公开(公告)号：US07222636B2

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：US10644598

申请日：2003-08-20

申请人： Anh N. Nguyen ,  Joseph Yudovsky ,  Mark A. Alexander ,  Hungsuk A. Yoon ,  Chiliang L. Chen

发明人： Anh N. Nguyen ,  Joseph Yudovsky ,  Mark A. Alexander ,  Hungsuk A. Yoon ,  Chiliang L. Chen

IPC分类号： F16K31/06

CPC分类号： F16K31/0655 ,  F16K31/0675 ,  Y10T137/0419 ,  Y10T137/4259

摘要： The present invention relates to a method and apparatus for delivery of reactants to a substrate processing chamber. An electronically controlled valve assembly is provided for rapid delivery of pulses of reactants to the chamber. The valve assembly comprises a valve body having a valve seat, and at least one gas inlet and one gas outlet below the seat. The piston is selectively movable within the valve body to open and close the valve. In order to actuate the valve assembly, current is sent to a solenoid coil within the valve body. The solenoid coil generates a magnetic field that acts on an adjacent magnetic member. The solenoid coil, magnetic member and piston are arranged such that relative movement of the coil and magnetic member cause the piston to be moved relative to the valve seat.

摘要翻译： 本发明涉及一种将反应物递送到基板处理室的方法和装置。 提供电子控制阀组件，用于将反应物的脉冲快速输送到室。 阀组件包括具有阀座的阀体，以及座下方的至少一个气体入口和一个气体出口。 活塞可选择性地在阀体内移动以打开和关闭阀。 为了致动阀组件，电流被送到阀体内的螺线管线圈。 螺线管线圈产生作用在相邻磁性部件上的磁场。 电磁线圈，磁性构件和活塞被布置成使得线圈和磁性构件的相对运动导致活塞相对于阀座移动。

公开(公告)号：US20110223334A1

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：US13043189

申请日：2011-03-08

申请人： Joseph Yudovsky ,  Anh N. Nguyen ,  Tai T. Ngo

发明人： Joseph Yudovsky ,  Anh N. Nguyen ,  Tai T. Ngo

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45591 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141

摘要： Embodiments of the invention relate to apparatus and methods for depositing materials on substrates during atomic layer deposition processes. In one embodiment, a chamber lid assembly comprises a channel having an upper portion and a lower portion, wherein the channel extends along a central axis, a housing having an inner region and at least partially defining two or more annular channels, an insert disposed in the inner region and defining the upper portion, the upper portion fluidly coupled with the two or more annular channels, and a tapered bottom surface extending from the bottom portion of the channel to a peripheral portion of the chamber lid assembly.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及在原子层沉积工艺期间在衬底上沉积材料的装置和方法。 在一个实施例中，室盖组件包括具有上部和下部的通道，其中通道沿着中心轴线延伸，壳体具有内部区域并且至少部分地限定两个或更多个环形通道，插入件设置在 所述内部区域并且限定所述上部，所述上部与所述两个或多个环形通道流体联接，以及从所述通道的底部部分延伸到所述腔室盖组件的周边部分的锥形底面。

公开(公告)号：US20120135609A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US12956650

申请日：2010-11-30

申请人： Joseph Yudovsky ,  Tatsuya Sato ,  Kenric Choi ,  Anh N. Nguyen ,  Faruk Gungor

发明人： Joseph Yudovsky ,  Tatsuya Sato ,  Kenric Choi ,  Anh N. Nguyen ,  Faruk Gungor

IPC分类号： H01L21/30 ,  B67D7/06

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45574

摘要： Provided are gas distribution plates (showerheads) for use in an apparatus configured to form a film during, for example, an atomic layer deposition (ALD) process. The gas distribution plate comprises a body defining a thickness and a peripheral edge and has a front surface for facing the substrate. The front surface has a central region with a plurality of openings configured to distribute process gases over the substrate and a focus ring with a sloped region. The focus ring is concentric to the central region such that the thickness at the focus ring is greater than the thickness at the central region.

摘要翻译： 提供了用于在例如原子层沉积（ALD）工艺期间形成膜的装置中使用的气体分配板（喷头）。 气体分配板包括限定厚度和外围边缘的主体，并且具有面向基板的前表面。 前表面具有中心区域，其具有多个开口，其被配置成在衬底上分配工艺气体和具有倾斜区域的聚焦环。 聚焦环与中心区域同心，使得聚焦环处的厚度大于中心区域处的厚度。

公开(公告)号：US09175394B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US13043189

申请日：2011-03-08

申请人： Joseph Yudovsky ,  Anh N. Nguyen ,  Tai T. Ngo

发明人： Joseph Yudovsky ,  Anh N. Nguyen ,  Tai T. Ngo

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45591 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141

摘要： Embodiments of the invention relate to apparatus and methods for depositing materials on substrates during atomic layer deposition processes. In one embodiment, a chamber lid assembly comprises a channel having an upper portion and a lower portion, wherein the channel extends along a central axis, a housing having an inner region and at least partially defining two or more annular channels, an insert disposed in the inner region and defining the upper portion, the upper portion fluidly coupled with the two or more annular channels, and a tapered bottom surface extending from the bottom portion of the channel to a peripheral portion of the chamber lid assembly.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及在原子层沉积工艺期间在衬底上沉积材料的装置和方法。 在一个实施例中，室盖组件包括具有上部和下部的通道，其中通道沿着中心轴线延伸，壳体具有内部区域并且至少部分地限定两个或更多个环形通道，插入件设置在 所述内部区域并且限定所述上部，所述上部与所述两个或多个环形通道流体联接，以及从所述通道的底部部分延伸到所述腔室盖组件的周边部分的锥形底面。

公开(公告)号：US20120225192A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13189692

申请日：2011-07-25

申请人： Joseph Yudovsky ,  Garry K. Kwong ,  Mei Chang ,  Anh N. Nguyen ,  David Thompson

发明人： Joseph Yudovsky ,  Garry K. Kwong ,  Mei Chang ,  Anh N. Nguyen ,  David Thompson

IPC分类号： C23C16/458 ,  B05D5/12

CPC分类号： C23C16/45551 ,  C23C16/45527

摘要： Provided are atomic layer deposition apparatus and methods including a gas distribution plate comprising at least one gas injector unit. Each gas injector unit comprises a plurality of elongate gas injectors including at least two first reactive gas injectors and at least one second reactive gas injector, the at least two first reactive gas injectors surrounding the at least one second reactive gas injector. Also provided are atomic layer deposition apparatuses and methods including a gas distribution plate with a plurality of gas injector units.

摘要翻译： 提供的原子层沉积装置和方法包括包括至少一个气体注入单元的气体分配板。 每个气体喷射器单元包括多个细长的气体喷射器，其包括至少两个第一反应气体喷射器和至少一个第二反应气体喷射器，所述至少两个第一反应气体喷射器围绕至少一个第二反应气体喷射器。 还提供了包括具有多个气体喷射器单元的气体分配板的原子层沉积设备和方法。

公开(公告)号：US20120225191A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13037992

申请日：2011-03-01

申请人： Joseph Yudovsky ,  Garry K. Kwong ,  Mei Chang ,  Anh N. Nguyen ,  David Thompson

发明人： Joseph Yudovsky ,  Garry K. Kwong ,  Mei Chang ,  Anh N. Nguyen ,  David Thompson

IPC分类号： C23C16/455 ,  B05D5/12

CPC分类号： C23C16/45551 ,  C23C16/45527

摘要： Provided are atomic layer deposition apparatus and methods including a gas distribution plate comprising at least one gas injector unit. Each gas injector unit comprises a plurality of elongate gas injectors including at least two first reactive gas injectors and at least one second reactive gas injector, the at least two first reactive gas injectors surrounding the at least one second reactive gas injector. Also provided are atomic layer deposition apparatuses and methods including a gas distribution plate with a plurality of gas injector units.

摘要翻译： 提供的原子层沉积装置和方法包括包括至少一个气体注入单元的气体分配板。 每个气体喷射器单元包括多个细长的气体喷射器，其包括至少两个第一反应气体喷射器和至少一个第二反应气体喷射器，所述至少两个第一反应气体喷射器围绕至少一个第二反应气体喷射器。 还提供了包括具有多个气体喷射器单元的气体分配板的原子层沉积设备和方法。

公开(公告)号：US20160027675A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：US14774377

申请日：2014-03-14

申请人： Abraham RAVID ,  Kevin GRIFFIN ,  Joseph YUDOVSKY ,  Kaushal GANGAKHEDKAR ,  Dmitry A. DZILNO ,  Alex MINKOVICH

发明人： Abraham Ravid ,  Kevin Griffin ,  Joseph Yudovsky ,  Kaushal Gangakhedkar ,  Dmitry A. Dzilno ,  Alex Minkovich

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/687 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/67259 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： Apparatus and methods of measuring and controlling the gap between a susceptor assembly and a gas distribution assembly are described. Apparatus and methods for positional control and temperature control for wafer transfer purposes are also described.

摘要翻译： 描述了测量和控制基座组件和气体分配组件之间的间隙的装置和方法。 还描述了用于晶片转印目的的位置控制和温度控制的装置和方法。

公开(公告)号：US20150345022A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：US14435070

申请日：2014-02-20

申请人： Joseph YUDOVSKY ,  Kevin GRIFFIN ,  Kaushal GANGAKHEDKAR

发明人： Joseph Yudovsky ,  Kevin Griffin ,  Kaushal Gangakhedkar

IPC分类号： C23C16/52 ,  H01L21/285 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28556 ,  H01L22/10

摘要： Described are apparatus and methods for processing a semiconductor wafer in which the gap between the wafer surface and the gas distribution assembly remains uniform and of known thickness. The wafer is positioned within a susceptor assembly and the assembly is lifted toward the gas distribution assembly using actuators. The wafer can be lifted toward the gas distribution assembly by creating a fluid bearing below and/or above the wafer.

摘要翻译： 描述了其中晶片表面和气体分配组件之间的间隙保持均匀并具有已知厚度的半导体晶片的处理装置和方法。 晶片定位在基座组件内，并且使用致动器将组件提升到气体分配组件。 可以通过在晶片下方和/或上方产生流体轴承来将晶片提升到气体分配组件。

公开(公告)号：US20130210238A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13789050

申请日：2013-03-07

申请人： Joseph Yudovsky

发明人： Joseph Yudovsky

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02104 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584

摘要： A substrate processing chamber and methods for processing multiple substrates is provided and generally includes a plurality of spaced gas distribution assemblies and a substrate support apparatus to rotate substrates along a path adjacent each of the plurality of gas distribution assemblies. Each of the gas distribution assemblies comprises a plurality of elongate gas ports extending in a direction substantially perpendicularly to the path traversed by the substrate.

摘要翻译： 提供了一种衬底处理室和用于处理多个衬底的方法，并且通常包括多个间隔开的气体分配组件和用于沿着与多个气体分配组件中的每一个相邻的路径旋转衬底的衬底支撑设备。 每个气体分配组件包括沿基本上垂直于由衬底穿过的路径延伸的多个细长气体端口。

公开(公告)号：US20120225204A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13038061

申请日：2011-03-01

申请人： Joseph Yudovsky

发明人： Joseph Yudovsky

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45551 ,  C23C16/54

摘要： Provided are atomic layer deposition apparatus and methods including multiple gas distribution plates including stages for moving substrates between the gas distribution plates.

摘要翻译： 提供了包括多个气体分配板的原子层沉积设备和方法，其包括在气体分布板之间移动基板的阶段。