公开(公告)号：US20120216281A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13315531

申请日：2011-12-09

申请人： Eric Ridvan Uner ,  Benjamin James Leslie ,  Joshua Scott Matthews ,  Changhua Chen ,  Thomas Smigelski ,  Anthony Kobrinetz

发明人： Eric Ridvan Uner ,  Benjamin James Leslie ,  Joshua Scott Matthews ,  Changhua Chen ,  Thomas Smigelski ,  Anthony Kobrinetz

IPC分类号： G06F21/24

CPC分类号： G06F21/51 ,  G06F21/50 ,  G06F21/52 ,  G06F21/566 ,  H04L9/3234

摘要： A method and apparatus for resisting malicious code in a computing device. A software component corresponding to an operating system kernel is analyzed prior to executing the software component to detect the presence of one or more specific instructions such as malicious code, a change in mode permissions or instructions to modify or turn off security monitoring software, and taking a graduated action in response to the detection of one or more specific instructions. The graduated action taken is specified by a security policy (or policies) stored on the computing device. The analyzing may include off-line scanning of a particular code or portion of code for certain instructions, op codes, or patterns, and includes scanning in real-time as the kernel or kernel module is loading while the code being scanned is not yet executing (i.e., it is not yet “on-line”). Analysis of other code proceeds according to policies.

摘要翻译： 一种用于在计算设备中抵抗恶意代码的方法和装置。 在执行软件组件之前分析对应于操作系统内核的软件组件以检测一个或多个特定指令的存在，例如恶意代码，模式许可的改变或修改或关闭安全监控软件的指令，以及采取 响应于检测到一个或多个特定指令的分级动作。 所采取的分级动作由存储在计算设备上的安全策略（或策略）指定。 分析可以包括用于某些指令，操作代码或模式的特定代码或代码部分的离线扫描，并且包括当正在扫描的代码尚未执行时内核或内核模块正在加载时实时扫描 （即，它还没有“在线”）。 根据政策对其他代码进行分析。

公开(公告)号：US20050167693A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11095854

申请日：2005-03-30

申请人： Werner Goetz ,  Michael Camras ,  Changhua Chen ,  Xiaoping Chen ,  Gina Christenson ,  R. Kern ,  Chihping Kuo ,  Paul Martin ,  Daniel Steigerwald

发明人： Werner Goetz ,  Michael Camras ,  Changhua Chen ,  Xiaoping Chen ,  Gina Christenson ,  R. Kern ,  Chihping Kuo ,  Paul Martin ,  Daniel Steigerwald

IPC分类号： H01S5/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/042 ,  H01S5/323 ,  H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

摘要： P-type layers of a GaN based light-emitting device are optimized for formation of Ohmic contact with metal. In a first embodiment, a p-type GaN transition layer with a resistivity greater than or equal to about 7 Ω cm is formed between a p-type conductivity layer and a metal contact. In a second embodiment, the p-type transition layer is any III-V semiconductor. In a third embodiment, the p-type transition layer is a superlattice. In a fourth embodiment, a single p-type layer of varying composition and varying concentration of dopant is formed.

摘要翻译： GaN基发光器件的P型层优化用于形成与金属的欧姆接触。 在第一实施例中，在p型导电层和金属接触之间形成电阻率大于或等于约7Ωcm的p型GaN过渡层。 在第二实施例中，p型过渡层是任何III-V半导体。 在第三实施例中，p型过渡层是超晶格。 在第四实施例中，形成具有不同组成和不同浓度的掺杂剂的单一p型层。

公开(公告)号：US06500257B1

公开(公告)日：2002-12-31

申请号：US09062028

申请日：1998-04-17

申请人： Shih-Yuan Wang ,  Changhua Chen ,  Yong Chen ,  Scott W. Corzine ,  R. Scott Kern ,  Richard P. Schneider, Jr.

发明人： Shih-Yuan Wang ,  Changhua Chen ,  Yong Chen ,  Scott W. Corzine ,  R. Scott Kern ,  Richard P. Schneider, Jr.

IPC分类号： C30B2300

CPC分类号： H01L21/02647 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642

摘要： An epitaxial material grown laterally in a trench allows for the fabrication of a trench-based semiconductor material that is substantially low in dislocation density. Initiating the growth from a sidewall of a trench minimizes the density of dislocations present in the lattice growth template, which minimizes the dislocation density in the regrown material. Also, by allowing the regrowth to fill and overflow the trench, the low dislocation density material can cover the entire surface of the substrate upon which the low dislocation density material is grown. Furthermore, with successive iterations of the trench growth procedure, higher quality material can be obtained. Devices that require a stable, high quality epitaxial material can then be fabricated from the low dislocation density material.

摘要翻译： 在沟槽中横向生长的外延材料允许制造基本上低的位错密度的基于沟槽的半导体材料。 从沟槽的侧壁开始生长使晶格生长模板中存在的位错的密度最小化，这使再生材料中的位错密度最小化。 此外，通过允许再生长填充和溢出沟槽，低位错密度材料可以覆盖生长低位错密度材料的基底的整个表面。 此外，随着沟槽生长过程的连续迭代，可以获得更高质量的材料。 然后可以从低位错密度材料制造需要稳定的高质量外延材料的器件。

公开(公告)号：US06914272B2

公开(公告)日：2005-07-05

申请号：US10721440

申请日：2003-11-24

申请人： Werner K. Goetz ,  Michael D. Camras ,  Changhua Chen ,  Gina L. Christenson ,  R. Scott Kern ,  Chihping Kuo ,  Paul Scott Martin ,  Daniel A. Steigerwald

发明人： Werner K. Goetz ,  Michael D. Camras ,  Changhua Chen ,  Gina L. Christenson ,  R. Scott Kern ,  Chihping Kuo ,  Paul Scott Martin ,  Daniel A. Steigerwald

IPC分类号： H01S5/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/042 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

摘要： P-type layers of a GaN based light-emitting device are optimized for formation of Ohmic contact with metal. In a first embodiment, a p-type GaN transition layer with a resistivity greater than or equal to about 7 Ωcm is formed between a p-type conductivity layer and a metal contact. In a second embodiment, the p-type transition layer is any III-V semiconductor. In a third embodiment, the p-type transition layer is a superlattice. In a fourth embodiment, a single p-type layer of varying composition and varying concentration of dopant is formed.

摘要翻译： GaN基发光器件的P型层优化用于形成与金属的欧姆接触。 在第一实施例中，在p型导电层和金属触点之间形成电阻率大于或等于约7Ωgm的p型GaN过渡层。 在第二实施例中，p型过渡层是任何III-V半导体。 在第三实施例中，p型过渡层是超晶格。 在第四实施例中，形成具有不同组成和不同浓度的掺杂剂的单一p型层。

公开(公告)号：US5909051A

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：US802183

申请日：1997-02-18

申请人： Stephen A. Stockman ,  Daniel A. Steigerwald ,  Changhua Chen

发明人： Stephen A. Stockman ,  Daniel A. Steigerwald ,  Changhua Chen

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L33/02 ,  H01L33/30 ,  H01S5/30 ,  H01L33/00 ,  H01L29/167

CPC分类号： H01L33/305 ,  H01L33/025 ,  H01S5/305

摘要： A method for improving the operating stability of compound semiconductor minority carrier devices and the devices created using this method are described. The method describes intentional introduction of impurities into the layers adjacent to the active region, which impurities act as a barrier to the degradation process, particularly undesired defect formation and propagation. A preferred embodiment of the present invention uses O doping of III-V optoelectronic devices during an epitaxial growth process to improve the operating reliability of the devices.

摘要翻译： 描述了一种用于提高化合物半导体少数载流子器件的操作稳定性的方法以及使用该方法制造的器件。 该方法描述了有意将杂质引入邻近有源区的层中，杂质作为降解过程的障碍，特别是不期望的缺陷形成和传播。 本发明的优选实施例在外延生长过程中使用III-V光电子器件的O掺杂来提高器件的工作可靠性。

公开(公告)号：US06888171B2

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：US09748801

申请日：2000-12-22

申请人： Heng Liu ,  Changhua Chen

发明人： Heng Liu ,  Changhua Chen

IPC分类号： H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L29/12 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/145 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

摘要： A semi-conductor light emitting diode includes closely spaced n and p electrodes formed on the same side of a substrate to form an LED with a small foot-print. A semi-transparent U shaped p contact layer is formed along three sides of the top surface of the underlying window layer. The p electrode is formed on the p contact layer centered on the closed end of the U shaped layer. An n contact layer is formed on an n cladding layer and centered in the open end of the U of the p contact layer. The n electrode is formed on the n contact layer. The n and p electrodes are electrically isolated from one another by either a trench or an insulator, situated between the electrodes.

摘要翻译： 半导体发光二极管包括形成在基板的同一侧上的紧密间隔的n电极和p电极，以形成具有小脚印的LED。 半透明的U形p接触层沿着下面的窗口层的顶表面的三个侧面形成。 p电极形成在以U形层的封闭端为中心的p接触层上。 n接触层形成在n包覆层上并且位于p接触层的U的开口端的中心。 n电极形成在n接触层上。 n和p电极通过位于电极之间的沟槽或绝缘体彼此电隔离。

公开(公告)号：US06495867B1

公开(公告)日：2002-12-17

申请号：US09626442

申请日：2000-07-26

申请人： Changhua Chen ,  James Dong ,  Heng Liu

发明人： Changhua Chen ,  James Dong ,  Heng Liu

IPC分类号： H01L3300

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L33/007

摘要： A GaN based three layer buffer on a sapphire substrate provides a template for growth of a high quality I GaN layer as a substitute substrate for growth of a Nitride based LED.

摘要翻译： 蓝宝石衬底上的基于GaN的三层缓冲层提供用于生长高质量I GaN层的模板，作为用于氮化物基LED的生长的替代衬底。

公开(公告)号：US06274399B1

公开(公告)日：2001-08-14

申请号：US09655752

申请日：2000-09-06

申请人： R. Scott Kern ,  Changhua Chen ,  Werner Goetz ,  Chihping Kuo

发明人： R. Scott Kern ,  Changhua Chen ,  Werner Goetz ,  Chihping Kuo

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/12 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173

摘要： In the present invention, an interfacial layer is added to a light-emitting diode or laser diode structure to perform the role of strain engineering and impurity gettering. A layer of GaN or AlxInyGa1−x−yN (0≦x≦1, 0≦y≦1) doped with Mg, Zn, Cd can be used for this layer. Alternatively, when using AlxInyGa1−x−yN (x>0), the layer may be undoped. The interfacial layer is deposited directly on top of the buffer layer prior to the growth of the n-type (GaN:Si) layer and the remainder of the device structure. The thickness of the interface layer varies from 0.01-10.0 &mgr;m.

摘要翻译： 在本发明中，将界面层添加到发光二极管或激光二极管结构中以起到应变工程和杂质吸杂的作用。 可以使用掺杂有Mg，Zn，Cd的GaN或Al x In y Ga 1-x-y N（0 <= x <= 1,0 <= y <= 1）层。 或者，当使用Al x In y Ga 1-x-y N（x> 0）时，该层可以是未掺杂的。 在n型（GaN：Si）层和器件结构的其余部分生长之前，界面层直接沉积在缓冲层的顶部上。 界面层的厚度从0.01-10.0μm变化。

公开(公告)号：US06194742B1

公开(公告)日：2001-02-27

申请号：US09092478

申请日：1998-06-05

申请人： R. Scott Kern ,  Changhua Chen ,  Werner Goetz ,  Chihping Kuo

发明人： R. Scott Kern ,  Changhua Chen ,  Werner Goetz ,  Chihping Kuo

IPC分类号： H01L3300

CPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/12 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173

摘要： In the present invention, an interfacial layer is added to a light-emitting diode or laser diode structure to perform the role of strain engineering and impurity gettering. A layer of GaN or AlxInyGal1-x-yN (0≦x≦1, 0≦y≦1) doped with Mg, Zn, Cd can be used for this layer. Alternatively, when using AlxInyGa1-x-yN (x>0), the layer may be undoped. The interfacial layer is deposited directly on top of the buffer layer prior to the growth of the n-type (GaN:Si) layer and the remainder of the device structure. The thickness of the interfacial layer varies from 0.01-10.0 &mgr;m.

摘要翻译： 在本发明中，将界面层添加到发光二极管或激光二极管结构中以起到应变工程和杂质吸杂的作用。 可以使用掺杂有Mg，Zn，Cd的GaN或Al x In y Ga 1-x-y N（0 <= x <= 1,0 <= y <= 1）的层。 或者，当使用Al x In y Ga 1-x-y N（x> 0）时，该层可以是未掺杂的。 在n型（GaN：Si）层和器件结构的其余部分生长之前，界面层直接沉积在缓冲层的顶部上。 界面层的厚度从0.01-10.0μm变化。

公开(公告)号：US06794731B2

公开(公告)日：2004-09-21

申请号：US09169218

申请日：1998-10-09

申请人： Stephen A. Stockman ,  Daniel A. Steigerwald ,  Changhua Chen

发明人： Stephen A. Stockman ,  Daniel A. Steigerwald ,  Changhua Chen

IPC分类号： H01L29167

CPC分类号： H01L33/305 ,  H01L29/207 ,  H01S5/305 ,  Y10S257/918

摘要： A method for improving the operating stability of compound semiconductor minority carrier devices and the devices created using this method are described. The method describes intentional introduction of impurities into the layers adjacent to the active region, which impurities act as a barrier to the degradation process, particularly undesired defect formation and propagation. A preferred embodiment of the present invention uses O doping of III-V optoelectronic devices during an epitaxial growth process to improve the operating reliability of the devices.

摘要翻译： 描述了一种用于提高化合物半导体少数载流子器件的操作稳定性的方法以及使用该方法制造的器件。 该方法描述了有意将杂质引入邻近有源区的层中，杂质作为降解过程的障碍，特别是不期望的缺陷形成和传播。 本发明的优选实施例在外延生长过程中使用III-V光电子器件的O掺杂来提高器件的工作可靠性。