公开(公告)号：US20120044472A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13264256

申请日：2010-05-04

申请人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Paul Christiaan Hinnen

发明人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Paul Christiaan Hinnen

IPC分类号： G03B27/52

CPC分类号： G03F7/70641

摘要： A method is used to determine focus of a lithographic apparatus used in a lithographic process on a substrate. The lithographic process is used to form at least two periodic structures on the substrate. Each structure has at least one feature that has an asymmetry between opposing side wall angles that varies as a different function of the focus of the lithographic apparatus on the substrate. A spectrum produced by directing a beam of radiation onto the at least two periodic structures is measured and ratios of the asymmetries are determined. The ratios and a relationship between the focus and the side wall asymmetry for each structure is used to determine the focus of the lithographic apparatus on the substrate.

摘要翻译： 使用一种方法来确定在光刻工艺中使用的光刻设备在基板上的焦点。 光刻工艺用于在衬底上形成至少两个周期性结构。 每个结构具有至少一个特征，其具有相对的侧壁角度之间的不对称性，所述相对侧壁角度随着光刻设备在基底上的焦点的不同功能而变化。 测量通过将辐射束引导到至少两个周期性结构上产生的光谱，并且确定不对称性的比率。 使用每个结构的焦点和侧壁不对称之间的比率和关系来确定光刻设备在基底上的焦点。

公开(公告)号：US08830447B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13264256

申请日：2010-05-04

申请人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Paul Christiaan Hinnen

发明人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Paul Christiaan Hinnen

IPC分类号： G03B27/52 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70641

摘要： A method is used to determine focus of a lithographic apparatus used in a lithographic process on a substrate. The lithographic process is used to form at least two periodic structures on the substrate. Each structure has at least one feature that has an asymmetry between opposing side wall angles that varies as a different function of the focus of the lithographic apparatus on the substrate. A spectrum produced by directing a beam of radiation onto the at least two periodic structures is measured and ratios of the asymmetries are determined. The ratios and a relationship between the focus and the side wall asymmetry for each structure is used to determine the focus of the lithographic apparatus on the substrate.

摘要翻译： 使用一种方法来确定在光刻工艺中使用的光刻设备在基板上的焦点。 光刻工艺用于在衬底上形成至少两个周期性结构。 每个结构具有至少一个特征，其具有相对的侧壁角度之间的不对称性，所述相对侧壁角度随着光刻设备在基底上的焦点的不同功能而变化。 测量通过将辐射束引导到至少两个周期性结构上产生的光谱，并且确定不对称性的比率。 使用每个结构的焦点和侧壁不对称之间的比率和关系来确定光刻设备在基底上的焦点。

公开(公告)号：US07916284B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US11488170

申请日：2006-07-18

申请人： Mircea Dusa ,  Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer

发明人： Mircea Dusa ,  Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer

IPC分类号： G01B9/00 ,  G01B11/30 ,  G01B11/14 ,  G01B11/04 ,  G03F9/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/70683 ,  G03F7/70516 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70641

摘要： In a scatterometric method differential targets with different sensitivities to parameters of interest are printed in a calibration matrix and difference spectra obtained. principal component analysis is applied to the difference spectra to obtain a calibration function that is less sensitive to variations in the underlying structure than a calibration function obtained from spectra obtained from a single target.

摘要翻译： 在散射方法中，将具有不同感光度的感光度的差分目标印刷在校准矩阵中并获得差分光谱。 将主成分分析应用于差分光谱，以获得对从单个目标获得的光谱获得的校准函数对底层结构的变化较不敏感的校准函数。

公开(公告)号：US07112813B2

公开(公告)日：2006-09-26

申请号：US10665720

申请日：2003-09-22

申请人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Frank Bornebroek ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Antoine Gaston Marie Kiers ,  Justin Lloyd Kreuzer ,  Maurits Van Der Schaar ,  Paul Jacques Van Wijnen ,  Everhardus Cornelis Mos ,  Pieter Willem Herman De Jager ,  Hans Van Der Laan ,  Paul Frank Luehrmann

发明人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Frank Bornebroek ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Mircea Dusa ,  Richard Johannes Franciscus Van Haren ,  Antoine Gaston Marie Kiers ,  Justin Lloyd Kreuzer ,  Maurits Van Der Schaar ,  Paul Jacques Van Wijnen ,  Everhardus Cornelis Mos ,  Pieter Willem Herman De Jager ,  Hans Van Der Laan ,  Paul Frank Luehrmann

IPC分类号： G01N21/86

CPC分类号： G03F9/7084 ,  G03F9/7046 ,  G03F9/7049 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7088 ,  G03F9/7092

摘要： A method of device inspection, the method comprising providing an asymmetric marker on a device to be inspected, the form of asymmetry of the marker being dependent upon the parameter to be inspected, directing light at the marker, obtaining a first measurement of the position of the marker via detection of diffracted light of a particular wavelength or diffraction angle, obtaining a second measurement of the position of the marker via detection of diffracted light of a different wavelength or diffraction angle, and comparing the first and second measured positions to determine a shift indicative of the degree of asymmetry of the marker.

摘要翻译： 一种设备检查方法，所述方法包括在要检查的设备上提供不对称标记，标记的不对称形式取决于待检查的参数，将光引导到标记处，获得第一测量位置 通过检测特定波长或衍射角的衍射光，通过检测不同波长或衍射角的衍射光来获得标记的位置的第二测量，并且比较第一和第二测量位置以确定偏移 指示标记物的不对称程度。

公开(公告)号：US20110026032A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12920984

申请日：2009-03-30

申请人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Marcus Adrianus Van De Kerkhof ,  Henricus Petrus Maria Pellemans ,  Martin Ebert

发明人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Marcus Adrianus Van De Kerkhof ,  Henricus Petrus Maria Pellemans ,  Martin Ebert

IPC分类号： G01N21/47

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/47 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/8845 ,  G03F7/70625

摘要： A method of assessing a model of a substrate is presented. A scatterometry measurement is taken using radiation at a first wavelength. The wavelength of the radiation is then changed and a further scatterometry measurement taken. If the scatterometry measurements are consistent across a range of wavelengths then the model is sufficiently accurate. However, if the scatterometry measurements change as the wavelength changes then the model of the substrate is not sufficiently accurate.

摘要翻译： 提出了一种评估底物模型的方法。 使用第一波长的辐射进行散射测量。 然后改变辐射的波长，并进行进一步的散射测量。 如果散射测量在波长范围内是一致的，则模型是足够准确的。 然而，如果散射测量值随着波长的变化而变化，则衬底的模型不够准确。

公开(公告)号：US09081303B2

公开(公告)日：2015-07-14

申请号：US12846652

申请日：2010-07-29

申请人： Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Arie Jeffrey Den Boef ,  Henricus Johannes Lambertus Megens ,  Hendrik Jan Hidde Smilde ,  Adrianus Johannes Hendrikus Schellekens ,  Michael Kubis

发明人： Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Arie Jeffrey Den Boef ,  Henricus Johannes Lambertus Megens ,  Hendrik Jan Hidde Smilde ,  Adrianus Johannes Hendrikus Schellekens ,  Michael Kubis

IPC分类号： G03F7/20 ,  G01B11/24 ,  G01B11/30 ,  G01N21/47 ,  G01B11/02 ,  G01B11/22 ,  G01N21/88

CPC分类号： G03F7/70641 ,  G01B11/02 ,  G01B11/22 ,  G01B11/24 ,  G01B11/30 ,  G01N21/47 ,  G01N21/88 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/7065

摘要： In a method of determining the focus of a lithographic apparatus used in a lithographic process on a substrate, the lithographic process is used to form a structure on the substrate, the structure having at least one feature which has an asymmetry in the printed profile which varies as a function of the focus of the lithographic apparatus on the substrate. A first image of the periodic structure is formed and detected while illuminating the structure with a first beam of radiation. The first image is formed using a first part of non-zero order diffracted radiation. A second image of the periodic structure is formed and detected while illuminating the structure with a second beam of radiation. The second image is formed using a second part of the non-zero order diffracted radiation which is symmetrically opposite to the first part in a diffraction spectrum. The ratio of the intensities of the measured first and second portions of the spectra is determined and used to determine the asymmetry in the profile of the periodic structure and/or to provide an indication of the focus on the substrate. In the same instrument, an intensity variation across the detected portion is determined as a measure of process-induced variation across the structure. A region of the structure with unwanted process variation can be identified and excluded from a measurement of the structure.

摘要翻译： 在确定在基板上的光刻工艺中使用的光刻设备的焦点的方法中，使用光刻工艺在基板上形成结构，该结构具有至少一个特征，该特征在印刷图案中具有不对称性 作为光刻设备在基板上的焦点的函数。 在用第一辐射束照射结构的同时形成和检测周期性结构的第一图像。 第一图像使用非零阶衍射辐射的第一部分形成。 在用第二辐射束照射结构的同时形成和检测周期性结构的第二图像。 使用在衍射光谱中与第一部分对称相对的非零级衍射辐射的第二部分形成第二图像。 确定测量的第一和第二部分光谱的强度的比率并用于确定周期性结构的轮廓的不对称性和/或提供焦点在基底上的指示。 在相同的仪器中，被检测部分的强度变化被确定为整个结构的过程引起的变化的量度。 可以从结构的测量中识别并排除具有不期望的工艺变化的结构区域。

公开(公告)号：US08868387B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US12247371

申请日：2008-10-08

申请人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Jouke Krist ,  Willem Jan Grootjans

发明人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Jouke Krist ,  Willem Jan Grootjans

IPC分类号： G06F7/50 ,  G06F17/10 ,  G06G7/48 ,  G01J3/00 ,  G06F17/50 ,  G01B11/24 ,  G03F7/20 ,  G01N21/47 ,  G01N21/956 ,  G01N21/25

CPC分类号： G03F7/70625 ,  G01B11/24 ,  G01N21/255 ,  G01N21/47 ,  G01N21/95607 ,  G06F17/10 ,  G06F17/5009

摘要： A set of parameters used in a model of a spectrometer includes free parameters and fixed parameters. A first set of values for the parameters is set and the model is used to generate a first spectrum. A value of one of the fixed parameters is changed and a second spectrum is generated. An inverse of the model of the spectrometer is then applied to the second spectrum to generate a set of values for the parameters, the values being the same as the first set of values except for one or more of the free parameters. If the free parameter has significantly changed the fixed parameter is designated a free parameter.

摘要翻译： 在光谱仪模型中使用的一组参数包括自由参数和固定参数。 设置参数的第一组值，并使用该模型生成第一个频谱。 固定参数中的一个的值被改变并产生第二个频谱。 然后将光谱仪的模型的反相应用于第二光谱以生成参数的一组值，该值与除了一个或多个空闲参数之外的第一组值相同。 如果自由参数明显改变，则固定参数被指定为空闲参数。

公开(公告)号：US08189195B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US11798039

申请日：2007-05-09

申请人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Mircea Dusa ,  Irwan Dani Setija

发明人： Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Mircea Dusa ,  Irwan Dani Setija

IPC分类号： G01B11/00 ,  G01B11/14 ,  G01B11/04 ,  G01N21/00

CPC分类号： G03F1/84 ,  G03F7/7065

摘要： A method of measuring a property of a substrate includes generating a patterned mask configured to cause a radiation beam passing through the mask to acquire the pattern, simulating radiating the substrate with a patterned radiation beam that has been patterned using the mask to obtain a simulated pattern, determining at least one location of the simulated pattern that is prone to patterning errors, and irradiating the substrate with the patterned radiation beam using a lithographic process. The method also includes measuring an accuracy of at least one property of the at least one location of the pattern on the substrate that has been determined as being prone to patterning errors, and adjusting the lithographic process according to the measuring.

摘要翻译： 测量衬底性质的方法包括：生成图案化掩模，其被配置为使通过掩模的辐射束获得图案，模拟使用掩模图案化的图案化辐射束来辐射衬底以获得模拟图案 ，确定易于图案化错误的模拟图案的至少一个位置，以及使用光刻工艺用图案化的辐射束照射衬底。 该方法还包括测量已经被确定为易于图案化错误的衬底上的图案的至少一个位置的至少一个特性的精度，以及根据测量来调整光刻处理。

公开(公告)号：US20110027704A1

公开(公告)日：2011-02-03

申请号：US12846652

申请日：2010-07-29

申请人： Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Arie Jeffrey Den Boef ,  Henricus Johannes Lambertus Megens ,  Hendrik Jan Hidde Smilde ,  Andrianus Johannes Hendrikus Schellekens ,  Michael Kubis

发明人： Hugo Augustinus Joseph Cramer ,  Arie Jeffrey Den Boef ,  Henricus Johannes Lambertus Megens ,  Hendrik Jan Hidde Smilde ,  Andrianus Johannes Hendrikus Schellekens ,  Michael Kubis

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03B27/54 ,  G06K9/00

CPC分类号： G03F7/70641 ,  G01B11/02 ,  G01B11/22 ,  G01B11/24 ,  G01B11/30 ,  G01N21/47 ,  G01N21/88 ,  G03F7/70608 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/7065

摘要： In a method of determining the focus of a lithographic apparatus used in a lithographic process on a substrate, the lithographic process is used to form a structure on the substrate, the structure having at least one feature which has an asymmetry in the printed profile which varies as a function of the focus of the lithographic apparatus on the substrate. A first image of the periodic structure is formed and detected while illuminating the structure with a first beam of radiation. The first image is formed using a first part of non-zero order diffracted radiation. A second image of the periodic structure is foamed and detected while illuminating the structure with a second beam of radiation. The second image is formed using a second part of the non-zero order diffracted radiation which is symmetrically opposite to the first part in a diffraction spectrum. The ratio of the intensities of the measured first and second portions of the spectra is determined and used to determine the asymmetry in the profile of the periodic structure and/or to provide an indication of the focus on the substrate. In the same instrument, an intensity variation across the detected portion is determined as a measure of process-induced variation across the structure. A region of the structure with unwanted process variation can be identified and excluded from a measurement of the structure.

摘要翻译： 在确定在基板上的光刻工艺中使用的光刻设备的焦点的方法中，使用光刻工艺在基板上形成结构，该结构具有至少一个特征，该特征在印刷图案中具有不对称性 作为光刻设备在基板上的焦点的函数。 在用第一辐射束照射结构的同时形成和检测周期性结构的第一图像。 第一图像使用非零阶衍射辐射的第一部分形成。 周期性结构的第二图像被发泡并被检测，同时用第二辐射束照射结构。 使用在衍射光谱中与第一部分对称相对的非零级衍射辐射的第二部分形成第二图像。 确定测量的第一和第二部分光谱的强度的比率并用于确定周期性结构的轮廓的不对称性和/或提供焦点在基底上的指示。 在相同的仪器中，被检测部分的强度变化被确定为整个结构的过程引起的变化的量度。 可以从结构的测量中识别并排除具有不期望的工艺变化的结构区域。

公开(公告)号：US20090135424A1

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：US12258719

申请日：2008-10-27

申请人： Antoine Gaston Marie Kiers ,  Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer

发明人： Antoine Gaston Marie Kiers ,  Arie Jeffrey Den Boef ,  Hugo Augustinus Joseph Cramer

IPC分类号： G06F15/00 ,  G01B11/00

CPC分类号： G03F7/70633 ,  G01N21/47 ,  G03F1/36 ,  G03F1/68

摘要： In a method for determining a structure parameter of a target pattern, a first series of calibration spectra are determined from at least one reference pattern, each spectra being determined using a different known value of at least one structure parameter of the respective reference pattern. The first series of calibration spectra does not take into account parameters of an apparatus used to produce the reference pattern. A representation of each of the first series calibration spectra is stored in a central library. A second series of calibration spectra corresponding to at least one of the stored spectra for a target spectrum is determined using the parameters of the apparatus for measuring the target spectrum. A measured target spectrum is produced by directing a beam of radiation onto the target pattern. The measured target spectrum and the second series of calibration spectra are compared, where this comparison is used to derive a value for the structure parameter of the target pattern.

摘要翻译： 在用于确定目标图案的结构参数的方法中，从至少一个参考图案确定第一系列校准光谱，每个光谱使用相应参考图案的至少一个结构参数的不同已知值来确定。 第一系列校准光谱没有考虑用于产生参考图案的装置的参数。 每个第一系列校准光谱的表示存储在中央库中。 使用用于测量目标光谱的装置的参数来确定对应于目标光谱的存储光谱中的至少一个的第二系列校准光谱。 通过将辐射束引导到目标图案上来产生测量的目标光谱。 比较测量的目标光谱和第二系列校准光谱，其中该比较用于导出目标图案的结构参数的值。