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    Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal
    1.
    发明授权
    Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal 失效
    载体键合1550nm VCSEL，其中去除了InP衬底

    公开(公告)号：US07286584B2

    公开(公告)日：2007-10-23

    申请号：US11007081

    申请日：2004-12-08

    申请人： Tzu-Yu Wang ,  Jin K. Kim ,  Hoki Kwon ,  Gyoungwon Park ,  Jae-Hyun Ryou

    发明人： Tzu-Yu Wang ,  Jin K. Kim ,  Hoki Kwon ,  Gyoungwon Park ,  Jae-Hyun Ryou

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： H01S5/18377 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18375

    摘要： A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure includes a bottom distributed Bragg reflector (DBR) arranged over a substrate; a metal layer interposed between the bottom DBR and the substrate, wherein the metal layer and bottom DBR form a composite mirror structure. A patterned dielectric layer may be interposed between the metal layer and the bottom DBR to reduce a deleterious chemical reaction between the metal layer and the bottom DBR. The metal layer directly contacts a portion of the bottom DBR to enhance the electrical and thermal conductivity of the VCSEL structure.

    摘要翻译： 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）结构包括布置在衬底上的底部分布布拉格反射器（DBR）; 插入在底部DBR和基板之间的金属层，其中金属层和底部DBR形成复合反射镜结构。 可以在金属层和底部DBR之间插入图案化的介电层，以减少金属层和底部DBR之间的有害的化学反应。 金属层直接接触底部DBR的一部分以增强VCSEL结构的电导率和导热性。

    Enhanced lateral oxidation
    2.
    发明授权
    Enhanced lateral oxidation 有权
    增强侧向氧化

    公开(公告)号：US07054345B2

    公开(公告)日：2006-05-30

    申请号：US10607887

    申请日：2003-06-27

    申请人： Jae-Hyun Ryou ,  Tzu-Yu Wang ,  Jin K. Kim ,  Gyoungwon Park ,  Hoki Kwon

    发明人： Jae-Hyun Ryou ,  Tzu-Yu Wang ,  Jin K. Kim ,  Gyoungwon Park ,  Hoki Kwon

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34366

    摘要： A vertical cavity surface emitting laser having an oxidizable layer oxidized with enhanced lateral oxidation. The oxidation may involve adding oxygen in the form of a fluid, with or without other fluid such as water vapor, in the oxidizing environment, and/or in the layer to be oxidized. This oxidation approach may be used for layers with relatively low aluminum content such as in InP based structures, or with high aluminum content such as in GaAs based structures.

    摘要翻译： 一种垂直腔面发射激光器，其具有被增强的侧向氧化氧化的可氧化层。 氧化可以包括在氧化环境中和/或待氧化的层中加入流体形式的氧气，其中有或没有其它流体，例如水蒸汽。 该氧化方法可用于具有相对低的铝含量的层，例如基于InP的结构，或者具有高的铝含量，例如在GaAs基结构中。

    InP based long wavelength VCSEL
    3.
    发明授权
    InP based long wavelength VCSEL 失效
    基于InP的长波长VCSEL

    公开(公告)号：US07433381B2

    公开(公告)日：2008-10-07

    申请号：US10606104

    申请日：2003-06-25

    申请人： Tzu-Yu Wang ,  Hoki Kwon ,  Jae-Hyun Ryou ,  Gyoungwon Park ,  Jin K. Kim

    发明人： Tzu-Yu Wang ,  Hoki Kwon ,  Jae-Hyun Ryou ,  Gyoungwon Park ,  Jin K. Kim

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/08

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/34313

    摘要： A long wavelength vertical cavity surface emitting laser having a substrate, a first mirror situated on the substrate, an active region situated on the first mirror, a second mirror situated on the active region. The first mirror may have several pairs of layers with an oxidized layer in one or more pairs of that mirror. The substrate may include InP and the mirror components may be compatible with the InP. The one or more layers in the first mirror may be oxidized via a trench-like approach or other arrangement.

    摘要翻译： 具有衬底的长波长垂直腔表面发射激光器，位于衬底上的第一反射镜，位于第一反射镜上的有源区，位于有源区上的第二反射镜。 第一反射镜可以具有几对层，其中一对或多对该反射镜具有氧化层。 衬底可以包括InP，并且镜组件可以与InP兼容。 第一反射镜中的一个或多个层可以通过沟槽状方法或其它布置被氧化。

    Metal-assisted DBRs for thermal management in VCSELs
    4.
    发明授权
    Metal-assisted DBRs for thermal management in VCSELs 有权
    用于VCSEL中热管理的金属辅助DBR

    公开(公告)号：US07860143B2

    公开(公告)日：2010-12-28

    申请号：US11026161

    申请日：2004-12-30

    申请人： Jin K. Kim ,  Tzu-Yu Wang ,  Gyoungwon Park

    发明人： Jin K. Kim ,  Tzu-Yu Wang ,  Gyoungwon Park

    IPC分类号： H01S3/08

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/024 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18375 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34306

    摘要： A VCSEL includes a substrate having a partially removed portion; a metal-assisted DBR having a metal layer and a first mirror stack, wherein the metal layer is located at the partially removed portion of the substrate; an active region having a plurality of quantum wells over the metal-assisted DBR; and a second mirror stack over the active region, wherein a number of alternating layers of the first mirror stack is substantially smaller than a number typically required for a VCSEL without the integrated metal reflector. Such a metal-assisted DBR is especially useful for a long-wavelength VCSEL on a InP substrate or a red-color VCSEL on a GaAs substrate.

    摘要翻译： VCSEL包括具有部分去除部分的基板; 具有金属层和第一反射镜叠层的金属辅助DBR，其中所述金属层位于所述基板的部分去除部分; 在金属辅助DBR上具有多个量子阱的有源区; 以及在所述有源区域上的第二反射镜堆叠，其中所述第一反射镜叠层的多个交替层比不具有所述集成金属反射器的VCSEL通常需要的数量小得多。 这种金属辅助DBR对于InP衬底上的长波长VCSEL或GaAs衬底上的红色VCSEL特别有用。

    Metal-assisted DBRs for thermal management in VCSELS
    7.
    发明申请
    Metal-assisted DBRs for thermal management in VCSELS 有权
    金属辅助DBRs用于VCSELS中的热管理

    公开(公告)号：US20050243890A1

    公开(公告)日：2005-11-03

    申请号：US11026161

    申请日：2004-12-30

    申请人： Jin Kim ,  Tzu-Yu Wang ,  Gyoungwon Park

    发明人： Jin Kim ,  Tzu-Yu Wang ,  Gyoungwon Park

    IPC分类号： H01S3/08 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/183 ,  H01S5/343

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/024 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18375 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34306

    摘要： A VCSEL includes a substrate having a partially removed portion; a metal-assisted DBR having a metal layer and a first mirror stack, wherein the metal layer is located at the partially removed portion of the substrate; an active region having a plurality of quantum wells over the metal-assisted DBR; and a second mirror stack over the active region, wherein a number of alternating layers of the first mirror stack is substantially smaller than a number typically required for a VCSEL without the integrated metal reflector. Such a metal-assisted DBR is especially useful for a long-wavelength VCSEL on a InP substrate or a red-color VCSEL on a GaAs substrate.

    摘要翻译： VCSEL包括具有部分去除部分的基板; 具有金属层和第一反射镜叠层的金属辅助DBR，其中所述金属层位于所述基板的部分去除部分; 在金属辅助DBR上具有多个量子阱的有源区; 以及在所述有源区域上的第二反射镜堆叠，其中所述第一反射镜叠层的多个交替层比不具有所述集成金属反射器的VCSEL通常需要的数量小得多。 这种金属辅助DBR对于InP衬底上的长波长VCSEL或GaAs衬底上的红色VCSEL特别有用。

    Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal
    8.
    发明申请
    Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal 失效
    载体键合1550nm VCSEL，其中去除了InP衬底

    公开(公告)号：US20050243886A1

    公开(公告)日：2005-11-03

    申请号：US11007081

    申请日：2004-12-08

    申请人： Tzu-Yu Wang ,  Jin Kim ,  Hoki Kwon ,  Gyoungwon Park ,  Jae-Hyun Ryou

    发明人： Tzu-Yu Wang ,  Jin Kim ,  Hoki Kwon ,  Gyoungwon Park ,  Jae-Hyun Ryou

    IPC分类号： H01S3/08 ,  H01S5/187

    CPC分类号： H01S5/18377 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18375

    摘要： A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure includes a bottom distributed Bragg reflector (DBR) arranged over a substrate; a metal layer interposed between the bottom DBR and the substrate, wherein the metal layer and bottom DBR form a composite mirror structure. A patterned dielectric layer may be interposed between the metal layer and the bottom DBR to reduce a deleterious chemical reaction between the metal layer and the bottom DBR. The metal layer directly contacts a portion of the bottom DBR to enhance the electrical and thermal conductivity of the

    摘要翻译： 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）结构包括布置在衬底上的底部分布布拉格反射器（DBR）; 插入在底部DBR和基板之间的金属层，其中金属层和底部DBR形成复合反射镜结构。 可以在金属层和底部DBR之间插入图案化的介电层，以减少金属层和底部DBR之间的有害的化学反应。 金属层直接接触底部DBR的一部分，以增强电气和导热性

    Long wavelength vertical cavity surface emitting lasers
    10.
    发明授权
    Long wavelength vertical cavity surface emitting lasers 失效
    长波长垂直腔表面发射激光器

    公开(公告)号：US07564887B2

    公开(公告)日：2009-07-21

    申请号：US11066793

    申请日：2005-02-25

    申请人： Tzu-Yu Wang ,  Jin K. Kim

    发明人： Tzu-Yu Wang ,  Jin K. Kim

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/08

    CPC分类号： H01S5/18327 ,  H01S5/024 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/2063 ,  H01S2301/166

    摘要： A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) includes independently definable current and optical confinement structures that provide unique forms of drive current and transverse mode confinement, respectively. The optical guide may be formed from an upper distributed Bragg reflector (DBR), as an etched mesa structure and/or as an intracavity optical guide. The current guide may include an ion-implanted region within the upper DBR. A dielectric structure is formed over the upper DBR and surrounds the optical guide.

    摘要翻译： 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）包括分别提供独特形式的驱动电流和横向限制的独立可定义的电流和光限制结构。 光导可以由上分布布拉格反射器（DBR）形成，作为蚀刻的台面结构和/或作为腔内光导。 当前引导件可以包括上部DBR内的离子注入区域。 在上DBR上形成电介质结构，并围绕光导。