公开(公告)号：US06469368B2

公开(公告)日：2002-10-22

申请号：US09897027

申请日：2001-07-03

申请人： Norbert Galster

发明人： Norbert Galster

IPC分类号： H01L29167

CPC分类号： H01L29/66136 ,  H01L21/263 ,  H01L29/861 ,  Y02P70/605

摘要： In a method for producing a high-speed power diode with soft recovery, in which method the carrier life within the associated semiconductor substrate (10) is governed by first, unmasked bombardment (14) with an axial profile and by subsequent, second, masked bombardment (15) with a lateral profile, improved reverse characteristics are achieved in that the first, unmasked bombardment is ion bombardment (14) which governs the switching response of the power diode and in that the second, masked bombardment is electron bombardment (15), which reduces the active area of the power diode. In a power diode equipped with such a semiconductor substrate (10), the thermal resistance Rth is reduced in relation to the active area of the power diode.

摘要翻译： 在用于制造具有软恢复的高速功率二极管的方法中，在该方法中，相关联的半导体衬底（10）内的载体寿命由具有轴向轮廓的第一未被掩蔽的轰击（14）和随后的第二掩模 实现了具有横向轮廓的轰击（15），改进了反向特性，因为第一次未掩蔽的轰击是控制功率二极管的开关响应的离子轰击（14），并且第二个被掩蔽的轰击是电子轰击（15） ，这降低了功率二极管的有效面积。 在配备有这种半导体基板（10）的功率二极管中，热电阻Rth相对于功率二极管的有效面积减小。

公开(公告)号：US20050277244A1

公开(公告)日：2005-12-15

申请号：US10521880

申请日：2002-11-21

申请人： Norbert Galster ,  Ignaz Egger ,  Philippe Steiert ,  Gerhard Palm

发明人： Norbert Galster ,  Ignaz Egger ,  Philippe Steiert ,  Gerhard Palm

IPC分类号： B22F7/06 ,  B23K20/02 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  B23K35/00 ,  B23K35/02 ,  B30B15/02 ,  H01L21/8238 ,  H05K3/00 ,  H05K3/10

CPC分类号： H05K3/107 ,  B22F7/064 ,  B22F2999/00 ,  B23K20/021 ,  B23K20/16 ,  B23K20/24 ,  B23K35/004 ,  B23K35/025 ,  B30B15/02 ,  H01L24/75 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01079 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/005 ,  H05K2203/0108 ,  H05K2203/1131 ,  H05K2203/1572 ,  H05K2203/167 ,  B22F7/08 ,  H01L2924/00014

摘要： A microtool for embossing structures into a substrate is fastened to an object, such as a press plate, by sintering, preferably pressure sintering. An insight underlying the invention is the fact that such a sintering or pressure sintering method provides a sufficiently reliable, strong, heat conducting and/or dimensionally stable connection, even for a hot embossing process, where at elevated temperatures, pressures of 10-300 bar and tensile forces of up to 100-200 bar may act upon the connection, and where a dimensional stability of down to the micrometer scale may be required. According to a preferred embodiment, the forming temperature of a pressure sintered connection equals the embossing temperature, i.e. the working temperature of the tool.

摘要翻译： 通过烧结，优选加压烧结，将用于将基板压花结构的微型工具固定到诸如压板的物体上。 本发明的一个深刻之处在于，即使对于热压花过程，这种烧结或压力烧结方法提供了足够可靠，坚固的导热和/或尺寸稳定的连接，其中在高温下，10-300巴的压力 并且高达100-200巴的拉伸力可能作用在连接上，并且其中可能需要低于千分尺的尺寸稳定性。 根据优选实施例，压力烧结连接的成形温度等于压花温度，即工具的工作温度。

公开(公告)号：US20130199832A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13817827

申请日：2011-10-21

申请人： Norbert Galster ,  Jurgen Kress ,  Hugh Laver

发明人： Norbert Galster ,  Jurgen Kress ,  Hugh Laver

IPC分类号： H05K1/03 ,  H05K3/00

CPC分类号： H05K1/03 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/185 ,  H05K3/00 ,  H05K3/4673 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/029 ,  H05K2203/1469 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24967 ,  H01L2924/00

摘要： Disclosed are composite build-up materials for the manufacture of printed circuit boards, IC substrates, chip packages and the like. The composite build-up materials are suitable for embedding active components such as micro chips. The composite build-up materials comprise a carrier layer (1), a resin layer with reinforcement (2), and a resin layer without reinforcement (3). The active component (6) is embedded into the resin layer without reinforcement (6).

摘要翻译： 公开了用于制造印刷电路板，IC基板，芯片封装等的复合材料堆积材料。 复合材料积聚材料适用于嵌入微型芯片等有源元件。 复合材料的构成材料包括载体层（1），具有增强材料的树脂层（2）和不具有加强层（3）的树脂层。 活性成分（6）嵌入树脂层而不加固（6）。

公开(公告)号：US6159830A

公开(公告)日：2000-12-12

申请号：US363645

申请日：1999-07-30

申请人： Norbert Galster ,  Pavel Hazdra ,  Jan Vobecky

发明人： Norbert Galster ,  Pavel Hazdra ,  Jan Vobecky

IPC分类号： H01L29/744 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/322 ,  H01L21/426 ,  H01L21/425

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/266

摘要： In a process for adjusting the carrier lifetime in a semiconductor component (1) by means of particle irradiation (P), at least two defect regions (10, 11, 12, 13) are produced in the semiconductor component (1). In this process, a particle beam (P), consisting of particles (a, b, c, d) with at least approximately the same initial energy, is acted on by at least one means (2), before reaching the semiconductor component (1), in such a way that the particles (a, b, c, d) subsequently have different energy values, at least two energy value groups being distinguishable. It is thereby possible, with a single particle irradiation operation, to produce an arbitrary number of defect regions whose arrangement and weighting is arbitrarily selectable.

摘要翻译： 在通过粒子照射（P）调整半导体部件（1）中的载流子寿命的工序中，在半导体部件（1）中产生至少两个缺陷区域（10,11,12,13）。 在该过程中，由具有至少大致相同的初始能量的粒子（a，b，c，d）组成的粒子束（P）在到达半导体部件（2）之前由至少一个装置（2）起作用 1），使得颗粒（a，b，c，d）随后具有不同的能量值，至少两个能量值组是可区分的。 因此，通过单粒子照射操作可以产生任意数量的排列和加权可任意选择的缺陷区域。

公开(公告)号：US20130199825A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13817825

申请日：2011-10-21

申请人： Alex Bruderer ,  Norbert Galster ,  Jurgen Kress ,  Michel Probst

发明人： Alex Bruderer ,  Norbert Galster ,  Jurgen Kress ,  Michel Probst

IPC分类号： H05K3/00 ,  H05K1/03

CPC分类号： H05K3/0085 ,  H05K1/0313 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/4673 ,  H05K2201/0112 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/029 ,  H05K2201/0293 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/24967

摘要： Disclosed are composite build-up materials for the manufacture of printed circuit boards, IC substrates, chip packages and the like. The composite build-up materials are suitable for embedding circuitry such as microvias, trenches and pads. The composite build-up materials comprise a carrier layer (1), a resin layer without reinforcement (2), and a resin layer with reinforcement (3). The circuitry (9) is embedded into the resin layer without reinforcement (2).

摘要翻译： 公开了用于制造印刷电路板，IC基板，芯片封装等的复合材料堆积材料。 复合材料堆积材料适用于嵌入诸如微孔，沟槽和垫的电路。 复合堆积材料包括载体层（1），没有增强层（2）的树脂层和具有加强层（3）的树脂层。 电路（9）嵌入树脂层而不加固（2）。

公开(公告)号：US06475876B2

公开(公告)日：2002-11-05

申请号：US09374844

申请日：1999-08-16

申请人： Norbert Galster ,  Stefan Linder

发明人： Norbert Galster ,  Stefan Linder

IPC分类号： H01L2130

CPC分类号： H01L29/6609 ,  H01L29/8611

摘要： In a process for fabricating a semiconductor component, in particular a semiconductor diode, a semiconductor substrate (1) is provided with metal layers (3, 4) in order to form electrode terminals and with passivation (2), and is exposed to particle irradiation (P) in order to adjust the carrier lifetime. This being the case, at least the metal layer (3) on the irradiation side and the passivation (2) are not applied until after the particle irradiation (P). As a result, a continuous defect region (5), which precludes undesired edge effects, is obtained in the semiconductor substrate (1).

摘要翻译： 在制造半导体部件，特别是半导体二极管的工艺中，半导体衬底（1）设置有金属层（3,4）以形成电极端子和钝化层（2），并暴露于粒子照射 （P），以调整载体寿命。 在这种情况下，至少在照射侧的金属层（3）和钝化层（2）直到粒子照射（P）才被施加。 结果，在半导体衬底（1）中获得了排除不想要的边缘效应的连续缺陷区域（5）。

公开(公告)号：US5869358A

公开(公告)日：1999-02-09

申请号：US923542

申请日：1997-09-04

申请人： Norbert Galster ,  Sven Klaka ,  Andre Weber

发明人： Norbert Galster ,  Sven Klaka ,  Andre Weber

IPC分类号： H01L21/332 ,  H01L29/08 ,  H01L29/74 ,  H01L29/744

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/744

摘要： A two-stage method is proposed for producing a highly transparent anode emitter (2) in a GTO (1). In a first step, an anode emitter (2) is indiffused whose thickness is greater than 0.5 .mu.m and whose doping concentration is greater than 10.sup.17 cm.sup.-3. In a second step, the emitter efficiency of the anode emitter (2) is subsequently reduced to a desired degree by local carrier life setting.

摘要翻译： 提出了一种用于在GTO（1）中制造高度透明的阳极发射体（2）的两阶段方法。 在第一步骤中，阳极发射极（2）的厚度大于0.5μm，掺杂浓度大于1017cm-3。 在第二步骤中，阳极发射器（2）的发射极效率随后通过本地载流子寿命设定而减小到期望的程度。