公开(公告)号：US20150031165A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：US14483537

申请日：2014-09-11

申请人： First Solar, Inc.

发明人： Oleh P. Karpenko ,  Jianjun Wang

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC分类号： H01L31/1832 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/31678

摘要： Scribing and deposition processes can be used to interconnect cells within photovoltaic modules.

摘要翻译： 划线和沉积工艺可用于互连光伏模块内的电池。

公开(公告)号：US20140261667A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14209924

申请日：2014-03-13

申请人： FIRST SOLAR, INC.

发明人： Benyamin Buller ,  Igor Sankin ,  Long Cheng ,  Jigish Trivedi ,  Jianjun Wang ,  Kieran Tracy ,  Scott Christensen ,  Gang Xiong ,  Markus Gloeckler ,  San Yu

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1828 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/046 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/543

摘要： A back electrode for a PV device and method of formation are disclosed. A ZnTe material is provided over an absorber material and a MoNx material is provided over the ZnTe material. A Mo material may also be included in the back electrode above or below the MoNx layer and a metal layer may be also provided over the MoNx layer.

摘要翻译： 公开了一种用于PV器件的背面电极和形成方法。 在吸收材料上提供ZnTe材料，并且在ZnTe材料上提供MoNx材料。 在MoNx层上方或下方的背电极中也可以包含Mo材料，也可以在MoNx层上设置金属层。

公开(公告)号：US20130327391A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：US13899153

申请日：2013-05-21

申请人： FIRST SOLAR, INC

发明人： Markus Gloeckler ,  Akhlesh Gupta ,  Xilin Peng ,  Rick C. Powell ,  Jigish Trivedi ,  Jianjun Wang ,  Zhibo Zhao

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L31/1864 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02672 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073

摘要： A method for producing apparatus for producing and photovoltaic device including semiconductor layers with halide heat treated surfaces that increase grain growth within at least one of the semiconductor layers and improve the interface between the semiconductor layers. The halide heat treatment includes applying and heating multiple coatings of a halide compound on surfaces adjacent to or part of the semiconductor layers.

摘要翻译： 一种用于制造和光伏器件的方法，其包括具有卤化物热处理表面的半导体层，其增加至少一个半导体层内的晶粒生长并改善半导体层之间的界面。 卤化物热处理包括在与半导体层相邻或部分的表面上施加和加热卤化物的多个涂层。

公开(公告)号：US09799784B2

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：US14209740

申请日：2014-03-13

申请人： FIRST SOLAR, INC

发明人： Arnold Allenic ,  Zhigang Ban ,  Benyamin Buller ,  Markus Gloeckler ,  Benjamin Milliron ,  Xilin Peng ,  Rick C. Powell ,  Jigish Trivedi ,  Oomman K. Varghese ,  Jianjun Wang ,  Zhibo Zhao

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/073

CPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/543

摘要： A photovoltaic device is disclosed including at least one Cadmium Sulfide Telluride (CdSxTe1−x) layer as are methods of forming such a photovoltaic device.

公开(公告)号：US20140261688A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US14209740

申请日：2014-03-13

申请人： FIRST SOLAR, INC

发明人： Arnold Allenic ,  Zhigang Ban ,  Benyamin Buller ,  Markus Gloeckler ,  Benjamin Milliron ,  Xilin Peng ,  Rick C. Powell ,  Jigish Trivedi ,  Oomman K. Varghese ,  Jianjun Wang ,  Zhibo Zhao

IPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0296 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1832 ,  Y02E10/543

摘要： A photovoltaic device is disclosed including at least one Cadmium Sulfide Telluride (CdSxTe1-x) layer as are methods of forming such a photovoltaic device.

摘要翻译： 公开了包含至少一种硫镉碲化镉（CdSxTe1-x）层的光伏器件，以及形成这种光伏器件的方法。

公开(公告)号：US20130213814A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：US13766069

申请日：2013-02-13

申请人： First Solar, Inc.

发明人： Jianjun Wang ,  Markus Gloeckler ,  Long Cheng ,  Oleh Petro Karpenko

IPC分类号： G01N27/42 ,  H01L31/18

CPC分类号： G01N27/42 ,  H01L22/24 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/186 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： A method for forming a defect marker on a thin film of a photovoltaic device by plating to detect pinholes and/or electrical shunts during device fabrication is disclosed. Also disclosed is a system for implementing such a method.

摘要翻译： 公开了一种在器件制造期间通过电镀在光电器件的薄膜上形成缺陷标记以检测针孔和/或电分路的方法。 还公开了一种用于实现这种方法的系统。

公开(公告)号：US20170054052A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：US15342533

申请日：2016-11-03

申请人： FIRST SOLAR, INC

发明人： Markus Gloeckler ,  Akhlesh Gupta ,  Xilin Peng ,  Rick C. Powell ,  Jigish Trivedi ,  Jianjun Wang ,  Zhibo Zhao

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073

CPC分类号： H01L31/1864 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02672 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/073

摘要： A method for producing, apparatus for producing and photovoltaic device including semiconductor layers with halide heat treated surfaces that increase grain growth within at least one of the semiconductor layers and improve the interface between the semiconductor layers. The halide heat treatment includes applying and heating multiple coatings of a halide compound on surfaces adjacent to or part of the semiconductor layers.

摘要翻译： 一种制造用于制造光伏器件的方法，包括具有卤化物热处理表面的半导体层，其增加至少一个半导体层内的晶粒生长并改善半导体层之间的界面。 卤化物热处理包括在邻近或部分半导体层的表面上施加和加热卤化物的多个涂层。

公开(公告)号：US20160308078A1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：US15196652

申请日：2016-06-29

申请人： First Solar, Inc.

发明人： Oleh P. Karpenko ,  Thomas A. Sorenson ,  Jianjun Wang

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0376

CPC分类号： H01L31/02363 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/073 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/208 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： A method and apparatus provide for a roughened back surface of a semiconductor absorber layer of a photovoltaic device to improve adhesion. The roughened back surface may be achieved through an etching process.