公开(公告)号：US20070232026A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11726354

申请日：2007-03-21

申请人： Chris Apanius ,  Robert Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

发明人： Chris Apanius ,  Robert Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/29 ,  C08F32/00 ,  C08G64/0208 ,  C09D145/00 ,  H01L24/13 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/838 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/05599

摘要： Materials, and methods that use such materials, that are useful for forming chip stacks, chip and wafer bonding and wafer thinning are disclosed. Such methods and materials provide strong bonds while also being readily removed with little or no residues.

摘要翻译： 公开了使用这种材料的材料和方法，其可用于形成芯片堆叠，芯片和晶片接合以及晶片薄化。 这样的方法和材料提供强的键，同时也很少或没有残留物容易地除去。

公开(公告)号：US20080073741A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11903190

申请日：2007-09-20

申请人： Chris Apanius ,  Robert Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

发明人： Chris Apanius ,  Robert Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

IPC分类号： H01L31/0203 ,  C08F10/00

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/82 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8303 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： Materials, and methods that use such materials, that are useful for forming chip stacks, chip and wafer bonding and wafer thinning are disclosed. Such methods and materials provide strong bonds while also being readily removed with little or no residues.

摘要翻译： 公开了使用这种材料的材料和方法，其可用于形成芯片堆叠，芯片和晶片接合以及晶片薄化。 这样的方法和材料提供强的键，同时也很少或没有残留物容易地除去。

公开(公告)号：US08816485B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13352424

申请日：2012-01-18

申请人： Chris Apanius ,  Robert A. Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

发明人： Chris Apanius ,  Robert A. Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L25/00 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/82 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8303 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： Materials, and methods that use such materials, that are useful for forming chip stacks, chip and wafer bonding and wafer thinning are disclosed. Such methods and materials provide strong bonds while also being readily removed with little or no residues.

摘要翻译： 公开了使用这种材料的材料和方法，其可用于形成芯片堆叠，芯片和晶片接合以及晶片薄化。 这样的方法和材料提供强的键，同时也很少或没有残留物容易地除去。

公开(公告)号：US20120175721A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13352424

申请日：2012-01-18

申请人： Chris Apanius ,  Robert A. Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

发明人： Chris Apanius ,  Robert A. Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

IPC分类号： H01L31/0203

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/82 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8303 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： Materials, and methods that use such materials, that are useful for forming chip stacks, chip and wafer bonding and wafer thinning are disclosed. Such methods and materials provide strong bonds while also being readily removed with little or no residues.

摘要翻译： 公开了使用这种材料的材料和方法，其可用于形成芯片堆叠，芯片和晶片接合以及晶片薄化。 这样的方法和材料提供强的键，同时也很少或没有残留物容易地除去。

公开(公告)号：US07932161B2

公开(公告)日：2011-04-26

申请号：US11726354

申请日：2007-03-21

申请人： Chris Apanius ,  Robert A. Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

发明人： Chris Apanius ,  Robert A. Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L24/29 ,  C08F32/00 ,  C08G64/0208 ,  C09D145/00 ,  H01L24/13 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/838 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/05599

摘要： Materials, and methods that use such materials, that are useful for forming chip stacks, chip and wafer bonding and wafer thinning are disclosed. Such methods and materials provide strong bonds while also being readily removed with little or no residues.

摘要翻译： 公开了使用这种材料的材料和方法，其可用于形成芯片堆叠，芯片和晶片接合以及晶片薄化。 这样的方法和材料提供强的键，同时也很少或没有残留物容易地除去。

公开(公告)号：US08120168B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US11903190

申请日：2007-09-20

申请人： Chris Apanius ,  Robert A. Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

发明人： Chris Apanius ,  Robert A. Shick ,  Hendra Ng ,  Andrew Bell ,  Wei Zhang ,  Phil Neal

IPC分类号： H01L23/10

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/82 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8303 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： Materials, and methods that use such materials, that are useful for forming chip stacks, chip and wafer bonding and wafer thinning are disclosed. Such methods and materials provide strong bonds while also being readily removed with little or no residues.

摘要翻译： 公开了使用这种材料的材料和方法，其可用于形成芯片堆叠，芯片和晶片接合以及晶片薄化。 这样的方法和材料提供强的键，同时也很少或没有残留物容易地除去。

公开(公告)号：US08053515B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US11949328

申请日：2007-12-03

申请人： Edmund Elce ,  Andrew Bell ,  Brian Knapp ,  Hendra Ng ,  Larry F. Rhodes ,  Robert Shick ,  Wei Zhang ,  William DiMenna ,  Saikumar Jayaraman ,  Jianyong Jin ,  Rajesh Raja Puthenkovilakom ,  Ramakrishna Ravikiran ,  Xiaoming Wu ,  Etsu Takeuchi

发明人： Edmund Elce ,  Andrew Bell ,  Brian Knapp ,  Hendra Ng ,  Larry F. Rhodes ,  Robert Shick ,  Wei Zhang ,  William DiMenna ,  Saikumar Jayaraman ,  Jianyong Jin ,  Rajesh Raja Puthenkovilakom ,  Ramakrishna Ravikiran ,  Xiaoming Wu ,  Etsu Takeuchi

IPC分类号： C08G63/60

CPC分类号： C08G61/04 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0388

摘要： A polymer includes a first type of repeat unit represented by Formula I: where X is selected from —CH2—, —CH2—CH2—, or —O—; m is an integer from 0 to about 5; and where for the first type of repeat unit one of R1, R2, R3, and R4 is one of a maleimide containing group and for the second type of repeat unit one of R1, R2, R3, and R4 is a hindered aromatic group, a C8 or greater alkyl group, a C4 or greater halohydrocarbyl or perhalocarbyl group, a C7 or greater aralkyl group, or a heteroatom hydrocarbyl or halohydrocarbyl group.

摘要翻译： 聚合物包括由式I表示的第一类型的重复单元：其中X选自-CH 2 - ， - CH 2 -CH 2 - 或-O-; m是0至约5的整数; 并且对于第一类型的重复单元，R 1，R 2，R 3和R 4中的一个是含马来酰亚胺基团之一，并且对于第二类型的重复单元，R 1，R 2，R 3和R 4中的一个是受阻芳族基团， C8或更大的烷基，C4或更大的卤代烃基或全卤代羰基，C7或更高的芳烷基或杂原子烃基或卤代烃基。

公开(公告)号：US20080194740A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11949328

申请日：2007-12-03

申请人： Edmund Elce ,  Andrew Bell ,  Brian Knapp ,  Hendra Ng ,  Larry F. Rhodes ,  Robert Shick ,  Wei Zhang ,  William DiMenna ,  Saikumar Jayaraman ,  Jianyong Jin ,  Rajesh Raja Puthenkovilakom ,  Ramakrishna Ravikiran ,  Xiaoming Wu ,  Etsu Takeuchi

发明人： Edmund Elce ,  Andrew Bell ,  Brian Knapp ,  Hendra Ng ,  Larry F. Rhodes ,  Robert Shick ,  Wei Zhang ,  William DiMenna ,  Saikumar Jayaraman ,  Jianyong Jin ,  Rajesh Raja Puthenkovilakom ,  Ramakrishna Ravikiran ,  Xiaoming Wu ,  Etsu Takeuchi

IPC分类号： C08K5/45 ,  C08G73/00 ,  C08K5/1545

CPC分类号： C08G61/04 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0388

摘要： A polymer includes a first type of repeat unit represented by Formula I: where X is selected from —CH2—, —CH2—CH2—, or —O—; m is an integer from 0 to about 5; and where for the first type of repeat unit one of R1, R2, R3, and R4 is one of a maleimide containing group and for the second type of repeat unit one of R1, R2, R3, and R4 is a hindered aromatic group, a C8 or greater alkyl group, a C4 or greater halohydrocarbyl or perhalocarbyl group, a C7 or greater aralkyl group, or a heteroatom hydrocarbyl or halohydrocarbyl group.

摘要翻译： 聚合物包括由式I表示的第一类型的重复单元：其中X选自-CH 2 - ， - CH 2 -CH 2 > - 或-O-; m是0至约5的整数; 并且对于第一类型的重复单元，R 1，R 2，R 3和R 4中的一个，R 4， >是含有马来酰亚胺的基团之一，对于第二类型的重复单元，R 1，R 2，R 3和R 3中的一个，R 3，R 3， 受阻芳族基团，C 8或更高级烷基，C 4或更大的卤代烃基或全卤代羰基，C _{7个或更大的芳烷基，或杂原子烃基或卤代烃基。}

公开(公告)号：US08753790B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US12803602

申请日：2010-06-30

申请人： Osamu Onishi ,  Haruo Ikeda ,  Larry Rhodes ,  Paul Evans ,  Edmund Elce ,  Andrew Bell ,  Chad Brick ,  Hendra Ng ,  Pramod Kandanarachchi

发明人： Osamu Onishi ,  Haruo Ikeda ,  Larry Rhodes ,  Paul Evans ,  Edmund Elce ,  Andrew Bell ,  Chad Brick ,  Hendra Ng ,  Pramod Kandanarachchi

IPC分类号： G03F7/016 ,  G03F7/021 ,  G03F7/30

CPC分类号： C08G61/08 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/418 ,  C08L65/00 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0382

摘要： Embodiments in accordance with the present invention encompass self-imageable film forming compositions that comprise norbornene-type polymers and that can be formulated to be either positive tone imaging or negative tone. The films formed thereby are useful in the forming of microelectronic and optoelectronics devices.

摘要翻译： 根据本发明的实施方案包括包含降冰片烯型聚合物并且可以配制为正色调成像或负色调的自成像成膜组合物。 由此形成的膜可用于形成微电子和光电子器件。

公开(公告)号：US20110104614A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12803602

申请日：2010-06-30

申请人： Osamu Onishi ,  Haruo Ikeda ,  Larry Rhodes ,  Paul Evans ,  Edmund Elce ,  Andrew Bell ,  Chad Brick ,  Hendra Ng ,  Pramod Kandanarachchi

发明人： Osamu Onishi ,  Haruo Ikeda ,  Larry Rhodes ,  Paul Evans ,  Edmund Elce ,  Andrew Bell ,  Chad Brick ,  Hendra Ng ,  Pramod Kandanarachchi

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

CPC分类号： C08G61/08 ,  C08G2261/3324 ,  C08G2261/418 ,  C08L65/00 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0382

摘要： Embodiments in accordance with the present invention encompass self-imageable film forming compositions that comprise norbornene-type polymers and that can be formulated to be either positive tone imaging or negative tone. The films formed thereby are useful in the forming of microelectronic and optoelectronics devices.

摘要翻译： 根据本发明的实施方案包括包含降冰片烯型聚合物并且可以配制为正色调成像或负色调的自成像成膜组合物。 由此形成的膜可用于形成微电子和光电子器件。