upper layer (28). The lower layer (18) is a static layer that is formed on the substrate (12), the middle layer (24) has a moveable component and is a dynamic layer attached to the substrate (12) using semi-circular tether supports (42), and the upper layer is a static layer that is anchored to the substrate (12). The semi-circular tether supports (42) are formed from a homogeneous material and provide structural stiffness to support the middle layer (24) in space and also provide stress relief.

摘要翻译： 一种形成在衬底（12）上的差分电容器结构（10），该衬底具有设置在下层（18）和上层（28）之间的中间层（24）。 下层（18）是形成在基板（12）上的静电层，中间层（24）具有可移动部件，并且是使用半圆形系绳支架（42）附接到基板（12）的动态层 ），并且上层是锚定到基底（12）的静止层。 半圆形系绳支撑件（42）由均质材料形成并提供结构刚度以在空间中支撑中间层（24）并且还提供应力消除。

公开(公告)号：US4902641A

公开(公告)日：1990-02-20

申请号：US079984

申请日：1987-07-31

申请人： Daniel N. Koury, Jr.

发明人： Daniel N. Koury, Jr.

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66265 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/7827 ,  Y10S148/011 ,  Y10S148/026 ,  Y10S148/05 ,  Y10S148/053 ,  Y10S148/135

摘要： A process for making an inverted silicon-on-insulator semiconductor device having a pedestal structure. After the processing of polysilicon layers, dielectric layers, an epitaxial region and a nitride layer, a second substrate is bonded to the nitride layer and the first substrate is removed. This allows for an epitaxial region which is isolated from the substrate.