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    Multi-strained source/drain structures
    2.
    发明授权
    Multi-strained source/drain structures 有权
    多应变源/漏结构

    公开(公告)号：US08405160B2

    公开(公告)日：2013-03-26

    申请号：US12787972

    申请日：2010-05-26

    申请人： Chun-Fai Cheng ,  Fung Ka Hing ,  Ming-Huan Tsai ,  Chun-Feng Nieh ,  Yimin Huang ,  Han-Ting Tsai ,  Haiting Wang

    发明人： Chun-Fai Cheng ,  Fung Ka Hing ,  Ming-Huan Tsai ,  Chun-Feng Nieh ,  Yimin Huang ,  Han-Ting Tsai ,  Haiting Wang

    IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8238

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

    摘要： The present disclosure provides a semiconductor device. The semiconductor device includes a silicon substrate. The semiconductor device includes first and second regions that are disposed in the substrate. The first and second regions have a silicon compound material. The semiconductor device includes first and second source/drain structures that are partially disposed in the first and second regions, respectively. The semiconductor device includes a first gate that is disposed over the substrate. The first gate has a first proximity to the first region. The semiconductor device includes a second gate that is disposed over the substrate. The second gate has a second proximity to the second region. The second proximity is different from the first proximity. The first source/drain structure and the first gate are portions of a first transistor, and the second source/drain structure and the second gate are portions of a second transistor.

    摘要翻译： 本发明提供一种半导体器件。 半导体器件包括硅衬底。 半导体器件包括设置在衬底中的第一和第二区域。 第一和第二区域具有硅化合物材料。 半导体器件包括分别部分地设置在第一和第二区域中的第一和第二源极/漏极结构。 半导体器件包括设置在衬底上的第一栅极。 第一个门第一个靠近第一个地区。 半导体器件包括设置在衬底上的第二栅极。 第二个门第二个靠近第二个区域。 第二接近度与第一接近度不同。 第一源极/漏极结构和第一栅极是第一晶体管的部分，并且第二源极/漏极结构和第二栅极是第二晶体管的部分。

    MULTI-STRAINED SOURCE/DRAIN STRUCTURES
    3.
    发明申请
    MULTI-STRAINED SOURCE/DRAIN STRUCTURES 有权
    多应变源/排水结构

    公开(公告)号：US20110291201A1

    公开(公告)日：2011-12-01

    申请号：US12787972

    申请日：2010-05-26

    申请人： Chun-Fai Cheng ,  Fung Ka Hing ,  Ming-Huan Tsai ,  Chun-Feng Nieh ,  Yimin Huang ,  Han-Ting Tsai ,  Haiting Wang

    发明人： Chun-Fai Cheng ,  Fung Ka Hing ,  Ming-Huan Tsai ,  Chun-Feng Nieh ,  Yimin Huang ,  Han-Ting Tsai ,  Haiting Wang

    IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833

    摘要： The present disclosure provides a semiconductor device. The semiconductor device includes a silicon substrate. The semiconductor device includes first and second regions that are disposed in the substrate. The first and second regions have a silicon compound material. The semiconductor device includes first and second source/drain structures that are partially disposed in the first and second regions, respectively. The semiconductor device includes a first gate that is disposed over the substrate. The first gate has a first proximity to the first region. The semiconductor device includes a second gate that is disposed over the substrate. The second gate has a second proximity to the second region. The second proximity is different from the first proximity. The first source/drain structure and the first gate are portions of a first transistor, and the second source/drain structure and the second gate are portions of a second transistor.

    摘要翻译： 本发明提供一种半导体器件。 半导体器件包括硅衬底。 半导体器件包括设置在衬底中的第一和第二区域。 第一和第二区域具有硅化合物材料。 半导体器件包括分别部分地设置在第一和第二区域中的第一和第二源/漏结构。 半导体器件包括设置在衬底上的第一栅极。 第一个门第一个靠近第一个地区。 半导体器件包括设置在衬底上的第二栅极。 第二个门第二个靠近第二个区域。 第二接近度不同于第一接近度。 第一源极/漏极结构和第一栅极是第一晶体管的部分，并且第二源极/漏极结构和第二栅极是第二晶体管的部分。

    Facet-free semiconductor device
    5.
    发明授权
    Facet-free semiconductor device 有权
    无方块半导体器件

    公开(公告)号：US08680625B2

    公开(公告)日：2014-03-25

    申请号：US12905579

    申请日：2010-10-15

    申请人： Wei-Han Fan ,  Yu-Hsien Lin ,  Yimin Huang ,  Ming-Huan Tsai ,  Hsueh-Chang Sung ,  Chun-Fai Cheng

    发明人： Wei-Han Fan ,  Yu-Hsien Lin ,  Yimin Huang ,  Ming-Huan Tsai ,  Hsueh-Chang Sung ,  Chun-Fai Cheng

    IPC分类号： H01L27/088

    CPC分类号： H01L29/165 ,  H01L21/28123 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

    摘要： An exemplary semiconductor device is described, which includes a semiconductor substrate having an active region and an isolation region. The active region has a first edge which interfaces with the isolation region. A gate structure formed on the semiconductor substrate. A spacer element abuts the gate structure and overlies the first edge. In an embodiment, the isolation region is an STI structure. An epitaxy region may be formed adjacent the spacer. In embodiments, this epitaxy region is facet-free.

    摘要翻译： 描述了一种示例性的半导体器件，其包括具有有源区和隔离区的半导体衬底。 有源区域具有与隔离区域相接合的第一边缘。 形成在半导体衬底上的栅极结构。 间隔元件邻接栅极结构并覆盖在第一边缘上。 在一个实施例中，隔离区域是STI结构。 可以在间隔物附近形成外延区域。 在实施例中，该外延区域是无面的。

    Spacer elements for semiconductor device
    8.
    发明授权
    Spacer elements for semiconductor device 有权
    半导体器件的间隔元件

    公开(公告)号：US08455952B2

    公开(公告)日：2013-06-04

    申请号：US12951676

    申请日：2010-11-22

    申请人： Yun Jing Lin ,  Wei-Han Fan ,  Yu-Hsien Lin ,  Yimin Huang

    发明人： Yun Jing Lin ,  Wei-Han Fan ,  Yu-Hsien Lin ,  Yimin Huang

    IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

    CPC分类号： H01L29/41783 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

    摘要： The present disclosure describes a semiconductor device including a semiconductor substrate and a gate stack disposed on the semiconductor substrate. A first spacer element is disposed on the substrate abutting the first gate stack. In an embodiment, the first spacer element includes silicon nitride. A second spacer element is adjacent the first spacer element. In an embodiment, the second spacer element includes silicon oxide. A raised source and a first raised drain is provided laterally contacting sidewalls of the second spacer element. In an embodiment, a contact directly interfaces with the second spacer element.

    摘要翻译： 本公开描述了一种包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅极堆叠的半导体器件。 第一间隔元件设置在邻接第一栅极叠层的基板上。 在一个实施例中，第一间隔元件包括氮化硅。 第二间隔元件与第一间隔元件相邻。 在一个实施例中，第二间隔元件包括氧化硅。 凸起的源和第一升高的漏极被设置成横向接触第二间隔元件的侧壁。 在一个实施例中，触点与第二间隔元件直接接触。

    SPACER ELEMENTS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
    9.
    发明申请
    SPACER ELEMENTS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件的间隔元件

    公开(公告)号：US20120126331A1

    公开(公告)日：2012-05-24

    申请号：US12951676

    申请日：2010-11-22

    申请人： Yun Jing Lin ,  Wei-Han Fan ,  Yu-Hsien Lin ,  Yimin Huang

    发明人： Yun Jing Lin ,  Wei-Han Fan ,  Yu-Hsien Lin ,  Yimin Huang

    IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L29/772

    CPC分类号： H01L29/41783 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

    摘要： The present disclosure describes a semiconductor device including a semiconductor substrate and a gate stack disposed on the semiconductor substrate. A first spacer element is disposed on the substrate abutting the first gate stack. In an embodiment, the first spacer element includes silicon nitride. A second spacer element is adjacent the first spacer element. In an embodiment, the second spacer element includes silicon oxide. A raised source and a first raised drain is provided laterally contacting sidewalls of the second spacer element. In an embodiment, a contact directly interfaces with the second spacer element.

    摘要翻译： 本公开描述了一种包括半导体衬底和设置在半导体衬底上的栅极堆叠的半导体器件。 第一间隔元件设置在邻接第一栅极叠层的基板上。 在一个实施例中，第一间隔元件包括氮化硅。 第二间隔元件与第一间隔元件相邻。 在一个实施例中，第二间隔元件包括氧化硅。 凸起的源和第一升高的漏极被设置成横向接触第二间隔元件的侧壁。 在一个实施例中，触点与第二间隔元件直接接触。