公开(公告)号：US07923842B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US11377690

申请日：2006-03-16

申请人： Hong Shen ,  Ravi Ramanathan ,  Qiuliang Luo ,  Robert W Warren ,  Usama K Abdali

发明人： Hong Shen ,  Ravi Ramanathan ,  Qiuliang Luo ,  Robert W Warren ,  Usama K Abdali

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/4924 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01031

摘要： A gallium arsenide (GaAs) integrated circuit device is provided. The GaAs circuit device has a GaAs substrate with a copper contact layer for making electrical ground contact with a pad of a target device. Although copper is known to detrimentally affect GaAS devices, the copper contact layer is isolated from the GaAs substrate using a barrier layer. The barrier layer may be, for example, a layer of nickel vanadium (NiV). This nickel vanadium (NiV) barrier protects the gallium arsenide substrate from the diffusion effects of the copper contact layer. An organic solder preservative may coat the exposed copper to reduce oxidation effects. In some cases, a gold or copper seed layer may be deposited on the GaAs substrate prior to depositing the copper contact layer.

摘要翻译： 提供了一种砷化镓（GaAs）集成电路器件。 GaAs电路器件具有带有铜接触层的GaAs衬底，用于与目标器件的焊盘进行电接地接触。 虽然已知铜不利地影响GaAS器件，但铜接触层使用阻挡层与GaAs衬底隔离。 阻挡层可以是例如镍钒（NiV）层。 该镍钒（NiV）屏障保护砷化镓衬底免受铜接触层的扩散作用。 有机锡防腐剂可以涂覆暴露的铜以减少氧化效应。 在一些情况下，在沉积铜接触层之前，可以在GaAs衬底上沉积金或铜种子层。

公开(公告)号：US20110186966A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US13084467

申请日：2011-04-11

申请人： Hong Shen ,  Ravi Ramanathan ,  Qiuliang Luo ,  Robert W. Warren ,  Usama K. Abdali

发明人： Hong Shen ,  Ravi Ramanathan ,  Qiuliang Luo ,  Robert W. Warren ,  Usama K. Abdali

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L23/4924 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01031

摘要： A gallium arsenide (GaAs) integrated circuit device is provided. The GaAs circuit device has a GaAs substrate with a copper contact layer for making electrical ground contact with a pad of a target device. Although copper is known to detrimentally affect GaAs devices, the copper contact layer is isolated from the GaAs substrate using a barrier layer. The barrier layer may be, for example, a layer of nickel vanadium (NiV). This nickel vanadium (NiV) barrier protects the gallium arsenide substrate from the diffusion effects of the copper contact layer. An organic solder preservative may coat the exposed copper to reduce oxidation effects. In some cases, a gold or copper seed layer may be deposited on the GaAs substrate prior to depositing the copper contact layer.

摘要翻译： 提供了一种砷化镓（GaAs）集成电路器件。 GaAs电路器件具有带有铜接触层的GaAs衬底，用于与目标器件的焊盘进行电接地接触。 虽然已知铜不利地影响GaAs器件，但是使用阻挡层将铜接触层与GaAs衬底隔离。 阻挡层可以是例如镍钒（NiV）层。 该镍钒（NiV）屏障保护砷化镓衬底免受铜接触层的扩散作用。 有机锡防腐剂可以涂覆暴露的铜以减少氧化效应。 在一些情况下，在沉积铜接触层之前，可以在GaAs衬底上沉积金或铜种子层。

公开(公告)号：US20070215897A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11377690

申请日：2006-03-16

申请人： Hong Shen ,  Ravi Ramanathan ,  Qiuliang Luo ,  Robert Warren ,  Usama Abdali

发明人： Hong Shen ,  Ravi Ramanathan ,  Qiuliang Luo ,  Robert Warren ,  Usama Abdali

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L23/4924 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01031

摘要： A gallium arsenide (GaAs) integrated circuit device is provided. The GaAs circuit device has a GaAs substrate with a copper contact layer for making electrical ground contact with a pad of a target device. Although copper is known to detrimentally affect GaAS devices, the copper contact layer is isolated from the GaAs substrate using a barrier layer. The barrier layer may be, for example, a layer of nickel vanadium (NiV). This nickel vanadium (NiV) barrier protects the gallium arsenide substrate from the diffusion effects of the copper contact layer. An organic solder preservative may coat the exposed copper to reduce oxidation effects. In some cases, a gold or copper seed layer may be deposited on the GaAs substrate prior to depositing the copper contact layer.

摘要翻译： 提供了一种砷化镓（GaAs）集成电路器件。 GaAs电路器件具有带有铜接触层的GaAs衬底，用于与目标器件的焊盘进行电接地接触。 虽然已知铜不利地影响GaAS器件，但铜接触层使用阻挡层与GaAs衬底隔离。 阻挡层可以是例如镍钒（NiV）层。 该镍钒（NiV）屏障保护砷化镓衬底免受铜接触层的扩散作用。 有机锡防腐剂可以涂覆暴露的铜以减少氧化效应。 在一些情况下，在沉积铜接触层之前，可以在GaAs衬底上沉积金或铜种子层。

公开(公告)号：US09284301B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US13636760

申请日：2011-03-22

申请人： Darby Schmidt ,  Subharekha Raghavan ,  John Stelmach ,  Jian Guo ,  Jonathan Groeper ,  Linda Brockunier ,  Keith Rosauer ,  Hong Shen ,  Rui Liang ,  Fa-Xiang Ding

发明人： Darby Schmidt ,  Subharekha Raghavan ,  John Stelmach ,  Jian Guo ,  Jonathan Groeper ,  Linda Brockunier ,  Keith Rosauer ,  Hong Shen ,  Rui Liang ,  Fa-Xiang Ding

IPC分类号： C07D403/14 ,  C07D401/14 ,  C07D403/04 ,  C07D413/14 ,  C07D417/14 ,  C07D471/04 ,  C07D487/04

CPC分类号： C07D403/14 ,  C07D401/14 ,  C07D403/04 ,  C07D413/14 ,  C07D417/14 ,  C07D471/04 ,  C07D487/04

摘要： The invention relates to compounds having the structure of Formula (I) and pharmaceutically acceptable salts thereof, which are soluble guanylate cyclase activators. The compounds are capable of modulating the body's production of cyclic guanosine monophosphate (“cGMP”) and are generally suitable for the therapy and prophylaxis of diseases which are associated with a disturbed cGMP balance. The compounds are useful for treatment or prevention of cardiovascular diseases, endothelial dysfunction, diastolic dysfunction, atherosclerosis, hypertension, pulmonary hypertension, angina pectoris, thromboses, restenosis, myocardial infarction, strokes, cardiac insufficiency, pulmonary hypertonia, erectile dysfunction, asthma bronchiale, chronic kidney insufficiency, diabetes, or cirrhosis of the liver.

摘要翻译： 本发明涉及具有式（I）结构的化合物及其药学上可接受的盐，它们是可溶性鸟苷酸环化酶活化剂。 这些化合物能够调节人体的环鸟苷酸（“cGMP”）的产生，并且通常适用于治疗和预防与受干扰的cGMP平衡有关的疾病。 该化合物可用于治疗或预防心血管疾病，内皮功能障碍，舒张功能障碍，动脉粥样硬化，高血压，肺动脉高压，心绞痛，血栓形成，再狭窄，心肌梗死，中风，心功能不全，肺性高血压，勃起功能障碍，支气管哮喘，慢性 肾功能不全，糖尿病或肝硬化。

公开(公告)号：US09193717B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：US14350888

申请日：2012-10-08

申请人： Hong Shen ,  Christine Yang ,  Jason M. Cox ,  Kun Liu

发明人： Hong Shen ,  Christine Yang ,  Jason M. Cox ,  Kun Liu

IPC分类号： C07D413/04 ,  C07D413/14 ,  C07D403/04 ,  A61K31/422 ,  A61K31/4439 ,  A61K31/506 ,  A61K31/5377

CPC分类号： C07D413/04 ,  A61K31/422 ,  A61K31/4439 ,  A61K31/506 ,  A61K31/5377 ,  C07D403/04 ,  C07D413/14

摘要： The present invention is directed to compounds of the Formula (I) as well as pharmaceutically acceptable salts thereof, that are aldosterone receptor antagonists which might be useful for treating aldosterone-mediated diseases. The invention furthermore relates to processes for preparing compounds of the Formula (I), to their possible use for the treatment of the abovementioned diseases and for preparing pharmaceuticals for this purpose, and to pharmaceutical compositions which comprise compounds of the Formula (I).

摘要翻译： 本发明涉及可用于治疗醛固酮介导的疾病的醛固酮受体拮抗剂的式（I）化合物及其药学上可接受的盐。 本发明还涉及制备式（I）化合物，其可能用于治疗上述疾病和为此目的制备药物的方法，以及包含式（I）化合物的药物组合物。

公开(公告)号：US20130193573A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：US13360489

申请日：2012-01-27

申请人： Hong Shen

发明人： Hong Shen

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L29/452 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8252 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L27/02 ,  H01L29/20 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012

摘要： Systems, apparatuses, and methods related to the design, fabrication, and manufacture of gallium arsenide (GaAs) integrated circuits are disclosed. Copper can be used as the contact material for a GaAs integrated circuit. Metallization of the wafer and through-wafer vias can be achieved through copper plating processes disclosed herein. To avoid warpage, the tensile stress of a conductive layer deposited onto a GaAs substrate can be offset by depositing a compensating layer having negative stress over the GaAs substrate. GaAs integrated circuits can be singulated, packaged, and incorporated into various electronic devices.

公开(公告)号：US20130012511A1

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：US13636760

申请日：2011-03-22

申请人： Darby Schmidt ,  Subharekha Raghavan ,  John Stelmach ,  Jian Guo ,  Jonathan Groeper ,  Linda Brockunier ,  Keith Rosauer ,  Hong Shen ,  Rui Liang ,  Fa-Xiang Ding

发明人： Darby Schmidt ,  Subharekha Raghavan ,  John Stelmach ,  Jian Guo ,  Jonathan Groeper ,  Linda Brockunier ,  Keith Rosauer ,  Hong Shen ,  Rui Liang ,  Fa-Xiang Ding

IPC分类号： C07D403/14 ,  A61K31/506 ,  C07D471/04 ,  C07D401/14 ,  C07D413/14 ,  A61K31/5377 ,  C07D417/14 ,  C07D403/04 ,  A61P9/00 ,  A61P9/10 ,  A61P9/12 ,  A61P9/04 ,  A61P7/02 ,  A61P11/00 ,  A61P15/00 ,  A61P11/06 ,  A61P13/12 ,  A61P3/10 ,  A61P1/16 ,  A61P9/08 ,  A61P7/10 ,  A61P3/00 ,  A61P3/06 ,  C07D487/04

CPC分类号： C07D403/14 ,  C07D401/14 ,  C07D403/04 ,  C07D413/14 ,  C07D417/14 ,  C07D471/04 ,  C07D487/04

摘要： The invention relates to compounds having the structure of Formula (I) and pharmaceutically acceptable salts thereof, which are soluble guanylate cyclase activators. The compounds are capable of modulating the body's production of cyclic guanosine monophosphate (“cGMP”) and are generally suitable for the therapy and prophylaxis of diseases which are associated with a disturbed cGMP balance. The compounds are useful for treatment or prevention of cardiovascular diseases, endothelial dysfunction, diastolic dysfunction, atherosclerosis, hypertension, pulmonary hypertension, angina pectoris, thromboses, restenosis, myocardial infarction, strokes, cardiac insufficiency, pulmonary hypertonia, erectile dysfunction, asthma bronchiale, chronic kidney insufficiency, diabetes, or cirrhosis of the liver.

摘要翻译： 本发明涉及具有式（I）结构的化合物及其药学上可接受的盐，它们是可溶性鸟苷酸环化酶活化剂。 这些化合物能够调节身体产生的环鸟苷酸（cGMP），通常适用于治疗和预防与受干扰的cGMP平衡有关的疾病。 该化合物可用于治疗或预防心血管疾病，内皮功能障碍，舒张功能障碍，动脉粥样硬化，高血压，肺动脉高压，心绞痛，血栓形成，再狭窄，心肌梗死，中风，心功能不全，肺性高血压，勃起功能障碍，支气管哮喘，慢性 肾功能不全，糖尿病或肝硬化。

公开(公告)号：US20120226051A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13509985

申请日：2010-11-12

申请人： Shaohua Gou ,  Hong Shen ,  Yindi Zhang ,  Jianping Shen ,  Yanqin Zhu ,  Luzhong Feng ,  Jianwei Wu ,  Dekang Chen

发明人： Shaohua Gou ,  Hong Shen ,  Yindi Zhang ,  Jianping Shen ,  Yanqin Zhu ,  Luzhong Feng ,  Jianwei Wu ,  Dekang Chen

IPC分类号： C07D231/56 ,  C07D233/64

CPC分类号： C07D231/56

摘要： Organic dicarboxylic acid compounds, salts and preparation methods thereof. The said compounds have activity of resisting oxidation damage to crystalline lens of eyes. The structures of the above organic dicarboxylic acid compounds are shown as formula (1).

摘要翻译： 有机二羧酸化合物，其盐及其制备方法。 所述化合物具有抵抗眼睛晶状体的氧化损伤的活性。 上述有机二羧酸化合物的结构如式（1）所示。

公开(公告)号：US20120153476A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：US12971465

申请日：2010-12-17

申请人： Hong Shen

发明人： Hong Shen

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

摘要： Etched wafers and methods of forming the same are disclosed. In one embodiment, a method of etching a wafer is provided. The method includes forming a metal hard mask on the wafer using electroless plating, patterning the metal hard mask, and etching a plurality of features on the wafer using an etcher. The plurality of featured are defined by the metal hard mask.

摘要翻译： 公开了蚀刻的晶片及其形成方法。 在一个实施例中，提供了蚀刻晶片的方法。 该方法包括使用化学镀在晶片上形成金属硬掩模，图案化金属硬掩模，以及使用蚀刻器蚀刻晶片上的多个特征。 多个特征由金属硬掩模定义。

公开(公告)号：US08107699B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12170639

申请日：2008-07-10

申请人： Lin Hong ,  Christopher V. Alvino ,  Hong Shen

发明人： Lin Hong ,  Christopher V. Alvino ,  Hong Shen

IPC分类号： G06K9/00

CPC分类号： G06T7/0012 ,  G06T2207/30061 ,  G06T2207/30064

摘要： Feature processing is provided for lung nodules in computer-assisted diagnosis. A feature that may better distinguish nodules from background is extracted using a Hough transform. Rather than relying on a specific boundary shape, the Hough transform accumulates evidence associated with a region, such as a ring region. The accumulated evidence provides a feature score without requiring a nodule to fit a specific shape. In another approach, a background level is determined from extracted features. Rather than attempting to normalize an image prior to extraction, the features are normalized. The feature normalization and generalized Hough transform extraction may be used together or alone.

摘要翻译： 在计算机辅助诊断中为肺结节提供特征处理。 使用霍夫变换提取可以更好地区分结节与背景的特征。 霍夫变换不是依赖于特定的边界形状，而是累积与区域相关联的证据，例如环形区域。 积累的证据提供了一个特征分数，而不需要结节来适应特定的形状。 在另一种方法中，从提取的特征确定背景级别。 在尝试在提取之前对图像进行归一化，而不是将特征归一化。 特征归一化和广义霍夫变换提取可以一起使用或单独使用。