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    PLASMA-ASSISTED MOCVD FABRICATION OF P-TYPE GROUP III-NITRIDE MATERIALS
    5.
    发明申请
    PLASMA-ASSISTED MOCVD FABRICATION OF P-TYPE GROUP III-NITRIDE MATERIALS 审中-公开
    P型III型氮化物材料的等离子体辅助MOCVD制造

    公开(公告)号：US20120258580A1

    公开(公告)日：2012-10-11

    申请号：US13413009

    申请日：2012-03-06

    申请人： Karl Brown ,  Kevin Griffin ,  David Bour ,  Olga Kryliouk

    发明人： Karl Brown ,  Kevin Griffin ,  David Bour ,  Olga Kryliouk

    IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/56 ,  C23C16/50

    CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/303 ,  C23C16/452 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L33/007

    摘要： The plasma-assisted metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) fabrication of a p-type group III-nitride material is described. For example, a method of fabricating a p-type group III-nitride material includes generating a nitrogen-based plasma. A nitrogen-containing species from the nitrogen-based plasma is reacted with a group III precursor and a p-type dopant precursor in a metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) chamber. A group III-nitride layer including p-type dopants is then formed above a substrate.

    摘要翻译： 描述了p型III族氮化物材料的等离子体辅助金属 - 有机化学气相沉积（MOCVD）制造。 例如，制造p型III族氮化物材料的方法包括生成氮基等离子体。 来自氮基等离子体的含氮物质与金属有机化学气相沉积（MOCVD）室中的III族前体和p型掺杂剂前体反应。 然后在衬底上形成包括p型掺杂剂的III族氮化物层。

    METHOD FOR IN-SITU CLEANING OF DEPOSITION SYSTEMS
    7.
    发明申请
    METHOD FOR IN-SITU CLEANING OF DEPOSITION SYSTEMS 审中-公开
    沉积物系统的现场清洁方法

    公开(公告)号：US20110079251A1

    公开(公告)日：2011-04-07

    申请号：US12749087

    申请日：2010-03-29

    申请人： Olga Kryliouk ,  Jie Su ,  Kevin Griffin ,  Sandeep Nijhawan

    发明人： Olga Kryliouk ,  Jie Su ,  Kevin Griffin ,  Sandeep Nijhawan

    IPC分类号： B08B5/00

    CPC分类号： C23C16/4405

    摘要： A method for in-situ cleaning of a deposition system is disclosed. The method includes providing a deposition system with portions of the deposition system deposited with at least a group III element or a compound of a group III element. Halogen containing fluid is introduced into the deposition system. The halogen containing fluid is permitted to react with the group III element to form a halide. The halide in solid state is converted to a gaseous state. The halide in gaseous state is purged out of the deposition system.

    摘要翻译： 公开了一种用于原位清洗沉积系统的方法。 该方法包括为沉积系统提供沉积有至少III族元素或III族元素的化合物的沉积系统的部分。 将含卤素的流体引入沉积系统。 允许含卤素的流体与III族元素反应形成卤化物。 固态卤化物转化为气态。 气态卤化物从沉积系统中排出。

    DECONTAMINATION OF MOCVD CHAMBER USING NH3 PURGE AFTER IN-SITU CLEANING
    8.
    发明申请
    DECONTAMINATION OF MOCVD CHAMBER USING NH3 PURGE AFTER IN-SITU CLEANING 审中-公开
    在现场清洁后使用NH3净化的MOCVD室的去除

    公开(公告)号：US20100273291A1

    公开(公告)日：2010-10-28

    申请号：US12731030

    申请日：2010-03-24

    申请人： Olga Kryliouk ,  Jie Su ,  Kevin Griffin ,  Sung Won Jun ,  Sandeep Nijwahan ,  Xizi Dong ,  Tze Poon ,  Lori D. Washington ,  Jacob Grayson

    发明人： Olga Kryliouk ,  Jie Su ,  Kevin Griffin ,  Sung Won Jun ,  Sandeep Nijwahan ,  Xizi Dong ,  Tze Poon ,  Lori D. Washington ,  Jacob Grayson

    IPC分类号： H01L51/40

    CPC分类号： C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

    摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods and apparatus for removing unwanted deposition build-up from one more interior surfaces of a substrate processing chamber after a substrate is processed in a chamber to form, for example, Group III-V materials by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) deposition processes and/or hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition processes. In one embodiment, a method for removing unwanted deposition build-up from one or more interior surfaces of a substrate processing chamber is provided. The method comprises depositing one or more Group III containing layers over a substrate disposed in the substrate processing chamber, transferring the substrate out of the substrate processing chamber, and pulsing a halogen containing gas into the substrate processing chamber to remove at least a portion of the unwanted deposition build-up from one or more interior surfaces of the substrate processing chamber.

    摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及用于在衬底在腔室中处理以形成例如III-V族材料之后，从衬底处理室的多个内表面去除不想要的沉积积累的方法和装置， 有机化学气相沉积（MOCVD）沉积工艺和/或氢化物气相外延（HVPE）沉积工艺。 在一个实施例中，提供了从衬底处理室的一个或多个内表面去除不想要的沉积积聚的方法。 该方法包括在设置在衬底处理室中的衬底上沉积一个或多个含III族的层，将衬底转移到衬底处理室之外，并将含卤素的气体脉冲到衬底处理室中以去除至少一部分 从衬底处理室的一个或多个内表面积聚不需要的沉积物。