公开(公告)号：US07863175B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11614801

申请日：2006-12-21

申请人： Robert Bertram Ogle ,  Joong Jeon ,  Eric Paton ,  Austin Frenkel

发明人： Robert Bertram Ogle ,  Joong Jeon ,  Eric Paton ,  Austin Frenkel

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/02068 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531

摘要： A system and method are disclosed for processing a zero angstrom oxide interface dual poly gate structure for a flash memory device. An exemplary method can include removing an oxide on a surface of a first poly layer and forming a second poly layer on the first poly layer in a same processing chamber. A transfer of the structure is not needed from an oxide removal tool to, for example, a poly layer formation tool, an implant tool, and the like. As a result, impurities containing a silicon oxide caused by exposure of the first poly layer to an oxygen-containing atmosphere do not form at the interface of the first and second poly layers.

摘要翻译： 公开了一种用于处理闪存器件的零氧化物界面双重多晶硅结构的系统和方法。 示例性的方法可以包括去除第一多晶硅层的表面上的氧化物并在同一处理室中在第一多晶硅层上形成第二多晶硅层。 不需要从氧化物去除工具到例如多层形成工具，植入工具等的结构的转移。 结果，在第一和第二多层的界面处不形成含有由第一多晶硅层暴露于含氧气氛的氧化硅的杂质。

公开(公告)号：US20060180873A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11307537

申请日：2006-02-11

申请人： Mario Pelella ,  William En ,  Eric Paton ,  Witold Maszara

发明人： Mario Pelella ,  William En ,  Eric Paton ,  Witold Maszara

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

摘要： An integrated circuit with a semiconductor substrate is provided. A gate dielectric is on the semiconductor substrate, and a gate is on the gate dielectric. A suicide layer is on the semiconductor substrate adjacent the gate and the gate dielectric. The silicide layer incorporates a substantially uniformly distributed and concentrated dopant therein. A shallow source/drain junction is beneath the salicide layer. An interlayer dielectric is above the semiconductor substrate, and contacts are in the interlayer dielectric to the salicide layer.

摘要翻译： 提供了具有半导体衬底的集成电路。 栅极电介质位于半导体衬底上，栅极位于栅极电介质上。 硅化物层位于邻近栅极和栅极电介质的半导体衬底上。 硅化物层在其中包含基本均匀分布和浓缩的掺杂剂。 浅层源极/漏极结在自对准层下面。 层间电介质位于半导体衬底之上，并且触点位于硅化物层的层间电介质中。

公开(公告)号：US07033916B1

公开(公告)日：2006-04-25

申请号：US10770990

申请日：2004-02-02

申请人： Mario M. Pelella ,  William George En ,  Eric Paton ,  Witold P. Maszara

发明人： Mario M. Pelella ,  William George En ,  Eric Paton ,  Witold P. Maszara

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659

摘要： A method of forming an integrated circuit with a semiconductor substrate is provided. A gate dielectric is formed on the semiconductor substrate, and a gate is formed on the gate dielectric. A super-saturated doped source silicide metallic layer is formed on the semiconductor substrate adjacent the gate and the gate dielectric. The silicide metallic layer incorporates a substantially uniformly distributed dopant therein in a substantially uniform super-saturated concentration. The silicide metallic layer is reacted with the semiconductor substrate therebeneath to form a salicide layer and outdiffuse the dopant from the salicide layer into the semiconductor substrate therebeneath. The outdiffused dopant in the semiconductor substrate is then activated to form a shallow source/drain junction beneath the salicide layer. An interlayer dielectric is then deposited above the semiconductor substrate, and contacts are formed in the interlayer dielectric to the salicide layer.

摘要翻译： 提供一种形成具有半导体衬底的集成电路的方法。 在半导体衬底上形成栅极电介质，在栅极电介质上形成栅极。 在与栅极和栅极电介质相邻的半导体衬底上形成超饱和掺杂源极化硅金属层。 硅化金属层以基本均匀的超饱和浓度掺入其中基本上均匀分布的掺杂剂。 硅化物金属层与其下面的半导体衬底反应以形成自对准硅化物层，并将掺杂剂从硅化物层扩散到其内的半导体衬底中。 然后激活半导体衬底中的向外扩散的掺杂​​剂以在自对准硅化物层下面形成浅的源极/漏极结。 然后在半导体衬底上沉积层间电介质，并且在层间电介质中形成接触到硅化物层。

公开(公告)号：US06967160B1

公开(公告)日：2005-11-22

申请号：US11042194

申请日：2005-01-26

申请人： Eric Paton ,  Paul Raymond Besser ,  Simon S. Chan ,  Fred Hause

发明人： Eric Paton ,  Paul Raymond Besser ,  Simon S. Chan ,  Fred Hause

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/44 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28052 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

摘要： Nickel silicide formation with significantly reduced interface roughness is achieved by forming a diffusion modulating layer between the underlying silicon and nickel silicide layers. Embodiments include ion implanting nitrogen into the substrate and gate electrode, depositing a thin layer of titanium or tantalum, depositing a layer of nickel, and then heating to form a diffusion modulating layer containing nitrogen at the interface between the underlying silicon and nickel silicide layers.

摘要翻译： 通过在下面的硅和硅化镍层之间形成扩散转换层来实现具有显着降低的界面粗糙度的硅化镍形成。 实施例包括将氮离子注入到衬底和栅电极中，沉积钛或钽的薄层，沉积镍层，然后加热以形成在下硅和硅化镍层之间的界面处含有氮的扩散调制层。

公开(公告)号：US06812550B1

公开(公告)日：2004-11-02

申请号：US10700733

申请日：2003-11-03

申请人： William George En ,  Eric Paton ,  Mario M. Pelella ,  Witold P. Maszara

发明人： William George En ,  Eric Paton ,  Mario M. Pelella ,  Witold P. Maszara

IPC分类号： H01L2358

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L22/14 ,  H01L23/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A method for manufacturing an integrated circuit on a semiconductor wafer is provided. The semiconductor wafer has complete die and partial die areas thereon. Functional circuit patterns are formed in a plurality of the complete die areas. The thermal absorption properties of the semiconductor wafer are tuned by forming differing patterns in a plurality of the partial die areas.

摘要翻译： 提供了一种在半导体晶片上制造集成电路的方法。 半导体晶片在其上具有完整的模具和部分模具区域。 功能电路图案形成在多个完整的模具区域中。 通过在多个部分管芯区域中形成不同的图案来调整半导体晶片的热吸收性能。

公开(公告)号：US06689688B2

公开(公告)日：2004-02-10

申请号：US10180858

申请日：2002-06-25

申请人： Paul Raymond Besser ,  Simon S. Chan ,  David E. Brown ,  Eric Paton

发明人： Paul Raymond Besser ,  Simon S. Chan ,  David E. Brown ,  Eric Paton

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/28518

摘要： A method for forming silicide contacts includes forming a layer on silicon-containing active device regions such as source, drain, and gate regions. The layer contains a metal that is capable of forming one or more metal silicides and a material that is soluble in a first metal silicide but not soluble in a second metal silicide, or is more soluble in the first metal silicide than in the second metal silicide. The layer may be formed by vapor deposition methods such as physical vapor deposition, chemical vapor deposition, evaporation, laser ablation, or other deposition method. A method for forming silicide contacts includes forming a metal layer, then implanting the metal layer and/or underlying silicon layer with a material such as that described above. The material may be implanted in the silicon layer prior to formation of the metal layer. Contacts formed include a first metal silicide and a material that is more soluble in a first metal silicide than in a second metal silicide. The contacts may be part of a semiconductor device including a substrate, active region containing silicon, and silicide contacts disposed over the active region and capable of electrically coupling the active region to other regions such as metallization lines.

摘要翻译： 用于形成硅化物接触的方法包括在诸如源极，漏极和栅极区域的含硅有源器件区域上形成层。 该层包含能够形成一种或多种金属硅化物的金属和可溶于第一金属硅化物但不溶于第二金属硅化物的材料，或者比第二金属硅化物更可溶于第一金属硅化物 。 该层可以通过诸如物理气相沉积，化学气相沉积，蒸发，激光烧蚀或其它沉积方法之类的气相沉积方法形成。 形成硅化物接触的方法包括形成金属层，然后用如上所述的材料注入金属层和/或下层硅层。 在形成金属层之前，材料可以被植入到硅层中。 形成的触点包括第一金属硅化物和在第一金属硅化物中比在第二金属硅化物中更可溶的材料。 触点可以是半导体器件的一部分，其包括衬底，含硅的有源区和设置在有源区上的硅化物触点，并且能够将有源区电耦合到诸如金属化线的其它区域。

公开(公告)号：US06514859B1

公开(公告)日：2003-02-04

申请号：US09733843

申请日：2000-12-08

申请人： Jeff Erhardt ,  Eric Paton

发明人： Jeff Erhardt ,  Eric Paton

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L29/66507 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/4933

摘要： A method of forming a self-aligned silicide (salicide) with a double gate silicide. The method improves transistor speed by lowering the leakage current in the source and drain areas and lowering the polysilicon sheet resistance of the gate. As a result of one embodiment of the present method, a silicide is formed over the gate area which is advantageously thicker than silicide formations over the source and drain areas.

摘要翻译： 用双栅极硅化​​物形成自对准硅化物（自对准硅化物）的方法。 该方法通过降低源极和漏极区域中的漏电流并降低栅极的多晶硅片电阻来提高晶体管的速度。 作为本方法的一个实施例的结果，在栅极区域上形成硅化物，其优选在源极和漏极区域上比硅化物层更厚。

公开(公告)号：US06297107B1

公开(公告)日：2001-10-02

申请号：US09691228

申请日：2000-10-19

申请人： Eric Paton ,  Matthew S. Byunoski ,  Paul R. Besser ,  Paul L. King ,  Qi Xiang

发明人： Eric Paton ,  Matthew S. Byunoski ,  Paul R. Besser ,  Paul L. King ,  Qi Xiang

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor structure having a gate dielectric between a gate electrode and a semiconductor substrate is formed with a high dielectric metal oxide layer by replacing a sacrificial gate oxide. Embodiments include forming the metal oxide layer by applying a chemical solution deposition of a metalorganic on to an exposed surface of the substrate followed by pyrolizing the metalorganic residue to a metal oxide.

摘要翻译： 通过替代牺牲栅极氧化物，在栅电极和半导体衬底之间具有栅极电介质的半导体结构形成有高介电金属氧化物层。 实施例包括通过将金属有机物的化学溶液沉积施加到基板的暴露表面上，然后将金属有机残渣热解成金属氧化物来形成金属氧化物层。

公开(公告)号：US06727176B2

公开(公告)日：2004-04-27

申请号：US09986267

申请日：2001-11-08

申请人： Minh Van Ngo ,  Arvind Halliyal ,  Eric Paton

发明人： Minh Van Ngo ,  Arvind Halliyal ,  Eric Paton

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/76882

摘要： Reliable Cu interconnects are formed by filling an opening in a dielectric layer with Cu and then laser thermal annealing in NH3 to reduce copper oxide and to reflow the deposited Cu, thereby eliminating voids and reducing contact resistance. Embodiments include laser thermal annealing employing an NH3 flow rate of about 200 to about 2,000 sccn.

摘要翻译： 通过用Cu填充电介质层中的开口，然后在NH 3中激光热退火以形成可靠的Cu互连，以减少氧化铜和回流沉积的Cu，从而消除空隙并降低接触电阻。 实施例包括使用约200至约2,000sccn的NH 3流速的激光热退火。

公开(公告)号：US06399467B1

公开(公告)日：2002-06-04

申请号：US09733779

申请日：2000-12-08

申请人： Jeff Erhardt ,  Eric Paton

发明人： Jeff Erhardt ,  Eric Paton

IPC分类号： H01L213205

CPC分类号： H01L29/66507 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28518

摘要： A method of forming a self-aligned silicide (salicide) with a screening oxide. The method improves transistor speed by lowering the leakage current in the source and drain areas and lowering the polysilicon sheet resistance of the gate. As a result of one embodiment of the present method, a silicide is formed over the gate area which is advantageously about two to three times thicker than silicide formations over the source and drain areas.

摘要翻译： 用筛选氧化物形成自对准硅化物（自对准硅化物）的方法。 该方法通过降低源极和漏极区域中的漏电流并降低栅极的多晶硅片电阻来提高晶体管的速度。 作为本方法的一个实施例的结果，在栅极区域上形成硅化物，其优选在源极和漏极区域上比硅化物层厚约2至3倍。