公开(公告)号：US20080126801A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11753130

申请日：2007-05-24

申请人： Jae-won LEE ,  Bo-gyeong Kang

发明人： Jae-won LEE ,  Bo-gyeong Kang

IPC分类号： H04L9/00

CPC分类号： H04L9/3263 ,  H04L9/006 ,  H04L9/3247 ,  H04L2209/603 ,  H04L2209/76

摘要： A method and apparatus for generating a proxy signature on a right object, and a method and apparatus for issuing a proxy signature certificate. The right object proxy signature method includes receiving a proxy signature certificate in which authority for right object conversion is specified, from a right issuer; receiving a right object from a first apparatus; signing the right object; and transmitting the signed right object and the proxy signature certificate to a second apparatus. Accordingly, by allowing a right object to be signed by a third right object proxy signature apparatus, not by a right issuer, users can freely share their own content between a variety of apparatuses, and the right issuer can reduce the load associated with the conversion and signature of right objects.

摘要翻译： 一种用于在右对象上生成代理签名的方法和装置，以及用于发布代理签名证书的方法和装置。 正确的对象代理签名方法包括从右侧发行者接收指定权限对象转换的权限的代理签名证书; 从第一装置接收正确的物体; 签署正确的对象; 以及将所签署的权利对象和所述代理签名证书发送到第二装置。 因此，通过允许正确对象由第三右对象代理签名装置而不是由右发行者签名，用户可以在各种装置之间自由地共享其自己的内容，并且权利发行者可以减少与转换相关联的负载 并签名正确的对象。

公开(公告)号：US20080154778A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11836227

申请日：2007-08-09

申请人： Jae-won LEE ,  Bo-gyeong Kang

发明人： Jae-won LEE ,  Bo-gyeong Kang

IPC分类号： H04K1/00

CPC分类号： G06F21/10 ,  G06F2221/0759

摘要： A method and apparatus for decoding a right object and a method and apparatus for sharing contents using the same, the method of sharing contents including: receiving a Digital Rights Management (DRM) agent to interpret a right object corresponding to the contents; operating the received DRM agent to generate a coding key and a decoding key to code and decode the right object, respectively; decoding the received right object by using the decoding key and extracting a contents decoding key in order to decode the content; and decoding the contents received from a predetermined device by using the contents decoding key. Therefore, coded contents can be shared even in different DRM systems, and since DRM agent may be provided as software at the time the content is shared, the DRM agent need not be originally included by a device manufacturer, thereby reducing a development cost.

摘要翻译： 一种用于对正确对象进行解码的方法和装置，以及使用该方法和装置共享内容的方法和装置，共享内容的方法包括：接收数字版权管理（DRM）代理来解释对应于内容的正确对象; 操作所接收的DRM代理以生成编码密钥和解码密钥，分别对所述权利对象进行编码和解码; 通过使用解码密钥对接收到的对象进行解码并提取内容解码密钥以解码内容; 并且通过使用内容解码密钥对从预定设备接收的内容进行解码。 因此，即使在不同的DRM系统中也可以共享编码内容，并且由于DRM代理可以在内容共享时作为软件提供，所以DRM代理不需要最初由设备制造商包括，从而降低开发成本。

公开(公告)号：US20150118800A1

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：US14586048

申请日：2014-12-30

申请人： Young-jo TAK ,  Jae-won LEE ,  Young-soo PARK ,  Jun-youn KIM

发明人： Young-jo TAK ,  Jae-won LEE ,  Young-soo PARK ,  Jun-youn KIM

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A semiconductor device includes a substrate, a buffer layer on the substrate, and a plurality of nitride semiconductor layers on the buffer layer. The semiconductor device further includes at least one masking layer and at least one inter layer between the plurality of nitride semiconductor layers. The at least one inter layer is on the at least one masking layer.

摘要翻译： 半导体器件包括衬底，衬底上的缓冲层和缓冲层上的多个氮化物半导体层。 半导体器件还包括至少一个掩模层和多个氮化物半导体层之间的至少一个层间层。 所述至少一层间层位于所述至少一个掩蔽层上。

公开(公告)号：US20140001438A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13837336

申请日：2013-03-15

申请人： Joo-sung KIM ,  Jun-youn KIM ,  Jae-won LEE ,  Hyo-ji CHOI ,  Young-jo TAK

发明人： Joo-sung KIM ,  Jun-youn KIM ,  Jae-won LEE ,  Hyo-ji CHOI ,  Young-jo TAK

IPC分类号： H01L29/15 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/151 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02587 ,  H01L29/2003

摘要： A semiconductor device includes a buffer structure on a silicon substrate, and at least one gallium nitride-based semiconductor layer on the buffer structure. The buffer structure includes a plurality of nitride semiconductor layers and a plurality of stress control layers that are alternately disposed with the plurality of nitride semiconductor layer. The plurality of stress control layers include a IV-IV group semiconductor material.

摘要翻译： 半导体器件包括在硅衬底上的缓冲结构和缓冲结构上的至少一个氮化镓基半导体层。 缓冲结构包括与多个氮化物半导体层交替设置的多个氮化物半导体层和多个应力控制层。 多个应力控制层包括IV-IV族半导体材料。

公开(公告)号：US20130139966A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13619521

申请日：2012-09-14

申请人： Su-hee CHAE ,  Jun-youn KIM ,  Young-soo PARK ,  Jae-won LEE ,  Young-jo TAK ,  Hyun-gi HONG

发明人： Su-hee CHAE ,  Jun-youn KIM ,  Young-soo PARK ,  Jae-won LEE ,  Young-jo TAK ,  Hyun-gi HONG

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/67086 ,  H01L21/67346 ,  H01L33/0079

摘要： A jig for use in etching supports an etching target while an etching process is performed and surrounds a remaining region of the etching target except for a portion of the etching target, so as to expose the portion of the etching target. Accordingly, a stable support of the etching target during the etching process may be provided, and thus an etching of an undesired region may be prevented, and a stable production yield may be accomplished.

摘要翻译： 用于蚀刻的夹具在执行蚀刻处理的同时支持蚀刻目标，并且围绕除了蚀刻靶的一部分之外的蚀刻靶的剩余区域，以暴露蚀刻靶的部分。 因此，可以提供在蚀刻工艺期间对蚀刻靶的稳定支撑，因此可以防止对不需要的区域的蚀刻，并且可以实现稳定的生产率。

公开(公告)号：US20130082240A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：US13571949

申请日：2012-08-10

申请人： Jun-youn KIM ,  Jae-won LEE ,  Hyo-ji CHOI

发明人： Jun-youn KIM ,  Jae-won LEE ,  Hyo-ji CHOI

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/66431 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： A high electron mobility transistor (HEMT) includes a substrate, an HEMT stack spaced apart from the substrate, and a pseudo-insulation layer (PIL) disposed between the substrate and the HEMT stack. The PIL layer includes at least two materials having different phases. The PIL layer defines an empty space that is wider at an intermediate portion than at an entrance of the empty space.

摘要翻译： 高电子迁移率晶体管（HEMT）包括衬底，与衬底间隔开的HEMT堆叠以及设置在衬底和HEMT堆叠之间的伪绝缘层（PIL）。 PIL层包括具有不同相的至少两种材料。 PIL层定义了一个空间，它在中间部分比在空间的入口处更宽。

公开(公告)号：US20160111592A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：US14955981

申请日：2015-12-01

申请人： Jun-youn KIM ,  Bok-ki MIN ,  Hyun-gi HONG ,  Jae-won LEE

发明人： Jun-youn KIM ,  Bok-ki MIN ,  Hyun-gi HONG ,  Jae-won LEE

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/46 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025 ,  Y10S977/893 ,  Y10S977/95

摘要： Light emitting devices and methods of manufacturing the light emitting devices. The light emitting devices include a silicon substrate; a metal buffer layer on the silicon substrate, a patterned distributed Bragg reflector (DBR) on the metal buffer layer; and a nitride-based thin film layer on the patterned DBR and regions between patterns of the DBR.

摘要翻译： 发光器件和制造发光器件的方法。 发光器件包括硅衬底; 硅衬底上的金属缓冲层，金属缓冲层上的图案化分布式布拉格反射器（DBR）; 以及在图案化DBR上的氮化物基薄膜层和DBR的图案之间的区域。

公开(公告)号：US20140042492A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13835704

申请日：2013-03-15

申请人： Young-jo TAK ,  Jae-kyun KIM ,  Joo-sung KIM ,  Jun-youn KIM ,  Jae-won LEE ,  Hyo-ji CHOI

发明人： Young-jo TAK ,  Jae-kyun KIM ,  Joo-sung KIM ,  Jun-youn KIM ,  Jae-won LEE ,  Hyo-ji CHOI

IPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/267 ,  G11C11/161 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

摘要： A semiconductor buffer structure may include a silicon substrate and a buffer layer that is formed on the silicon substrate. The buffer layer may include a first layer, a second layer formed on the first layer, and a third layer formed on the second layer. The first layer may include AlxInyGa1-x-yN (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1) and have a lattice constant LP1 that is smaller than a lattice constant LP0 of the silicon substrate. The second layer may include AlxInyGa1-x-yN (0≦x

摘要翻译： 半导体缓冲结构可以包括硅衬底和形成在硅衬底上的缓冲层。 缓冲层可以包括第一层，形成在第一层上的第二层和形成在第二层上的第三层。 第一层可以包括Al x In y Ga 1-x-y N（0 @ x @ 1，0 @ y @ 1，x @ x + y @ 1），并且具有小于硅衬底的晶格常数LP0的晶格常数LP1。 第二层可以包括Al x In y Ga 1-x-y N（0 @ x <1,0

公开(公告)号：US20130069074A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13610025

申请日：2012-09-11

申请人： Jae-won LEE ,  Su-hee CHAE ,  Jun-youn KIM ,  In-jun HWANG ,  Hyo-ji CHOI

发明人： Jae-won LEE ,  Su-hee CHAE ,  Jun-youn KIM ,  In-jun HWANG ,  Hyo-ji CHOI

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/205

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： According to an example embodiment, a power device includes a substrate, a nitride-containing stack on the substrate, and an electric field dispersion unit. Source, drain, and gate electrodes are on the nitride-containing stack. The nitride-containing stack includes a first region that is configured to generate a larger electric field than that of a second region of the nitride-containing stack. The electric field dispersion unit may be between the substrate and the first region of the nitride-containing stack.

摘要翻译： 根据示例性实施例，功率器件包括衬底，衬底上的含氮化物的叠层和电场分散单元。 源极，漏极和栅电极位于含氮化物的堆叠上。 含氮化物的堆叠包括被配置为产生比含氮化物堆叠的第二区域更大的电场的第一区域。 电场分散单元可以在衬底和含氮化物堆叠的第一区域之间。

公开(公告)号：US20120095762A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13276775

申请日：2011-10-19

申请人： Ki-wan EOM ,  Chang-woo HAN ,  Tae-gyoon KANG ,  Nam-soo KIM ,  Doo-hwa HONG ,  Jae-won LEE ,  Hyung-joon LIM

发明人： Ki-wan EOM ,  Chang-woo HAN ,  Tae-gyoon KANG ,  Nam-soo KIM ,  Doo-hwa HONG ,  Jae-won LEE ,  Hyung-joon LIM

IPC分类号： G10L15/00

CPC分类号： G10L15/02

摘要： A method of recognizing speech is provided. The method includes the operations of (a) dividing first speech that is input to a speech recognizing apparatus into frames; (b) converting the frames of the first speech into frames of second speech by applying conversion rules to the divided frames, respectively; and (c) recognizing, by the speech recognizing apparatus, the frames of the second speech, wherein (b) comprises converting the frames of the first speech into the frames of the second speech by reflecting at least one frame from among the frames that are previously positioned with respect to a frame of the first speech.

摘要翻译： 提供了识别语音的方法。 该方法包括以下操作：（a）将输入到语音识别装置的第一语音划分成帧; （b）分别通过对分割帧应用转换规则将第一语音的帧转换成第二语音的帧; 以及（c）由语音识别装置识别第二语音的帧，其中（b）包括通过反射来自帧的至少一帧来将第一语音的帧转换为第二语音的帧 先前相对于第一语音的帧定位。