公开(公告)号：US08605276B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US13286617

申请日：2011-11-01

申请人： Chih-Jen Wu ,  Chen-Ming Huang ,  Kuan-Chieh Huang ,  Chi-Yuan Shih ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Chih-Jen Wu ,  Chen-Ming Huang ,  Kuan-Chieh Huang ,  Chi-Yuan Shih ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G01N21/00 ,  G01N21/95

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/278 ,  G01N21/94 ,  G01N2021/8822 ,  G01N2021/8825

摘要： One of the broader forms of the present disclosure involves a method of enhanced defect inspection. The method includes providing a substrate having defect particles and providing a fluid over the substrate and the defect particles, the fluid having a refractive index greater than air. The method further includes exposing the substrate and the defect particles to incident radiation through the fluid, and detecting, through the fluid, radiation reflected or scattered by the defect particles.

摘要翻译： 本公开的更广泛形式之一涉及增强缺陷检查的方法。 该方法包括提供具有缺陷颗粒的基底并在基底和缺陷颗粒上提供流体，该流体的折射率大于空气。 该方法还包括将衬底和缺陷颗粒暴露于通过流体的入射辐射，以及通过流体检测由缺陷颗粒反射或散射的辐射。

公开(公告)号：US20130107248A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13286617

申请日：2011-11-01

申请人： Chih-Jen Wu ,  Chen-Ming Huang ,  Kuan-Chieh Huang ,  Chi-Yuan Shih ,  Chin-Hsiang Lin

发明人： Chih-Jen Wu ,  Chen-Ming Huang ,  Kuan-Chieh Huang ,  Chi-Yuan Shih ,  Chin-Hsiang Lin

IPC分类号： G01N21/00

CPC分类号： G01N21/9501 ,  G01N21/278 ,  G01N21/94 ,  G01N2021/8822 ,  G01N2021/8825

摘要： One of the broader forms of the present disclosure involves a method of enhanced defect inspection. The method includes providing a substrate having defect particles and providing a fluid over the substrate and the defect particles, the fluid having a refractive index greater than air. The method further includes exposing the substrate and the defect particles to incident radiation through the fluid, and detecting, through the fluid, radiation reflected or scattered by the defect particles.

摘要翻译： 本公开的更广泛形式之一涉及增强缺陷检查的方法。 该方法包括提供具有缺陷颗粒的基底并在基底和缺陷颗粒上提供流体，该流体的折射率大于空气。 该方法还包括将衬底和缺陷颗粒暴露于通过流体的入射辐射，以及通过流体检测由缺陷颗粒反射或散射的辐射。

公开(公告)号：US09136383B2

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：US13571201

申请日：2012-08-09

申请人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yen-Yu Chen

发明人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yen-Yu Chen

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/417 ,  H01L21/285 ,  H01L21/762 ,  H01L29/165

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7858 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The disclosure relates to a semiconductor device. An exemplary structure for a contact structure for a semiconductor device comprises a substrate comprising a major surface and a cavity below the major surface; a strained material in the cavity, wherein a lattice constant of the strained material is different from a lattice constant of the substrate; a Ge-containing dielectric layer over the strained material; and a metal layer over the Ge-containing dielectric layer.

摘要翻译： 本公开涉及一种半导体器件。 用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括：基底，其包括主表面和主表面下方的空腔; 空腔中的应变材料，其中应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数; 在应变材料上的含Ge介电层; 以及在含Ge介电层上的金属层。

公开(公告)号：US09041158B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13403630

申请日：2012-02-23

申请人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

发明人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L29/42368 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7856

摘要： A semiconductor apparatus includes fin field-effect transistor (FinFETs) having controlled fin heights. The apparatus includes a high fin density area and a low fin density area. Each fin density area includes fins and dielectric material between the fins. The dielectric material includes different dopant concentrations for different fin density areas and is the same material as deposited.

摘要翻译： 半导体装置包括具有受控制的翅片高度的鳍状场效应晶体管（FinFET）。 该装置包括高翅片密度区域和低翅片密度区域。 每个翅片密度区域包括翅片和翅片之间的电介质材料。 电介质材料包括用于不同翅片密度区域的不同掺杂剂浓度，并且是与沉积物相同的材料。

公开(公告)号：US08963257B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13293732

申请日：2011-11-10

申请人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yi-Tang Lin ,  Chih-Sheng Chang

发明人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yi-Tang Lin ,  Chih-Sheng Chang

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66818 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211

摘要： The disclosure relates to a Fin field effect transistor (FinFET). An exemplary structure for a FinFET comprises a substrate comprising a top surface; a first fin and a second fin extending above the substrate top surface, wherein each of the fins has a top surface and sidewalls; an insulation layer between the first and second fins extending part way up the fins from the substrate top surface; a first gate dielectric covering the top surface and sidewalls of the first fin having a first thickness and a second gate dielectric covering the top surface and sidewalls of the second fin having a second thickness less than the first thickness; and a conductive gate strip traversing over both the first gate dielectric and second gate dielectric.

摘要翻译： 本发明涉及Fin场效应晶体管（FinFET）。 FinFET的示例性结构包括：包括顶表面的衬底; 在所述基板顶表面上方延伸的第一翅片和第二翅片，其中每个翼片具有顶表面和侧壁; 所述第一和第二翅片之间的绝缘层从所述基板顶表面向上延伸所述翅片; 覆盖第一鳍片的顶表面和第一鳍片的侧壁的第一栅极电介质和覆盖第二鳍片的顶表面和第二鳍片的侧壁的第二栅极电介质具有小于第一厚度的第二厚度; 以及穿过第一栅极电介质和第二栅极电介质两端的导电栅极条。

公开(公告)号：US08592287B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13196200

申请日：2011-08-02

申请人： Chi-Yuan Shih ,  I-Hsiung Huang ,  Heng-Hsin Liu

发明人： Chi-Yuan Shih ,  I-Hsiung Huang ,  Heng-Hsin Liu

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G01N23/04 ,  G01N2223/418 ,  G01N2223/611 ,  G03F7/70633

摘要： A method comprises providing a semiconductor substrate having a first layer and a second layer above the first layer. The first layer haw a plurality of first patterns, vias or contacts. The second layer has second patterns corresponding to the first patterns, vias or contacts. The second patterns have a plurality of in-plane offsets relative to the corresponding first patterns, vias or contacts. A scanning electron microscope is used to measure line edge roughness (LER) values of the second patterns. An overlay error is calculated between the first and second layers based on the measured LER values.

摘要翻译： 一种方法包括提供在第一层上方具有第一层和第二层的半导体衬底。 第一层包含多个第一图案，通孔或接触。 第二层具有对应于第一图案，通孔或触点的第二图案。 第二图案相对于对应的第一图案，通孔或触点具有多个面内偏移。 扫描电子显微镜用于测量第二种图案的线条粗糙度（LER）值。 基于测量的LER值，在第一层和第二层之间计算覆盖误差。

公开(公告)号：US20060057597A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10985841

申请日：2004-11-09

申请人： Yu-Chong Tai ,  Chi-Yuan Shih ,  Siyang Zheng

发明人： Yu-Chong Tai ,  Chi-Yuan Shih ,  Siyang Zheng

IPC分类号： C40B40/08 ,  C40B40/10

CPC分类号： B01L3/502707 ,  B01L3/00 ,  B01L3/502753 ,  B01L3/502776 ,  B01L2300/0663

摘要： A method for processing nanoparticles using a self assembly mechanism. The method includes flowing a first reactant species through a first channel region, which has a predetermined dimension including a first width and a first depth. The method includes flowing a second reactant species through a second channel region, which also has a predetermined dimension including a second width and a second depth. The method includes outputting the first reactant species through a first orifice exiting the first channel region and outputting the second reactant species through a second orifice exiting the second channel region. Additionally, the method forms an interface region along a first predetermined length in a third channel, which couples the first orifice to the second orifice at the interface region. The method contacts one or more of the first reactant species with one or more of the second reactant species at the interface region to form a combined species of the one or more first reactant species and the one or more second reactant species. The method also transfers the combined species of the one or more first reactant and the one or more second reactant species from the first predetermined length to a second predetermined length of the third channel region.

摘要翻译： 使用自组装机构处理纳米颗粒的方法。 该方法包括使第一反应物种流过第一通道区，第一通道区具有包括第一宽度和第一深度的预定尺寸。 该方法包括使第二反应物种流过第二通道区，第二通道区也具有包括第二宽度和第二深度的预定尺寸。 该方法包括通过离开第一通道区域的第一孔输出第一反应物种，并通过离开第二通道区的第二孔输出第二反应物种。 此外，该方法在第三通道中形成沿着第一预定长度的界面区域，其在接口区域处将第一孔口耦合到第二孔口。 该方法在界面区域将一种或多种第一反应物种与一种或多种第二反应物种接触，以形成一种或多种第一反应物种和一种或多种第二种反应物种的组合物种。 该方法还将一种或多种第一反应物和一种或多种第二反应物种类的组合物质从第一预定长度转移到第三通道区域的第二预定长度。

公开(公告)号：US08946829B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US13273527

申请日：2011-10-14

申请人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yi-Tang Lin ,  Chih-Sheng Chang ,  Chi-Wen Liu

发明人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yi-Tang Lin ,  Chih-Sheng Chang ,  Chi-Wen Liu

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

摘要： A semiconductor apparatus includes fin field-effect transistor (FinFETs) having shaped fins and regular fins. Shaped fins have top portions that may be smaller, larger, thinner, or shorter than top portions of regular fins. The bottom portions of shaped fins and regular fins are the same. FinFETs may have only one or more shaped fins, one or more regular fins, or a mixture of shaped fins and regular fins. A semiconductor manufacturing process to shape one fin includes forming a photolithographic opening of one fin, optionally doping a portion of the fin, and etching a portion of the fin.

摘要翻译： 半导体装置包括具有成形翅片和规则翅片的鳍状场效应晶体管（FinFET）。 成形翅片的顶部可以比普通翅片的顶部更小，更大，更薄或更短。 成形翅片和规则翅片的底部是相同的。 FinFET可以仅具有一个或多个成形翅片，一个或多个规则翅片，或者成形翅片和规则翅片的混合物。 形成一个鳍片的半导体制造工艺包括形成一个鳍片的光刻开口，可选地掺杂鳍片的一部分，以及蚀刻鳍片的一部分。

公开(公告)号：US20130221491A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：US13403630

申请日：2012-02-23

申请人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

发明人： Clement Hsingjen Wann ,  Ling-Yen Yeh ,  Chi-Yuan Shih ,  Yuan-Fu Shao ,  Wen-Huei Guo ,  Tung Ying Lee

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42368 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/7856

摘要： A semiconductor apparatus includes fin field-effect transistor (FinFETs) having controlled fin heights. The apparatus includes a high fin density area and a low fin density area. Each fin density area includes fins and dielectric material between the fins. The dielectric material includes different dopant concentrations for different fin density areas and is the same material as deposited.

摘要翻译： 半导体装置包括具有受控制的翅片高度的鳍状场效应晶体管（FinFET）。 该装置包括高翅片密度区域和低翅片密度区域。 每个翅片密度区域包括翅片和翅片之间的电介质材料。 电介质材料包括用于不同翅片密度区域的不同掺杂剂浓度，并且是与沉积物相同的材料。

公开(公告)号：US08183701B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12511638

申请日：2009-07-29

申请人： Chi-Yuan Shih ,  Sophia Wang ,  Heng-Hsin Liu ,  Heng-Jen Lee

发明人： Chi-Yuan Shih ,  Sophia Wang ,  Heng-Hsin Liu ,  Heng-Jen Lee

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/00

CPC分类号： G03F9/7049 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/7084

摘要： The present disclosure provides an integrated circuit. The integrated circuit includes a semiconductor substrate; a plurality of material layers formed on the semiconductor substrate, each of the material layers including a circuit pattern therein; and a plurality of diffraction-based periodic marks formed in the plurality of material layers and stacked in a same region. One of the diffraction-based periodic marks is different from at least one other of the diffraction-based periodic marks in pitch.

摘要翻译： 本发明提供集成电路。 集成电路包括半导体衬底; 形成在所述半导体基板上的多个材料层，每个所述材料层包括其中的电路图案; 以及形成在多个材料层中并堆叠在相同区域中的多个衍射基周期标记。 基于衍射的周期标记中的一个不同于间距中基于衍射的周期性标记中的至少另一个。