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    PATTERNING FOR SELECTIVE AREA DEPOSITION
    2.
    发明申请
    PATTERNING FOR SELECTIVE AREA DEPOSITION 有权
    选择区域沉积的方法

    公开(公告)号：US20140377963A1

    公开(公告)日：2014-12-25

    申请号：US13923401

    申请日：2013-06-21

    申请人： Carolyn R. Ellinger ,  Shelby F. Nelson ,  Kurt D. Sieber

    发明人： Carolyn R. Ellinger ,  Shelby F. Nelson ,  Kurt D. Sieber

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/02642 ,  C23C16/042 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32

    摘要： A method of producing a patterned inorganic thin film element includes providing a substrate. A thin layer of polymeric inhibitor is uniformly depositing on the substrate. A patterned mask having open areas is provided on the thin layer of polymeric inhibitor. The thin layer of polymeric inhibitor is patterned by removing inhibitor from areas exposed by the open areas of the patterned mask using a highly reactive oxygen process. An inorganic thin film layer is deposited on the substrate in the areas exposed by the removal of the thin layer of polymeric inhibitor using an atomic layer deposition process.

    摘要翻译： 制造图案化无机薄膜元件的方法包括提供基板。 聚合物抑制剂的薄层均匀地沉积在基底上。 具有开放区域的图案化掩模设置在聚合物抑制剂的薄层上。 使用高活性氧气工艺，通过从图案化掩模的开放区域暴露的区域除去抑制剂来图案化该薄层的聚合物抑制剂。 通过使用原子层沉积工艺去除聚合物抑制剂的薄层而暴露在的区域中，在衬底上沉积无机薄膜层。

    Patterning for selective area deposition
    3.
    发明授权
    Patterning for selective area deposition 有权
    图案选择性区域沉积

    公开(公告)号：US08921236B1

    公开(公告)日：2014-12-30

    申请号：US13923401

    申请日：2013-06-21

    申请人： Carolyn R. Ellinger ,  Shelby F. Nelson ,  Kurt D. Sieber

    发明人： Carolyn R. Ellinger ,  Shelby F. Nelson ,  Kurt D. Sieber

    IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/02642 ,  C23C16/042 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32

    摘要： A method of producing a patterned inorganic thin film element includes providing a substrate. A thin layer of polymeric inhibitor is uniformly depositing on the substrate. A patterned mask having open areas is provided on the thin layer of polymeric inhibitor. The thin layer of polymeric inhibitor is patterned by removing inhibitor from areas exposed by the open areas of the patterned mask using a highly reactive oxygen process. An inorganic thin film layer is deposited on the substrate in the areas exposed by the removal of the thin layer of polymeric inhibitor using an atomic layer deposition process.

    摘要翻译： 制造图案化无机薄膜元件的方法包括提供基板。 聚合物抑制剂的薄层均匀地沉积在基底上。 具有开放区域的图案化掩模设置在聚合物抑制剂的薄层上。 使用高活性氧气工艺，通过从图案化掩模的开放区域暴露的区域除去抑制剂来图案化该薄层的聚合物抑制剂。 通过使用原子层沉积工艺去除聚合物抑制剂的薄层而暴露在的区域中，在衬底上沉积无机薄膜层。

    SUBSTRATE PREPARATION FOR SELECTIVE AREA DEPOSITION
    4.
    发明申请
    SUBSTRATE PREPARATION FOR SELECTIVE AREA DEPOSITION 有权
    选择区沉积物的基材制备

    公开(公告)号：US20140377955A1

    公开(公告)日：2014-12-25

    申请号：US13923413

    申请日：2013-06-21

    申请人： Carolyn R. Ellinger ,  Shelby F. Nelson ,  Kurt D. Sieber

    发明人： Carolyn R. Ellinger ,  Shelby F. Nelson ,  Kurt D. Sieber

    IPC分类号： H01L21/308

    CPC分类号： H01L21/32 ,  C23C16/042 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0228

    摘要： A method of producing a patterned inorganic thin film element includes providing a substrate having a patterned thin layer of polymeric inhibitor on the surface. The substrate and the patterned thin layer of polymeric inhibitor are exposed to a highly reactive oxygen process. An inorganic thin film layer is deposited on the substrate in areas without inhibitor using an atomic layer deposition process.

    摘要翻译： 制造图案化无机薄膜元件的方法包括在表面上提供具有图案化的聚合物抑制剂薄层的基底。 将基底和图案化的聚合物抑制剂薄层暴露于高活性氧过程。 使用原子层沉积工艺将无机薄膜层沉积在没有抑制剂的区域的衬底上。

    ELECTRONIC ELEMENT INCLUDING DIELECTRIC STACK
    6.
    发明申请
    ELECTRONIC ELEMENT INCLUDING DIELECTRIC STACK 审中-公开
    电子元件包括电介质堆叠

    公开(公告)号：US20140061869A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：US13600266

    申请日：2012-08-31

    申请人： Shelby F. Nelson ,  Carolyn R. Ellinger ,  David H. Levy

    发明人： Shelby F. Nelson ,  Carolyn R. Ellinger ,  David H. Levy

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L21/28008 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/32 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

    摘要： An electronic element includes a substrate; a patterned first electrically conductive layer on the substrate; a patterned second electrically conductive layer on the substrate; and a dielectric stack on the substrate. A portion of the first electrically conductive layer and a portion of the second electrically conductive layer overlap each other such that an overlap region is present. At least a portion of the dielectric stack is positioned in the overlap region between the patterned first electrically conductive layer and the patterned second electrically conductive layer. The dielectric stack includes a first inorganic thin film dielectric material layer and a second inorganic thin film dielectric material layer. The first inorganic thin film dielectric material layer and the second inorganic thin film dielectric material layer have the same material composition.

    摘要翻译： 电子元件包括基板; 图案化的第一导电层; 图案化的第二导电层; 和基片上的电介质叠层。 第一导电层的一部分和第二导电层的一部分彼此重叠，使得存在重叠区域。 电介质堆叠的至少一部分位于图案化的第一导电层和图案化的第二导电层之间的重叠区域中。 电介质堆叠包括第一无机薄膜电介质材料层和第二无机薄膜电介质材料层。 第一无机薄膜电介质材料层和第二无机薄膜电介质材料层具有相同的材料组成。

    Patterned thin film dielectric stack formation
    10.
    发明授权
    Patterned thin film dielectric stack formation 有权
    图案化薄膜电介质叠层形成

    公开(公告)号：US08927434B2

    公开(公告)日：2015-01-06

    申请号：US13600274

    申请日：2012-08-31

    申请人： Carolyn R. Ellinger ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson

    发明人： Carolyn R. Ellinger ,  David H. Levy ,  Shelby F. Nelson

    IPC分类号： H01L21/314

    CPC分类号： H01L21/02348 ,  C23C16/04 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02299 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/4908

    摘要： A method of producing a patterned inorganic thin film dielectric stack includes providing a substrate. A first patterned deposition inhibiting material layer is provided on the substrate. A first inorganic thin film dielectric material layer is selectively deposited on a region of the substrate where the first deposition inhibiting material layer is not present using an atomic layer deposition process. The first deposition inhibiting and first inorganic thin film dielectric material layers are simultaneously treated after deposition of the first inorganic thin film dielectric material layer. A second patterned deposition inhibiting material layer is provided on the substrate. A second inorganic thin film dielectric material layer is selectively deposited on a region of the substrate where the second deposition inhibiting material layer is not present using an atomic layer deposition process. The first and second inorganic thin film dielectric material layers form a patterned inorganic thin film dielectric stack.

    摘要翻译： 制造图案化无机薄膜电介质叠层的方法包括提供基板。 第一图案化沉积抑制材料层设置在基板上。 使用原子层沉积工艺，在不存在第一沉积抑制材料层的基板的区域上选择性地沉积第一无机薄膜电介质材料层。 在沉积第一无机薄膜电介质材料层之后，同时处理第一沉积抑制和第一无机薄膜电介质材料层。 第二图案化的沉积抑制材料层设置在基板上。 使用原子层沉积工艺，在不存在第二沉积抑制材料层的基板的区域上选择性地沉积第二无机薄膜电介质材料层。 第一和第二无机薄膜电介质材料层形成图案化的无机薄膜电介质叠层。