公开(公告)号：US07183131B2

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：US10712767

申请日：2003-11-12

申请人： Eugen Unger ,  Georg Stefan Dusberg ,  Andrew Graham ,  Maik Liebau

发明人： Eugen Unger ,  Georg Stefan Dusberg ,  Andrew Graham ,  Maik Liebau

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  Y10S438/903 ,  Y10S977/891

摘要： A process for producing a nanoelement arrangement and to a nanoelement arrangement. A first nanoelement is at least partially covered with catalyst material for catalyzing the growth of nanoelements. Furthermore, at least one second nanoelement is grown on the catalyst material.Also, a nanoelement arrangement having a first nanoelement on which at least one predetermined region is covered with catalyst material for catalyzing the growth of nanoelements, and at least one second nanoelement grown on the catalyst material.

摘要翻译： 用于制备纳米元件排列和纳米元件排列的方法。 至少部分地用催化剂材料覆盖第一纳米元素以催化纳米元素的生长。 此外，在催化剂材料上生长至少一个第二纳米元素。 而且，具有第一纳米元素的纳米元件排列，其上至少一个预定区域被催化剂材料覆盖以催化纳米元素的生长，以及在催化剂材料上生长的至少一个第二纳米元素。

公开(公告)号：US20050040847A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10712767

申请日：2003-11-12

申请人： Eugen Unger ,  Georg Dusberg ,  Andrew Graham ,  Maik Liebau

发明人： Eugen Unger ,  Georg Dusberg ,  Andrew Graham ,  Maik Liebau

IPC分类号： H01L51/30 ,  G06F7/38

CPC分类号： H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  Y10S438/903 ,  Y10S977/891

摘要： The invention relates to a process for producing a nanoelement arrangement and to a nanoelement arrangement. In the process for producing a nanoelement arrangement, a first nanoelement is at least partially covered with catalyst material for catalyzing the growth of nanoelements. Furthermore, at least one second nanoelement is grown on the catalyst material.

摘要翻译： 本发明涉及一种制备纳米元件装置和纳米元件装置的方法。 在制备纳米元件排列的方法中，第一纳米元素至少部分地被催化剂材料覆盖以催化纳米元素的生长。 此外，在催化剂材料上生长至少一个第二纳米元素。

公开(公告)号：US20050148174A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10980983

申请日：2004-11-03

申请人： Eugen Unger ,  Georg Dusberg ,  Franz Kreupl ,  Andrew Graham ,  Maik Liebau

发明人： Eugen Unger ,  Georg Dusberg ,  Franz Kreupl ,  Andrew Graham ,  Maik Liebau

IPC分类号： C23C18/16 ,  H01L21/288 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L51/30 ,  H01L29/417 ,  H01J1/02 ,  H01L21/44 ,  H01L29/74 ,  H01L31/111

CPC分类号： H01L21/288 ,  B82Y10/00 ,  C23C18/1662 ,  H01L23/522 ,  H01L23/53276 ,  H01L51/0048 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Process for contact-connection of carbon nanotubes as part of their integration in an electric circuit, wherein the nanotubes, after they have been applied to metallic interconnects of the electric circuit, are connected to the interconnects at contact locations by electroless metallization.

摘要翻译： 碳纳米管作为其一体化电路的一部分的接触连接方法，其中纳米管在被施加到电路的金属互连之后通过无电镀金属化在接触位置处连接到互连。

公开(公告)号：US20070141256A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11303639

申请日：2005-12-16

申请人： Maik Liebau ,  Franz Kreupl ,  Georg Dusber ,  Eugen Unger

发明人： Maik Liebau ,  Franz Kreupl ,  Georg Dusber ,  Eugen Unger

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/0227 ,  C23C16/26

摘要： One embodiment of the present invention provides a method for the deposition of a Carbon containing layer on a Silicon surface wherein a (i) substantially Silicon-oxide-free or reduced oxide interface results between Silicon and the Carbon containing layer during the deposition. In another embodiment, the present invention provides a method for deposition of a Carbon containing layer wherein the deposition process is substantially soot (particle)-free or reduction of soot.

摘要翻译： 本发明的一个实施方案提供了一种用于在硅表面上沉积含碳层的方法，其中在沉积期间在硅和含碳层之间产生（i）基本上不含氧化硅的氧化物或还原氧化物界面。 在另一个实施方案中，本发明提供了一种用于沉积含碳层的方法，其中沉积过程基本上是烟灰（无颗粒）或烟灰的还原。

公开(公告)号：US20060174789A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11363751

申请日：2006-02-28

申请人： Maik Liebau ,  Eugen Unger

发明人： Maik Liebau ,  Eugen Unger

IPC分类号： B41C3/08

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B29C33/3857 ,  B29C33/40 ,  B29C33/424 ,  B29K2105/16 ,  B41D7/00 ,  B81C99/009 ,  B82Y40/00 ,  G02B6/13 ,  G03F7/0002 ,  H05K3/061

摘要： A structured, elastic stamp device is disclosed for producing the physical contact of the reactant with the substrate. More specifically, the device comprises a stamp device for carrying out soft-lithographic processes which comprises a base, which is produced from a polymer material, and at least one structured stamp surface of the base, which has a definable surface relief, the stamp surface being structured by means of an impression of a master element which has a defined primary surface relief.

摘要翻译： 公开了一种用于产生反应物与基底的物理接触的结构化的弹性压印装置。 更具体地，该装置包括用于执行软平版印刷工艺的印模装置，其包括由聚合物材料制成的基底和具有可定义的表面浮雕的基底的至少一个结构化印模表面，印模表面 通过具有确定的主表面浮雕的主元件的印象来构造。

公开(公告)号：US06866891B2

公开(公告)日：2005-03-15

申请号：US10413505

申请日：2003-04-14

申请人： Maik Liebau ,  Eugen Unger ,  Georg Dusberg

发明人： Maik Liebau ,  Eugen Unger ,  Georg Dusberg

IPC分类号： B82B3/00 ,  B05D3/02 ,  B05D5/00 ,  B32B9/00 ,  C01B31/02 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/15

CPC分类号： H01L21/288 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76838 ,  H01L2221/1094 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/857 ,  Y10T428/24132 ,  Y10T428/24744 ,  Y10T428/30

摘要： A method for targeted deposition of a nanotube on a planar surface includes providing a ram made from elastomeric material and having a relief structure on its surface. A microfluid capillary system, with an inlet and an outlet, is then formed by applying the ram to a planar substrate. A dispersion of nanotubes is brought into contact with the inlet, thereby enabling capillary force to disperse the nanotubes. through the microfluid capillary system. The resulting dispersion of nanotubes is then dried and the ram removed.

摘要翻译： 用于在平坦表面上靶向沉积纳米管的方法包括提供由弹性体材料制成的柱塞并且在其表面上具有浮雕结构。 然后通过将压头施加到平面基板上来形成具有入口和出口的微流体毛细管系统。 使纳米管的分散体与入口接触，从而使毛细管力分散纳米管。 通过微流体毛细管系统。 然后将得到的纳米管分散体干燥并除去柱塞。

公开(公告)号：US08216639B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US11303639

申请日：2005-12-16

申请人： Maik Liebau ,  Franz Kreupl ,  Georg Duesberg ,  Eugen Unger

发明人： Maik Liebau ,  Franz Kreupl ,  Georg Duesberg ,  Eugen Unger

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/0227 ,  C23C16/26

摘要： One embodiment of the present invention provides a method for the deposition of a Carbon containing layer on a Silicon surface wherein a (i) substantially Silicon-oxide-free or reduced oxide interface results between Silicon and the Carbon containing layer during the deposition. In another embodiment, the present invention provides a method for deposition of a Carbon containing layer wherein the deposition process is substantially soot (particle)-free or reduction of soot.

摘要翻译： 本发明的一个实施方案提供了一种用于在硅表面上沉积含碳层的方法，其中在沉积期间在硅和含碳层之间产生（i）基本上不含氧化硅的氧化物或还原氧化物界面。 在另一个实施方案中，本发明提供了一种用于沉积含碳层的方法，其中沉积过程基本上是烟灰（无颗粒）或烟灰的还原。

公开(公告)号：US20070248523A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11569900

申请日：2005-04-21

申请人： Georg Duesberg ,  Maik Liebau ,  Eugen Unger

发明人： Georg Duesberg ,  Maik Liebau ,  Eugen Unger

IPC分类号： C01B33/00

CPC分类号： C09C1/44 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/06 ,  C01P2004/13

摘要： A process for silanizing carbon nanotubes, wherein the carbon nanotubes are oxidized and subsequently exposed to a saturated gas phase including one or more organosilane derivatives which form covalent bonds to the carbon nanotubes with siloxane formation.

摘要翻译： 一种使碳纳米管硅烷化的方法，其中碳纳米管被氧化并随后暴露于包含一个或多个有机硅烷衍生物的饱和气相，该有机硅烷衍生物与形成硅氧烷的碳纳米管共价键。

公开(公告)号：US07731928B2

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：US11569900

申请日：2005-04-21

申请人： Georg Duesberg ,  Maik Liebau ,  Eugen Unger

发明人： Georg Duesberg ,  Maik Liebau ,  Eugen Unger

IPC分类号： D01F9/12

CPC分类号： C09C1/44 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B32/168 ,  C01B2202/06 ,  C01P2004/13

摘要： A process for silanizing carbon nanotubes, wherein the carbon nanotubes are oxidized and subsequently exposed to a saturated gas phase including one or more organosilane derivatives which form covalent bonds to the carbon nanotubes with siloxane formation.

摘要翻译： 一种使碳纳米管硅烷化的方法，其中碳纳米管被氧化并随后暴露于包含一个或多个有机硅烷衍生物的饱和气相，该有机硅烷衍生物与形成硅氧烷的碳纳米管共价键。

公开(公告)号：US20090045161A1

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：US11839890

申请日：2007-08-16

申请人： Maik Liebau ,  Thomas Betzl ,  Olaf Storbeck ,  Georg Duesberg ,  Guenther Aichmayr

发明人： Maik Liebau ,  Thomas Betzl ,  Olaf Storbeck ,  Georg Duesberg ,  Guenther Aichmayr

IPC分类号： H01B13/00

CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/845 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10891 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A method of making an integrated circuit comprises providing a substrate and forming a structure on the substrate comprising a first enclosed portion of a carbon material and a second portion of the carbon material, wherein an intersection of the first and second portion of the carbon material has a defined dimension. The method further comprises processing the substrate with a plasma comprising hydrogen in order to etch the second portion of the carbon material, wherein the defined dimension of the intersection of the first and second portion of the carbon material substantially suppresses etching of the first enclosed portion of the carbon material in a self-limiting way.

摘要翻译： 一种制造集成电路的方法包括提供基板并在基板上形成包括碳材料的第一封闭部分和碳材料的第二部分的结构，其中碳材料的第一和第二部分的交点具有 一个定义的维度。 该方法还包括用包括氢的等离子体处理衬底以蚀刻碳材料的第二部分，其中碳材料的第一和第二部分的相交的限定尺寸基本上抑制了第一封闭部分的蚀刻 碳材料以自限制的方式。