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公开(公告)号：US07031363B2
公开(公告)日：2006-04-18
申请号：US10697660
申请日：2003-10-29
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/18308 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18363 , H01S5/18366 , H01S2301/176 , H01S2304/00
摘要： A process for making a laser structure. The process is for the fabrication of a laser device such a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL). The structures made involve dielectric and spin-on material planarization over wide and narrow trenches, coplanar contacts, non-coplanar contacts, thick and thin pad dielectric, air bridges and wafer thinning.
摘要翻译： 制造激光结构的方法。 该方法用于制造诸如垂直腔表面发射激光器（VCSEL）的激光器件。 所制造的结构涉及宽和窄沟槽，共面触点，非共面触点，厚和薄的电介质，空气桥和晶片变薄的介电和旋涂材料平面化。
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公开(公告)号：US20050092710A1
公开(公告)日：2005-05-05
申请号：US10697660
申请日：2003-10-29
申请人： James Biard , Klein Johnson , Ralph Johnson , Gyoungwon Park , Tzu-Yu Wang
发明人： James Biard , Klein Johnson , Ralph Johnson , Gyoungwon Park , Tzu-Yu Wang
CPC分类号： H01S5/18308 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18363 , H01S5/18366 , H01S2301/176 , H01S2304/00
摘要： A process for making a laser structure. The process is for the fabrication of a laser device such a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL). The structures made involve dielectric and spin-on material planarization over wide and narrow trenches, coplanar contacts, non-coplanar contacts, thick and thin pad dielectric, air bridges and wafer thinning.
摘要翻译： 制造激光结构的方法。 该方法用于制造诸如垂直腔表面发射激光器（VCSEL）的激光器件。 所制造的结构涉及宽和窄沟槽，共面触点，非共面触点，厚和薄的电介质，空气桥和晶片变薄的介电和旋涂材料平面化。
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公开(公告)号：US07286584B2
公开(公告)日：2007-10-23
申请号：US11007081
申请日：2004-12-08
申请人： Tzu-Yu Wang , Jin K. Kim , Hoki Kwon , Gyoungwon Park , Jae-Hyun Ryou
发明人： Tzu-Yu Wang , Jin K. Kim , Hoki Kwon , Gyoungwon Park , Jae-Hyun Ryou
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/18377 , H01S5/18341 , H01S5/18375
摘要： A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure includes a bottom distributed Bragg reflector (DBR) arranged over a substrate; a metal layer interposed between the bottom DBR and the substrate, wherein the metal layer and bottom DBR form a composite mirror structure. A patterned dielectric layer may be interposed between the metal layer and the bottom DBR to reduce a deleterious chemical reaction between the metal layer and the bottom DBR. The metal layer directly contacts a portion of the bottom DBR to enhance the electrical and thermal conductivity of the VCSEL structure.
摘要翻译： 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）结构包括布置在衬底上的底部分布布拉格反射器（DBR）; 插入在底部DBR和基板之间的金属层，其中金属层和底部DBR形成复合反射镜结构。 可以在金属层和底部DBR之间插入图案化的介电层，以减少金属层和底部DBR之间的有害的化学反应。 金属层直接接触底部DBR的一部分以增强VCSEL结构的电导率和导热性。
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公开(公告)号：US07054345B2
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：US10607887
申请日：2003-06-27
申请人： Jae-Hyun Ryou , Tzu-Yu Wang , Jin K. Kim , Gyoungwon Park , Hoki Kwon
发明人： Jae-Hyun Ryou , Tzu-Yu Wang , Jin K. Kim , Gyoungwon Park , Hoki Kwon
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18341 , H01S5/18369 , H01S5/18372 , H01S5/2063 , H01S5/34313 , H01S5/34366
摘要： A vertical cavity surface emitting laser having an oxidizable layer oxidized with enhanced lateral oxidation. The oxidation may involve adding oxygen in the form of a fluid, with or without other fluid such as water vapor, in the oxidizing environment, and/or in the layer to be oxidized. This oxidation approach may be used for layers with relatively low aluminum content such as in InP based structures, or with high aluminum content such as in GaAs based structures.
摘要翻译： 一种垂直腔面发射激光器，其具有被增强的侧向氧化氧化的可氧化层。 氧化可以包括在氧化环境中和/或待氧化的层中加入流体形式的氧气，其中有或没有其它流体，例如水蒸汽。 该氧化方法可用于具有相对低的铝含量的层，例如基于InP的结构，或者具有高的铝含量，例如在GaAs基结构中。
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公开(公告)号：US07433381B2
公开(公告)日：2008-10-07
申请号：US10606104
申请日：2003-06-25
申请人： Tzu-Yu Wang , Hoki Kwon , Jae-Hyun Ryou , Gyoungwon Park , Jin K. Kim
发明人： Tzu-Yu Wang , Hoki Kwon , Jae-Hyun Ryou , Gyoungwon Park , Jin K. Kim
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/18333 , H01S5/18341 , H01S5/18372 , H01S5/2063 , H01S5/34313
摘要： A long wavelength vertical cavity surface emitting laser having a substrate, a first mirror situated on the substrate, an active region situated on the first mirror, a second mirror situated on the active region. The first mirror may have several pairs of layers with an oxidized layer in one or more pairs of that mirror. The substrate may include InP and the mirror components may be compatible with the InP. The one or more layers in the first mirror may be oxidized via a trench-like approach or other arrangement.
摘要翻译： 具有衬底的长波长垂直腔表面发射激光器，位于衬底上的第一反射镜，位于第一反射镜上的有源区，位于有源区上的第二反射镜。 第一反射镜可以具有几对层，其中一对或多对该反射镜具有氧化层。 衬底可以包括InP，并且镜组件可以与InP兼容。 第一反射镜中的一个或多个层可以通过沟槽状方法或其它布置被氧化。
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公开(公告)号：US20050243890A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：US11026161
申请日：2004-12-30
申请人： Jin Kim , Tzu-Yu Wang , Gyoungwon Park
发明人： Jin Kim , Tzu-Yu Wang , Gyoungwon Park
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/024 , H01S5/18308 , H01S5/18375 , H01S5/18377 , H01S5/3095 , H01S5/34306
摘要： A VCSEL includes a substrate having a partially removed portion; a metal-assisted DBR having a metal layer and a first mirror stack, wherein the metal layer is located at the partially removed portion of the substrate; an active region having a plurality of quantum wells over the metal-assisted DBR; and a second mirror stack over the active region, wherein a number of alternating layers of the first mirror stack is substantially smaller than a number typically required for a VCSEL without the integrated metal reflector. Such a metal-assisted DBR is especially useful for a long-wavelength VCSEL on a InP substrate or a red-color VCSEL on a GaAs substrate.
摘要翻译： VCSEL包括具有部分去除部分的基板; 具有金属层和第一反射镜叠层的金属辅助DBR，其中所述金属层位于所述基板的部分去除部分; 在金属辅助DBR上具有多个量子阱的有源区; 以及在所述有源区域上的第二反射镜堆叠，其中所述第一反射镜叠层的多个交替层比不具有所述集成金属反射器的VCSEL通常需要的数量小得多。 这种金属辅助DBR对于InP衬底上的长波长VCSEL或GaAs衬底上的红色VCSEL特别有用。
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公开(公告)号：US20050243886A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：US11007081
申请日：2004-12-08
申请人： Tzu-Yu Wang , Jin Kim , Hoki Kwon , Gyoungwon Park , Jae-Hyun Ryou
发明人： Tzu-Yu Wang , Jin Kim , Hoki Kwon , Gyoungwon Park , Jae-Hyun Ryou
CPC分类号： H01S5/18377 , H01S5/18341 , H01S5/18375
摘要： A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure includes a bottom distributed Bragg reflector (DBR) arranged over a substrate; a metal layer interposed between the bottom DBR and the substrate, wherein the metal layer and bottom DBR form a composite mirror structure. A patterned dielectric layer may be interposed between the metal layer and the bottom DBR to reduce a deleterious chemical reaction between the metal layer and the bottom DBR. The metal layer directly contacts a portion of the bottom DBR to enhance the electrical and thermal conductivity of the
摘要翻译： 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）结构包括布置在衬底上的底部分布布拉格反射器（DBR）; 插入在底部DBR和基板之间的金属层，其中金属层和底部DBR形成复合反射镜结构。 可以在金属层和底部DBR之间插入图案化的介电层，以减少金属层和底部DBR之间的有害的化学反应。 金属层直接接触底部DBR的一部分，以增强电气和导热性
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公开(公告)号：US07860143B2
公开(公告)日：2010-12-28
申请号：US11026161
申请日：2004-12-30
申请人： Jin K. Kim , Tzu-Yu Wang , Gyoungwon Park
发明人： Jin K. Kim , Tzu-Yu Wang , Gyoungwon Park
IPC分类号： H01S3/08
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/024 , H01S5/18308 , H01S5/18375 , H01S5/18377 , H01S5/3095 , H01S5/34306
摘要： A VCSEL includes a substrate having a partially removed portion; a metal-assisted DBR having a metal layer and a first mirror stack, wherein the metal layer is located at the partially removed portion of the substrate; an active region having a plurality of quantum wells over the metal-assisted DBR; and a second mirror stack over the active region, wherein a number of alternating layers of the first mirror stack is substantially smaller than a number typically required for a VCSEL without the integrated metal reflector. Such a metal-assisted DBR is especially useful for a long-wavelength VCSEL on a InP substrate or a red-color VCSEL on a GaAs substrate.
摘要翻译： VCSEL包括具有部分去除部分的基板; 具有金属层和第一反射镜叠层的金属辅助DBR，其中所述金属层位于所述基板的部分去除部分; 在金属辅助DBR上具有多个量子阱的有源区; 以及在所述有源区域上的第二反射镜堆叠，其中所述第一反射镜叠层的多个交替层比不具有所述集成金属反射器的VCSEL通常需要的数量小得多。 这种金属辅助DBR对于InP衬底上的长波长VCSEL或GaAs衬底上的红色VCSEL特别有用。
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9.发明申请InAlAs having enhanced oxidation rate grown under very low V/III ratio 审中-公开InAlAs具有在非常低的V / III比下生长的增强的氧化速率公开(公告)号：US20050243881A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：US11026397
申请日：2004-12-30
申请人： Hoki Kwon , Tzu-Yu Wang , Jae-Hyun Ryou , Jin Kim , Gyoungwon Park
发明人： Hoki Kwon , Tzu-Yu Wang , Jae-Hyun Ryou , Jin Kim , Gyoungwon Park
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/34306 , H01S5/3434 , H01S2301/166 , H01S2304/04
摘要： A current confinement layer of a VCSEL is formed by adjusting flow rates of In-, Al-, and As-containing precursors introduced within a deposition chamber. By maintaining a low ratio between the flow rate of the As-containing precursors and the total flow rate of In- and Al-containing precursors (e.g., less than 25, 10, 5, or 1), a current confinement layer, lattice matched to InP and having an enhanced oxidation rate, may be formed.
摘要翻译： 通过调节在沉积室内引入的含In，Al和As的前体的流速来形成VCSEL的电流限制层。 通过保持含砷前体的流速与含In和Al的前体的总流速（例如，小于25,10,5或1）之间的低比例，电流限制层，晶格匹配 至InP并具有增强的氧化速率。
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公开(公告)号：US20110228803A1
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：US12727822
申请日：2010-03-19
申请人： James K. Guenter , Gyoungwon Park
发明人： James K. Guenter , Gyoungwon Park
CPC分类号： H01L21/2654 , G01N21/3504 , H01S5/02208 , H01S5/0261 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/18313 , H01S5/2063
摘要： In one embodiment, a VCSEL includes a plurality of semiconductor layers, an insulative region, a resistive region, and a remainder region. The semiconductor layers include a lower mirror, an active region, and an upper mirror. The active region is disposed over the lower mirror and includes a first lasing region. The upper mirror is disposed over the active region. The insulative region and the resistive region are integrally formed in the semiconductor layers. The remainder region includes the semiconductor layers except for the insulative region and the resistive region integrally formed in the semiconductor layers. The insulative region is disposed between the resistive region and the remainder region.
摘要翻译： 在一个实施例中，VCSEL包括多个半导体层，绝缘区域，电阻区域和其余区域。 半导体层包括下反射镜，有源区和上反射镜。 有源区域设置在下反射镜上并包括第一激光区域。 上反射镜设置在有源区域上。 绝缘区域和电阻区域一体地形成在半导体层中。 剩余区域包括除了绝缘区域和在半导体层中整体形成的电阻区域之外的半导体层。 绝缘区域设置在电阻区域和其余区域之间。
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