公开(公告)号：US20180226509A1

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：US15747925

申请日：2015-07-31

申请人： Elijah V. Karpov ,  Prashant Majhi ,  Roza Kotlyar ,  Niloy Mukherjee ,  Charles C. Kuo ,  Uday Shah ,  Ravi Pillarisetty ,  Robert S. Chau

发明人： Elijah V. Karpov ,  Prashant Majhi ,  Roza Kotlyar ,  Niloy Mukherjee ,  Charles C. Kuo ,  Uday Shah ,  Ravi Pillarisetty ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/07 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49 ,  H01L29/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/0705 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/02 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78642 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： A microelectronic device having a functional metal oxide channel may be fabricated on a microelectronic substrate that can be utilized in very large scale integration, such as a silicon substrate, by forming a buffer transition layer between the microelectronic substrate and the functional metal oxide channel. In one embodiment, the microelectronic device may be a microelectronic transistor with a source structure and a drain structure formed on the buffer transition layer, wherein the source structure and the drain structure abut opposing sides of the functional metal oxide channel and a gate dielectric is disposed between a gate electrode and the functional metal oxide channel. In another embodiment, the microelectronic device may be a two-terminal microelectronic device.

公开(公告)号：US10355205B2

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：US15528674

申请日：2014-12-18

申请人： Prashant Majhi ,  Ravi Pillarisetty ,  Niloy Mukherjee ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Robert S. Chau

发明人： Prashant Majhi ,  Ravi Pillarisetty ,  Niloy Mukherjee ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L45/00

摘要： Resistive memory cells are described. In some embodiments, the resistive memory cells include a switching layer having an inner region in which one or more filaments is formed. In some instances, the filaments is/are formed only within the inner region of the switching layer. Methods of making such resistive memory cells and devices including such cells are also described.

公开(公告)号：US20150091067A1

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：US14040574

申请日：2013-09-27

申请人： Ravi Pillarisetty ,  Brian S. Doyle ,  Elijah V. Karpov ,  David L. Kencke ,  Uday Shah ,  Charles C. Kuo ,  Robert S. Chau

发明人： Ravi Pillarisetty ,  Brian S. Doyle ,  Elijah V. Karpov ,  David L. Kencke ,  Uday Shah ,  Charles C. Kuo ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616 ,  H01L2029/7858

摘要： An insulating layer is deposited over a transistor structure. The transistor structure comprises a gate electrode over a device layer on a substrate. The transistor structure comprises a first contact region and a second contact region on the device layer at opposite sides of the gate electrode. A trench is formed in the first insulating layer over the first contact region. A metal-insulator phase transition material layer with a S-shaped IV characteristic is deposited in the trench or in the via of the metallization layer above on the source side.

摘要翻译： 在晶体管结构上沉积绝缘层。 晶体管结构包括位于衬底上的器件层上的栅电极。 晶体管结构包括在栅电极的相对侧的器件层上的第一接触区域和第二接触区域。 在第一接触区域上的第一绝缘层中形成沟槽。 具有S形IV特性的金属 - 绝缘体相变材料层沉积在源极侧上方的金属化层的沟槽或通路中。

公开(公告)号：US20150255711A1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：US14723310

申请日：2015-05-27

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。

公开(公告)号：US20170040530A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：US15333017

申请日：2016-10-24

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L43/10 ,  H01F10/16 ,  H01L43/12 ,  H01F10/14 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。

公开(公告)号：US09054302B2

公开(公告)日：2015-06-09

申请号：US14313690

申请日：2014-06-24

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。

公开(公告)号：US20140308760A1

公开(公告)日：2014-10-16

申请号：US14313690

申请日：2014-06-24

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L43/12

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

公开(公告)号：US08796797B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13723893

申请日：2012-12-21

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。

公开(公告)号：US20140175575A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：US13723893

申请日：2012-12-21

申请人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

发明人： Brian S. Doyle ,  Charles C. Kuo ,  Kaan Oguz ,  Uday Shah ,  Elijah V. Karpov ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Mark L. Doczy ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  G11C11/18 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular spin transfer torque memory (STTM) devices with enhanced stability and methods of fabricating perpendicular STTM devices with enhanced stability are described. For example, a material layer stack for a magnetic tunneling junction includes a fixed magnetic layer. A dielectric layer is disposed above the fixed magnetic layer. A free magnetic layer is disposed above the dielectric layer. A conductive oxide material layer is disposed on the free magnetic layer.

摘要翻译： 描述了具有增强的稳定性的垂直自旋转移转矩存储器（STTM）装置和制造具有增强的稳定性的垂直STTM装置的方法。 例如，用于磁隧道结的材料层堆叠包括固定磁性层。 电介质层设置在固定磁性层的上方。 自由磁性层设置在电介质层的上方。 导电氧化物材料层设置在自由磁性层上。

公开(公告)号：US20140374689A1

公开(公告)日：2014-12-25

申请号：US13925951

申请日：2013-06-25

申请人： Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

发明人： Elijah V. Karpov ,  Brian S. Doyle ,  Uday Shah ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/146 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266

摘要： Conductive oxide random access memory (CORAM) cells and methods of fabricating CORAM cells are described. For example, a material layer stack for a memory element includes a first conductive electrode. An insulating layer is disposed on the first conductive oxide and has an opening with sidewalls therein that exposes a portion of the first conductive electrode. A conductive oxide layer is disposed in the opening, on the first conductive electrode and along the sidewalls of the opening. A second electrode is disposed in the opening, on the conductive oxide layer.

摘要翻译： 描述了导电氧化物随机存取存储器（CORAM）单元和制造CORAM单元的方法。 例如，用于存储元件的材料层堆叠包括第一导电电极。 绝缘层设置在第一导电氧化物上并且具有露出第一导电电极的一部分的侧壁的开口。 导电氧化物层设置在开口中，在第一导电电极上并且沿着开口的侧壁。 第二电极设置在开口中，在导电氧化物层上。