公开(公告)号：US20160049513A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：US14882440

申请日：2015-10-13

申请人： Jack T. Kavalieros ,  Nancy Zelick ,  Been-Yih Jin ,  Markus Kuhn ,  Stephen M. Cea

发明人： Jack T. Kavalieros ,  Nancy Zelick ,  Been-Yih Jin ,  Markus Kuhn ,  Stephen M. Cea

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7854

摘要： Techniques are disclosed for enabling multi-sided condensation of semiconductor fins. The techniques can be employed, for instance, in fabricating fin-based transistors. In one example case, a strain layer is provided on a bulk substrate. The strain layer is associated with a critical thickness that is dependent on a component of the strain layer, and the strain layer has a thickness lower than or equal to the critical thickness. A fin is formed in the substrate and strain layer, such that the fin includes a substrate portion and a strain layer portion. The fin is oxidized to condense the strain layer portion of the fin, so that a concentration of the component in the strain layer changes from a pre-condensation concentration to a higher post-condensation concentration, thereby causing the critical thickness to be exceeded.

摘要翻译： 公开了用于实现半导体翅片的多面冷凝的技术。 这些技术可以用于例如制造基于鳍的晶体管。 在一个示例的情况下，在体基板上设置应变层。 应变层与取决于应变层的部件的临界厚度相关联，并且应变层具有低于或等于临界厚度的厚度。 在基板和应变层中形成翅片，使得翅片包括基板部分和应变层部分。 将翅片氧化以冷凝翅片的应变层部分，使得应变层中的组分的浓度从预凝结浓度变为较高的缩合后浓度，从而超过临界厚度。

公开(公告)号：US09224808B2

公开(公告)日：2015-12-29

申请号：US13995913

申请日：2011-12-23

申请人： Stephen M. Cea ,  Seiyon Kim ,  Annalisa Cappellani

发明人： Stephen M. Cea ,  Seiyon Kim ,  Annalisa Cappellani

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L29/775

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Uniaxially strained nanowire structures are described. For example, a semiconductor device includes a plurality of vertically stacked uniaxially strained nanowires disposed above a substrate. Each of the uniaxially strained nanowires includes a discrete channel region disposed in the uniaxially strained nanowire. The discrete channel region has a current flow direction along the direction of the uniaxial strain. Source and drain regions are disposed in the nanowire, on either side of the discrete channel region. A gate electrode stack completely surrounds the discrete channel regions.

摘要翻译： 描述了单轴应变纳米线结构。 例如，半导体器件包括设置在衬底上方的多个垂直堆叠的单轴应变纳米线。 单轴应变纳米线中的每一个包括设置在单轴应变纳米线中的离散通道区域。 离散通道区域沿着单轴应变的方向具有电流流动方向。 源极和漏极区域设置在离散通道区域的任一侧上的纳米线中。 栅极电极堆叠完全围绕离散通道区域。

公开(公告)号：US20140285980A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：US13976068

申请日：2012-04-13

申请人： Annalisa Cappellani ,  Van H. Le ,  Glenn A. Glass ,  Kelin J. Kuhn ,  Stephen M. Cea

发明人： Annalisa Cappellani ,  Van H. Le ,  Glenn A. Glass ,  Kelin J. Kuhn ,  Stephen M. Cea

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02241 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/306 ,  H01L21/76 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7378 ,  H01L29/785 ,  H01L33/12 ,  H05K1/18

摘要： Techniques are disclosed for converting a strain-inducing semiconductor buffer layer into an electrical insulator at one or more locations of the buffer layer, thereby allowing an above device layer to have a number of benefits, which in some embodiments include those that arise from being grown on a strain-inducing buffer and having a buried electrical insulator layer. For instance, having a buried electrical insulator layer (initially used as a strain-inducing buffer during fabrication of the above active device layer) between the Fin and substrate of a non-planar integrated transistor circuit may simultaneously enable a low-doped Fin with high mobility, desirable device electrostatics and elimination or otherwise reduction of substrate junction leakage. Also, the presence of such an electrical insulator under the source and drain regions may further significantly reduce junction leakage. In some embodiments, substantially the entire buffer layer is converted to an electrical insulator.

摘要翻译： 公开了用于将应变诱导半导体缓冲层转化为缓冲层的一个或多个位置处的电绝缘体的技术，从而允许上述器件层具有许多益处，其在一些实施例中包括由于生长而产生的那些 在应变诱导缓冲器上并具有埋入的电绝缘体层。 例如，在非平面集成晶体管电路的Fin和衬底之间具有埋入的电绝缘体层（最初用作制造上述有源器件层期间的应变诱导缓冲器）可以同时使得具有高的低掺杂Fin 移动性，期望的器件静电，以及消除或以其他方式减少衬底结泄漏。 此外，源极和漏极区域下的这种电绝缘体的存在可以进一步显着减少结漏电。 在一些实施例中，基本上整个缓冲层被转换成电绝缘体。

公开(公告)号：US08753942B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US12958179

申请日：2010-12-01

申请人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

发明人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/772 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include forming a nanowire device comprising a substrate comprising source/drain structures adjacent to spacers, and nanowire channel structures disposed between the spacers, wherein the nanowire channel structures are vertically stacked above each other.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括形成纳米线装置，其包括基板，该基板包括与间隔物相邻的源极/漏极结构，以及设置在间隔物之间​​的纳米线通道结构，其中纳米线通道结构在彼此之上垂直堆叠。

公开(公告)号：US20120138886A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US12958179

申请日：2010-12-01

申请人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

发明人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include forming a nanowire device comprising a substrate comprising source/drain structures adjacent to spacers, and nanowire channel structures disposed between the spacers, wherein the nanowire channel structures are vertically stacked above each other.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括形成纳米线装置，其包括基板，该基板包括与间隔物相邻的源极/漏极结构，以及设置在间隔物之间​​的纳米线通道结构，其中纳米线通道结构在彼此之上垂直堆叠。

公开(公告)号：US20110147847A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12653971

申请日：2009-12-21

申请人： Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Kelin Kuhn ,  Jack T. Kavalieros ,  Markus Kuhn

发明人： Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Kelin Kuhn ,  Jack T. Kavalieros ,  Markus Kuhn

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： The present disclosure relates to the field of fabricating microelectronic devices. In at least one embodiment, the present disclosure relates to forming isolation structures in strained semiconductor bodies of non-planar transistors while maintaining strain in the semiconductor bodies.

摘要翻译： 本公开涉及制造微电子器件的领域。 在至少一个实施例中，本公开涉及在保持半导体本体中的应变的同时在非平面晶体管的应变半导体本体中形成隔离结构。

公开(公告)号：US20100163970A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12317966

申请日：2008-12-31

申请人： Titash Rakshit ,  Stephen M. Cea ,  Jack T. Kavalieros ,  Ravi Pillarisetty

发明人： Titash Rakshit ,  Stephen M. Cea ,  Jack T. Kavalieros ,  Ravi Pillarisetty

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795

摘要： A trigate device having an extended metal gate electrode comprises a semiconductor body having a top surface and opposing sidewalls formed on a substrate, an isolation layer formed on the substrate and around the semiconductor body, wherein a portion of the semiconductor body remains exposed above the isolation layer, and a gate stack formed on the top surface and opposing sidewalls of the semiconductor body, wherein the gate stack extends a depth into the isolation layer, thereby causing a bottom surface of the gate stack to be below a top surface of the isolation layer.

摘要翻译： 具有延伸的金属栅电极的触发装置包括半导体本体，其具有形成在基板上的顶表面和相对的侧壁，形成在基板上并围绕半导体主体的隔离层，其中半导体主体的一部分保持暴露在隔离物的上方 层，以及形成在半导体主体的顶表面和相对侧壁上的栅极堆叠，其中栅极堆叠将深度延伸到隔离层中，从而使栅极堆叠的底表面在隔离层的顶表面下方 。

公开(公告)号：US07473591B2

公开(公告)日：2009-01-06

申请号：US11292428

申请日：2005-12-01

申请人： Stephen M. Cea ,  Ravindra Soman ,  Ramune Nagisetty ,  Sunit Tyagi ,  Sanjay Natarajan

发明人： Stephen M. Cea ,  Ravindra Soman ,  Ramune Nagisetty ,  Sunit Tyagi ,  Sanjay Natarajan

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7842

摘要： Various methods for forming a layer of strained silicon in a channel region of a device and devices constructed according to the disclosed methods. In one embodiment, a strain-inducing layer is formed, a relaxed layer is formed on the strain-inducing layer, a portion of the strain-inducing layer is removed, which allows the strain-inducing layer to relax and strain the relaxed layer.

摘要翻译： 用于在器件的沟道区域中形成应变硅层的各种方法以及根据所公开的方法构造的器件。 在一个实施例中，形成应变诱导层，在应变诱导层上形成松弛层，去除应变诱导层的一部分，这使得应变诱导层松弛并使应变放松层。

公开(公告)号：US06982433B2

公开(公告)日：2006-01-03

申请号：US10459998

申请日：2003-06-12

申请人： Thomas Hoffman ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles

发明人： Thomas Hoffman ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/007 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/28044 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7845

摘要： There is disclosed an apparatus including a substrate defining an interior of the apparatus, a device exterior to the substrate including a gate electrode, and a straining layer exterior to the gate electrode and exterior to the substrate.

摘要翻译： 公开了一种装置，其包括限定该装置的内部的基板，包括栅电极的基板外部的装置，以及栅电极外部的应变层和基板的外部。

公开(公告)号：US06838329B2

公开(公告)日：2005-01-04

申请号：US10404878

申请日：2003-03-31

申请人： Cory E. Weber ,  Mark A. Armstrong ,  Stephen M. Cea ,  Giuseppe Curello ,  Sing-Chung Hu ,  Aaron D. Lilak ,  Max Wei

发明人： Cory E. Weber ,  Mark A. Armstrong ,  Stephen M. Cea ,  Giuseppe Curello ,  Sing-Chung Hu ,  Aaron D. Lilak ,  Max Wei

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823892 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656

摘要： A method and apparatus to form a high-concentration, indium-fluorine retrograde well within a substrate. The indium-fluorine retrograde well includes an indium concentration greater than about 3E18/cm3.

摘要翻译： 在衬底内形成高浓度的铟 - 氟逆行阱的方法和装置。 铟 - 氟逆行阱包括大于约3E18 / cm3的铟浓度。