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    NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND DATA READ METHOD THEREOF
    1.
    发明申请
    NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND DATA READ METHOD THEREOF 有权
    非易失性随机访问存储器件及其数据读取方法

    公开(公告)号：US20140185361A1

    公开(公告)日：2014-07-03

    申请号：US14141609

    申请日：2013-12-27

    申请人： EUN CHO OH ,  HONG RAK SON ,  HONG RAK SON ,  YOUNGGEON YOO

    发明人： EUN CHO OH ,  HONG RAK SON ,  HONG RAK SON ,  YOUNGGEON YOO

    IPC分类号： G11C13/00

    CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0054

    摘要： A nonvolatile random access memory device includes a plurality of memory cells configured to store data therein, a plurality of reference cells separate from the memory cells, the reference cells each configured to output a corresponding reference cell signal, and a read/write circuit. The read/write circuit is configured to generate from the reference cell signals a reference signal which is variable to have a plurality of different reference levels. The read/write circuit is further configured to identify, in response to the reference signal, a logic state among a first logic state and a second logic state for each of one or more selected memory cells, and to output read data corresponding to the identified logic state.

    摘要翻译： 非易失性随机存取存储器件包括多个存储器单元，其被配置为在其中存储数据，多个参考单元与存储器单元分离，每个参考单元被配置为输出相应的参考单元信号，以及读/写电路。 读/写电路被配置为从参考单元信号产生可变为具有多个不同参考电平的参考信号。 读/写电路还被配置为响应于参考信号识别一个或多个所选择的存储器单元中的每一个的第一逻辑状态和第二逻辑状态之间的逻辑状态，并且输出与所识别的对应的读取数据 逻辑状态。

    Encoding program data based on data stored in memory cells to be programmed
    4.
    发明授权
    Encoding program data based on data stored in memory cells to be programmed 有权
    根据存储在要编程的存储单元中的数据编码程序数据

    公开(公告)号：US09183138B2

    公开(公告)日：2015-11-10

    申请号：US14053893

    申请日：2013-10-15

    申请人： Younggeon Yoo ,  Junjin Kong ,  Changkyu Seol ,  Hong Rak Son ,  Hyunseuk Yoo

    发明人： Younggeon Yoo ,  Junjin Kong ,  Changkyu Seol ,  Hong Rak Son ,  Hyunseuk Yoo

    IPC分类号： G06F12/02 ,  G11C16/10 ,  G11C13/00

    CPC分类号： G06F12/0246 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/10 ,  G11C2013/0076

    摘要： A method of programming data in a nonvolatile memory device comprises receiving program data to be programmed in selected memory cells of the nonvolatile memory device, reading data from the selected memory cells, encoding the program data using at least one encoding scheme selected from among multiple encoding schemes according to a comparison of the program data and the read data, generating flag data including encoding information, and programming the encoded program data and the flag data in the selected memory cells.

    摘要翻译： 一种在非易失性存储器件中编程数据的方法包括：接收要在非易失性存储器件的选定存储器单元中编程的程序数据，从所选择的存储器单元读取数据，使用从多个编码中选择的至少一种编码方案对程序数据进行编码 根据程序数据和读取数据的比较，生成包括编码信息的标志数据，以及对选择的存储单元中的编码程序数据和标志数据进行编程的方案。

    Semiconductor memory systems using regression analysis and read methods thereof
    5.
    发明授权
    Semiconductor memory systems using regression analysis and read methods thereof 有权
    使用回归分析及其读取方法的半导体存储器系统

    公开(公告)号：US09111626B2

    公开(公告)日：2015-08-18

    申请号：US14062092

    申请日：2013-10-24

    申请人： Kwanghoon Kim ,  Junjin Kong ,  Changkyu Seol ,  Hong Rak Son

    发明人： Kwanghoon Kim ,  Junjin Kong ,  Changkyu Seol ,  Hong Rak Son

    IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/26 ,  G11C11/56 ,  G11C16/34 ,  G11C16/10

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3422 ,  G11C16/349

    摘要： A memory system includes: a bit counter and a regression analyzer. The bit counter is configured to generate a plurality of count values based on data read from selected memory cells using a plurality of different read voltages, each of the plurality of count values being indicative of a number of memory cells of a memory device having threshold voltages between pairs of the plurality of different read voltages. The regression analyzer is configured to determine read voltage for the selected memory cells based on the plurality of count values using regression analysis.

    摘要翻译： 存储器系统包括：位计数器和回归分析器。 位计数器被配置为基于使用多个不同的读取电压从所选择的存储器单元读取的数据生成多个计数值，多个计数值中的每一个表示具有阈值电压的存储器件的存储单元的数量 在多个不同读取电压的对之间。 回归分析器被配置为使用回归分析来基于多个计数值来确定所选择的存储器单元的读取电压。

    FLASH MEMORY SYSTEM AND WORD LINE INTERLEAVING METHOD THEREOF
    6.
    发明申请
    FLASH MEMORY SYSTEM AND WORD LINE INTERLEAVING METHOD THEREOF 审中-公开
    闪存存储器系统及其线路交换方法

    公开(公告)号：US20140355348A1

    公开(公告)日：2014-12-04

    申请号：US14459736

    申请日：2014-08-14

    申请人： Yongjune KIM ,  Hong Rak SON ,  Seonghyeog CHOI ,  Junjin KONG

    发明人： Yongjune KIM ,  Hong Rak SON ,  Seonghyeog CHOI ,  Junjin KONG

    IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

    摘要： Provided are a flash memory system and a word line interleaving method thereof. The flash memory system includes a memory cell array, and a word line interleaving logic. The memory cell array is connected to a plurality of word lines. The word line (WL) interleaving logic performs an interleaving operation on WL data corresponding to at least two different wordlines and programming data, including the interleaved data, to the memory cell array.

    摘要翻译： 提供一种闪速存储器系统及其字线交错方法。 闪存系统包括存储单元阵列和字线交错逻辑。 存储单元阵列连接到多个字线。 字线（WL）交织逻辑对与至少两个不同字线对应的WL数据和包括交错数据的编程数据执行对存储单元阵列的交织操作。

    MEMORY SYSTEM CONTROLLER HAVING SEED CONTROLLER USING MULTIPLE PARAMETERS
    9.
    发明申请
    MEMORY SYSTEM CONTROLLER HAVING SEED CONTROLLER USING MULTIPLE PARAMETERS 有权
    具有多个参数的种子控制器的存储器系统控制器

    公开(公告)号：US20130173989A1

    公开(公告)日：2013-07-04

    申请号：US13616168

    申请日：2012-09-14

    申请人： JUNGSOO CHUNG ,  HONG RAK SON ,  JUNJIN KONG

    发明人： JUNGSOO CHUNG ,  HONG RAK SON ,  JUNJIN KONG

    IPC分类号： H03M13/05

    CPC分类号： G06F11/1008 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7208 ,  G11C7/1006

    摘要： In a memory system, a memory controller includes a randomizer and a seed controller. The seed controller provides a seed to the randomizer and includes; a first register block performing a first cyclic shift operation using a first parameter related to the nonvolatile memory device, a second register block performing a second cyclic shift operation using a second parameter related to the nonvolatile memory device, and a seed generating block generating the seed from the first and second cyclic shift results.

    摘要翻译： 在存储器系统中，存储器控制器包括随机化器和种子控制器。 种子控制器为随机发生器提供一个种子，包括： 使用与非易失性存储器件相关的第一参数执行第一循环移位操作的第一寄存器块，使用与非易失性存储器件相关的第二参数执行第二循环移位操作的第二寄存器块，以及生成种子的种子生成块 从第一和第二循环移位结果。

    METHOD OF PROGRAMMING A NONVOLATILE MEMORY DEVICE
    10.
    发明申请
    METHOD OF PROGRAMMING A NONVOLATILE MEMORY DEVICE 审中-公开
    编写非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：US20130132644A1

    公开(公告)日：2013-05-23

    申请号：US13615889

    申请日：2012-09-14

    申请人： Seong-Hyeog CHOI ,  Jun-jin KONG ,  Hong-Rak SON ,  Sang-Yong YOON

    发明人： Seong-Hyeog CHOI ,  Jun-jin KONG ,  Hong-Rak SON ,  Sang-Yong YOON

    IPC分类号： G06F12/00

    CPC分类号： G06F12/0607 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7203

    摘要： A method of programming a nonvolatile memory device including a page buffer is provided. The method includes loading first page data and second page data into the page buffer; performing, by the page buffer, a first selective dump operation on the first page data and the second page data to generate first interleaved page data; performing, by the page buffer, a second selective dump operation on the first page data and the second page data to generate second interleaved page data; and programming the first interleaved page data and the second interleaved page data into a multi-level cell block.

    摘要翻译： 提供了一种编程包括页面缓冲器的非易失性存储器件的方法。 该方法包括将第一页数据和第二页数据加载到页缓冲器中; 由所述页缓冲器执行对所述第一页数据和所述第二页数据的第一选择性转储操作，以产生第一交错页数据; 由页缓冲器对第一页数据和第二页数据执行第二选择性转储操作以产生第二交错页数据; 以及将所述第一交织页数据和所述第二交织页数据编程为多级单元块。