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    Fabrication of High-Throughput Nano-Imprint Lithography Templates
    2.
    发明申请
    Fabrication of High-Throughput Nano-Imprint Lithography Templates 审中-公开
    高通量纳米压印光刻模板的制作

    公开(公告)号：US20140212534A1

    公开(公告)日：2014-07-31

    申请号：US13754015

    申请日：2013-01-30

    申请人： Edward B. Fletcher ,  Frank Y. Xu ,  Weijun Liu ,  Fen Wan ,  Marlon Menezes ,  Kosta S. Selinidis

    发明人： Edward B. Fletcher ,  Frank Y. Xu ,  Weijun Liu ,  Fen Wan ,  Marlon Menezes ,  Kosta S. Selinidis

    IPC分类号： B29C59/02 ,  C23C16/40

    CPC分类号： C23C16/401 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002

    摘要： An imprint lithography template includes a porous material defining a multiplicity of pores with an average pore size of at least about 0.4 nm. The porous material includes silicon and oxygen, and a ratio of Young's modulus (E) to relative density of the porous material with respect to fused silica (ρporous/ρfused silica) is at least about 10:1. A refractive index of the porous material is between about 1.4 and 1.5. The porous material may form an intermediate layer or a cap layer of an imprint lithography template. The template may include a pore seal layer between a porous layer and a cap layer, or a pore seal layer on top of a cap layer.

    摘要翻译： 压印光刻模板包括限定平均孔径至少约0.4nm的多个孔的多孔材料。 多孔材料包括硅和氧，并且杨氏模量（E）与多孔材料相对于熔融二氧化硅（“多孔/熔融二氧化硅”）的相对密度之比至少为约10:1。 多孔材料的折射率在约1.4和1.5之间。 多孔材料可以形成压印光刻模板的中间层或盖层。 模板可以包括在多孔层和盖层之间的孔密封层，或者在盖层的顶部上的孔密封层。

    SOLAR CELL FABRICATION BY NANOIMPRINT LITHOGRAPHY
    5.
    发明申请
    SOLAR CELL FABRICATION BY NANOIMPRINT LITHOGRAPHY 审中-公开
    太阳能电池制造NANOIMPRINT LITHOGRAPHY

    公开(公告)号：US20110180127A1

    公开(公告)日：2011-07-28

    申请号：US13016006

    申请日：2011-01-28

    申请人： Fen Wan ,  Shuqiang Yang ,  Frank Y. Xu ,  Weijun Liu ,  Edward Brian Fletcher ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Michael N. Miller ,  Darren D. Donaldson

    发明人： Fen Wan ,  Shuqiang Yang ,  Frank Y. Xu ,  Weijun Liu ,  Edward Brian Fletcher ,  Sidlgata V. Sreenivasan ,  Michael N. Miller ,  Darren D. Donaldson

    IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0232

    CPC分类号： H01L51/4213 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/442 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/549

    摘要： Fabricating a solar cell stack includes forming a nanopatterned polymeric layer on a first surface of a silicon wafer and etching the first surface of the silicon wafer to transfer a pattern of the nanopatterned polymeric layer to the first surface of the silicon wafer. A layer of reflective electrode material is formed on a second surface of the silicon wafer. The nanopatterned first surface of the silicon wafer undergoes a buffered oxide etching. After the buffered oxide etching, the nanopatterned first surface of the silicon wafer is treated to decrease a contact angle of water on the nanopatterned first surface. Electron donor material is deposited on the nanopatterned first surface of the silicon wafer to form an electron donor layer, and a transparent electrode material is deposited on the electron donor layer to form a transparent electrode layer on the electron donor layer.

    摘要翻译： 制造太阳能电池堆包括在硅晶片的第一表面上形成纳米图案的聚合物层并蚀刻硅晶片的第一表面以将纳米图案化的聚合物层的图案转移到硅晶片的第一表面。 在硅晶片的第二表面上形成反射电极材料层。 硅晶片的纳米图案化的第一表面经历缓冲氧化物蚀刻。 在缓冲氧化物蚀刻之后，处理硅晶片的纳米图案化的第一表面以降低纳米图案化的第一表面上的水的接触角。 电子给体材料沉积在硅晶片的纳米图案化的第一表面上以形成电子供体层，并且在电子给体层上沉积透明电极材料，以在电子给体层上形成透明电极层。

    Enhanced densification of silicon oxide layers
    6.
    发明授权
    Enhanced densification of silicon oxide layers 有权
    增强氧化硅层的致密化

    公开(公告)号：US08541053B2

    公开(公告)日：2013-09-24

    申请号：US13178057

    申请日：2011-07-07

    申请人： Marlon Menezes ,  Frank Y. Xu ,  Fen Wan

    发明人： Marlon Menezes ,  Frank Y. Xu ,  Fen Wan

    IPC分类号： B05D3/02 ,  B05D3/04 ,  B32B3/26

    CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/3105 ,  Y10T428/249953

    摘要： Densifying a multi-layer substrate includes providing a substrate with a first dielectric layer on a surface of the substrate. The first dielectric layer includes a multiplicity of pores. Water is introduced into the pores of the first dielectric layer to form a water-containing dielectric layer. A second dielectric layer is provided on the surface of the water-containing first dielectric layer. The first and second dielectric layers are annealed at temperature of 600° C. or less. In an example, the multi-layer substrate is a nanoimprint lithography template. The second dielectric layer may have a density and therefore an etch rate similar to that of thermal oxide, yet may still be porous enough to allow more rapid diffusion of helium than a thermal oxide layer.

    摘要翻译： 致密化多层基板包括在基板的表面上提供具有第一介电层的基板。 第一介电层包括多个孔。 将水引入第一介电层的孔中以形成含水介电层。 在含水的第一介电层的表面上设置有第二介质层。 第一和第二电介质层在600℃或更低的温度下退火。 在一个实例中，多层衬底是纳米压印光刻模板。 第二电介质层可以具有与热氧化物类似的密度，因此蚀刻速率可能仍然足够多孔以允许氦比热氧化物层更快速地扩散。

    ENHANCED DENSIFICATION OF SILICON OXIDE LAYERS
    7.
    发明申请
    ENHANCED DENSIFICATION OF SILICON OXIDE LAYERS 有权
    氧化硅层的增强渗透

    公开(公告)号：US20120009413A1

    公开(公告)日：2012-01-12

    申请号：US13178057

    申请日：2011-07-07

    申请人： Marlon Menezes ,  Frank Y. Xu ,  Fen Wan

    发明人： Marlon Menezes ,  Frank Y. Xu ,  Fen Wan

    IPC分类号： B32B3/26 ,  B28B3/00 ,  B05D3/00 ,  B05D3/12 ,  H01L21/312 ,  B05D5/00

    CPC分类号： G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/3105 ,  Y10T428/249953

    摘要： Densifying a multi-layer substrate includes providing a substrate with a first dielectric layer on a surface of the substrate. The first dielectric layer includes a multiplicity of pores. Water is introduced into the pores of the first dielectric layer to form a water-containing dielectric layer. A second dielectric layer is provided on the surface of the water-containing first dielectric layer. The first and second dielectric layers are annealed at temperature of 600° C. or less. In an example, the multi-layer substrate is a nanoimprint lithography template. The second dielectric layer may have a density and therefore an etch rate similar to that of thermal oxide, yet may still be porous enough to allow more rapid diffusion of helium than a thermal oxide layer.

    摘要翻译： 致密化多层基板包括在基板的表面上提供具有第一介电层的基板。 第一介电层包括多个孔。 将水引入第一介电层的孔中以形成含水介电层。 在含水的第一介电层的表面上设置有第二介质层。 第一和第二电介质层在600℃或更低的温度下退火。 在一个实例中，多层衬底是纳米压印光刻模板。 第二电介质层可以具有与热氧化物类似的密度，因此蚀刻速率可能仍然足够多孔以允许氦比热氧化物层更快速地扩散。