公开(公告)号：US20180090313A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：US15639672

申请日：2017-06-30

申请人： WON WOONG CHUNG ,  YOUN JOUNG CHO ,  SUN HYE HWANG

发明人： WON WOONG CHUNG ,  YOUN JOUNG CHO ,  SUN HYE HWANG

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/02222 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28282

摘要： A method of forming a dielectric film includes providing a substrate in a chamber, and forming a silicon nitride film on the substrate using an atomic layer deposition (ALD) method in which a first gas including a silicon precursor containing hexachlorodisilazane (HCDZ) and a second gas containing a nitrogen ingredient are introduced into the chamber.

公开(公告)号：US20170008914A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：US15092953

申请日：2016-04-07

申请人： Gyu-hee PARK ,  Youn-soo KIM ,  Jae-soon LIM ,  Youn-joung CHO ,  Haruyoshi SATO ,  Naoki YAMADA ,  Hiroyuki UCHIUZOU

发明人： Gyu-hee PARK ,  Youn-soo KIM ,  Jae-soon LIM ,  Youn-joung CHO ,  Haruyoshi SATO ,  Naoki YAMADA ,  Hiroyuki UCHIUZOU

IPC分类号： C07F5/00 ,  H05K3/14 ,  C07F7/20 ,  C09D5/24 ,  C07F7/10

CPC分类号： C07F7/10

摘要： A silicon-containing intermediate is synthesized by reacting a lanthanum tris[bis(trialkylsilyl)amide] complex with an alkylcyclopentadiene. A lanthanum compound is synthesized by reacting the silicon-containing intermediate with a dialkylamidine-based compound.

摘要翻译： 通过使三[双（三烷基甲硅烷基）氨基]镧络合物与烷基环戊二烯反应合成含硅中间体。 通过使含硅中间体与二烷基脒基化合物反应来合成镧化合物。

公开(公告)号：US20110045183A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12704755

申请日：2010-02-12

申请人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

发明人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

IPC分类号： C23C16/06 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/91

摘要： In a method of forming a layer, a precursor including a metal and a ligand chelating to the metal is stabilized by contacting the precursor with an electron donating compound to provide a stabilized precursor onto a substrate. A reactant is introduced onto the substrate to bind to the metal in the stabilized precursor. The precursor stabilized by the electron donating compound has an improved thermal stability and thus the precursor is not dissociated at a high temperature atmosphere, and the layer having a uniform thickness is formed on the substrate.

摘要翻译： 在形成层的方法中，通过使前体与给电子化合物接触来使包含金属和与金属螯合的配体的前体稳定化，以将稳定的前体提供到基底上。 将反应物引入到底物上以与稳定的前体中的金属结合。 通过给电子化合物稳定的前体具有改善的热稳定性，因此前体在高温气氛下不解离，并且在基板上形成具有均匀厚度的层。

公开(公告)号：US20070071893A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11524295

申请日：2006-09-21

申请人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Jun-Hyun Cho ,  Youn-Joung Cho ,  Tae-Sung Kim ,  Mi-Ae Kim ,  Kyoo-Chul Cho

发明人： Jung-Ho Lee ,  Jung-Sik Choi ,  Jun-Hyun Cho ,  Youn-Joung Cho ,  Tae-Sung Kim ,  Mi-Ae Kim ,  Kyoo-Chul Cho

IPC分类号： C23C16/00 ,  C07F5/06

CPC分类号： C07F5/066 ,  C07F5/062 ,  C23C16/20

摘要： In a method of manufacturing a metal wiring, an organic aluminum precursor that includes aluminum as a central metal is applied to a substrate. The organic aluminum precursor applied to the substrate is thermally decomposed to form aluminum. The aluminum is deposited on the substrate to form an aluminum wiring having a low resistance. The organic aluminum precursor includes a chemical structure in accordance with one of the chemical formulae: wherein R1, R2, R3, R4 and R5 are independently H or a C1-C5 alkyl functional group, n is an integer of 1 to 5, x is 1 or 2, and y is 0 or 1, or wherein R1, R2, R3, R4 R5, R6, R7 and R8 are independently H or a C1-C5 alkyl functional group, and Y is boron.

摘要翻译： 在制造金属布线的方法中，将包含铝作为中心金属的有机铝前体施加到基板上。 施加到基材上的有机铝前体热分解形成铝。 铝沉积在基板上以形成具有低电阻的铝布线。 有机铝前体包括根据以下化学式之一的化学结构：其中R 1，R 2，R 3，R 3， R 4和R 5独立地是H或C 1 -C 5烷基官能团，n是整数 1至5，x为1或2，y为0或1，或其中R 1，R 2，R 3，R R 5，R 6，R 7和R 8独立地是H 或C 1 -C 5烷基官能团，Y是硼。

公开(公告)号：US20080213940A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US11985672

申请日：2007-11-16

申请人： Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Youn-Joung Cho ,  Seung-Min Ryu ,  Kyoo-Chul Cho ,  Jung-Sik Choi

发明人： Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Youn-Joung Cho ,  Seung-Min Ryu ,  Kyoo-Chul Cho ,  Jung-Sik Choi

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC分类号： C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

摘要： Provided herein are methods of forming a metal oxide layer that include providing an organometallic compound and an oxidizing agent to the substrate to form the metal oxide layer on the substrate. The organometallic compound may have the general formula of M(NR1R2)3R3, wherein M is a metal; R1 and R2 are each independently hydrogen or alkyl; and R3 is selected from the group consisting of alkyl, cycloalkyl, heterocycloalkyl, aryl and heteroaryl.

摘要翻译： 本文提供形成金属氧化物层的方法，其包括向基板提供有机金属化合物和氧化剂以在基板上形成金属氧化物层。 有机金属化合物可以具有通式M（NR 1，R 2）3 N 3 R 3，其中M 是金属; R 1和R 2各自独立地为氢或烷基; 和R 3选自烷基，环烷基，杂环烷基，芳基和杂芳基。

公开(公告)号：US20160197136A1

公开(公告)日：2016-07-07

申请号：US14967956

申请日：2015-12-14

申请人： Se Hoon Oh ,  Seongyul Park ,  Chin Moo Cho ,  Yunjung Choi ,  Gyu-Hee Park ,  Youn-Joung Cho ,  Younsoo Kim ,  Jae Hyoung Choi

发明人： Se Hoon Oh ,  Seongyul Park ,  Chin Moo Cho ,  Yunjung Choi ,  Gyu-Hee Park ,  Youn-Joung Cho ,  Younsoo Kim ,  Jae Hyoung Choi

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L21/322 ,  H01L28/75

摘要： The inventive concepts provide semiconductor devices and methods for manufacturing the same in which the method includes forming a capacitor including a bottom electrode, a dielectric layer and a top electrode sequentially stacked on a substrate, and also where formation of the top electrode includes forming a first metal nitride layer on the dielectric layer, and forming a second metal nitride layer on the first metal nitride layer, in which the first metal nitride layer is disposed between the dielectric layer and the second metal nitride layer, and the first metal nitride layer is formed at a temperature lower than a temperature at which the second metal nitride layer is formed.

摘要翻译： 本发明构思提供了半导体器件及其制造方法，其中该方法包括形成电容器，该电容器包括依次层叠在基板上的底部电极，电介质层和顶部电极，并且上部电极的形成包括形成第一 金属氮化物层，并且在第一金属氮化物层上形成第二金属氮化物层，其中第一金属氮化物层设置在电介质层和第二金属氮化物层之间，并且形成第一金属氮化物层 在比形成第二金属氮化物层的温度低的温度下进行。

公开(公告)号：US08268397B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US12219983

申请日：2008-07-31

申请人： Youn-Joung Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Seung-Min Ryu ,  Kyoo-Chul Cho ,  Jung-Sik Choi

发明人： Youn-Joung Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Seung-Min Ryu ,  Kyoo-Chul Cho ,  Jung-Sik Choi

IPC分类号： B05D1/36 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07F5/00 ,  C07F5/069 ,  C23C16/20 ,  Y10T428/24331

摘要： Disclosed are an organometallic precursor that may be used in manufacturing a semiconductor device, a thin film having the same, a metal wiring including the thin film, a method of forming a thin film and a method of manufacturing a metal wiring. An organometallic precursor including a central metal, a borohydride ligand and an amine ligand for reducing a polarity of the organometallic precursor may be provided onto a substrate, and may be thermally decomposed to form a thin film on the substrate. The organometallic precursor having a reduced polarity may be provided to a chamber with a constant flow rate, and thus stability and/or efficiency of a semiconductor manufacturing process may be improved.

摘要翻译： 公开了可用于制造半导体器件的有机金属前体，具有该有机金属前体的薄膜，包括该薄膜的金属布线，薄膜形成方法以及金属布线的制造方法。 包括用于降低有机金属前体极性的中心金属，硼氢化物配体和胺配体的有机金属前驱体可以提供到基底上，并且可以被热分解以在基底上形成薄膜。 具有降低的极性的有机金属前体可以以恒定的流速提供给室，因此可以提高半导体制造工艺的稳定性和/或效率。

公开(公告)号：US20100047988A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12542813

申请日：2009-08-18

申请人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

发明人： Youn-Joung Cho ,  Youn-Soo Kim ,  Kyu-Ho Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jae-Hyoung Choi ,  Seung-Min Ryu

IPC分类号： H01L21/02 ,  C07F7/00 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/10852 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L28/60

摘要： In a method of forming a layer, a precursor including a metal and a ligand coordinating to the metal is stabilized by contacting the precursor with an electron donating compound to provide a stabilized precursor into a substrate. A reactant is introduced into the substrate to bind to the metal in the stabilized precursor. The precursor stabilized by the electron donating compound has an improved thermal stability and thus the precursor is not dissociated at a high temperature atmosphere, and the layer having a uniform thickness is formed on the substrate.

摘要翻译： 在形成层的方法中，通过使前体与给电子化合物接触来稳定包含与金属配位的配体的前体，从而将稳定的前体提供到基底中。 将反应物引入底物中以与稳定的前体中的金属结合。 由给电子化合物稳定的前体具有改善的热稳定性，因此前体在高温气氛下不解离，并且在基板上形成具有均匀厚度的层。

公开(公告)号：US07488684B2

公开(公告)日：2009-02-10

申请号：US11523604

申请日：2006-09-20

申请人： Jung-Sik Choi ,  Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Youn-Joung Cho ,  Tae-Sung Kim ,  Mi-Ae Kim ,  Kyoo-Chul Cho ,  Dong-Jun Lee

发明人： Jung-Sik Choi ,  Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Youn-Joung Cho ,  Tae-Sung Kim ,  Mi-Ae Kim ,  Kyoo-Chul Cho ,  Dong-Jun Lee

IPC分类号： H01L21/285

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C07F5/069 ,  C23C16/18 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

摘要： An organic aluminum precursor includes aluminum as a central metal, and borohydride and trimethylamine as ligands. In a method of forming an aluminum layer or wire, the organic aluminum presursor is introduced onto a substrate, and then thermally decomposed. The aluminum decomposed from the organic aluminum precursor is deposited on the substrate.

摘要翻译： 有机铝前体包括铝作为中心金属，硼氢化物和三甲胺作为配体。 在形成铝层或线材的方法中，将有机铝前驱体引入到基板上，然后热分解。 从有机铝前体分解的铝沉积在基材上。

公开(公告)号：US20080057224A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11790445

申请日：2007-04-25

申请人： Youn-Joung Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Seung-Min Ryu ,  Kyoo-Chul Cho ,  Jung-Sik Choi

发明人： Youn-Joung Cho ,  Jung-Ho Lee ,  Jun-Hyun Cho ,  Seung-Min Ryu ,  Kyoo-Chul Cho ,  Jung-Sik Choi

IPC分类号： C23C8/00

CPC分类号： C23C8/80 ,  C23C4/123 ,  C23C8/02

摘要： A method of manufacturing a thin film includes providing a metal organic precursor onto a substrate where the metal organic precursor is heated to a temperature of about 60° C. to about 95° C. and has a saturated vapor pressure of about 1 Torr to about 5 Torr. An oxidizing agent including oxygen for oxidizing the metal organic precursor is provided onto the substrate. The metal organic precursor and the oxidizing agent are chemically reacted to form the thin film including metal oxide. The thin film is easily available in a gate insulation layer of a gate structure, a dielectric layer of a capacitor, and similar circuit components.

摘要翻译： 制造薄膜的方法包括将金属有机前体提供到基底上，其中将金属有机前体加热至约60℃至约95℃的温度，并具有约1托至约 5乇 将包含用于氧化金属有机前体的氧的氧化剂提供到基底上。 金属有机前体和氧化剂在化学上反应以形成包括金属氧化物的薄膜。 该薄膜可容易地用于栅极结构的栅极绝缘层，电容器的介电层和类似的电路部件。