公开(公告)号：US20120100650A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13281767

申请日：2011-10-26

申请人： James S. Speck ,  Anurag Tyagi ,  Alexey E. Romanov ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

发明人： James S. Speck ,  Anurag Tyagi ,  Alexey E. Romanov ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01S5/026 ,  H01L33/06 ,  H01L21/20 ,  H01L33/30

CPC分类号： H01L29/2003 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/045 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

摘要： A method for fabricating a semi-polar III-nitride substrate for semi-polar III-nitride device layers, comprising providing a vicinal surface of the III-nitride substrate, so that growth of relaxed heteroepitaxial III-nitride device layers on the vicinal surface compensates for epilayer tilt of the III-nitride device layers caused by one or more misfit dislocations at one or more heterointerfaces between the device layers.

摘要翻译： 一种制造用于半极性III族氮化物器件层的半极性III族氮化物衬底的方法，包括提供III族氮化物衬底的邻近表面，使得邻近表面上的松弛异质外延III族氮化物器件层的生长补偿 用于由器件层之间的一个或多个异质界面处的一个或多个失配位错引起的III族氮化物器件层的外延层倾斜。

公开(公告)号：US08541869B2

公开(公告)日：2013-09-24

申请号：US12030099

申请日：2008-02-12

申请人： Shuji Nakamura ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Anurag Tyagi

发明人： Shuji Nakamura ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Anurag Tyagi

IPC分类号： H01L33/16

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3216

摘要： A III-nitride edge-emitting laser diode is formed on a surface of a III-nitride substrate having a semipolar orientation, wherein the III-nitride substrate is cleaved by creating a cleavage line along a direction substantially perpendicular to a nonpolar orientation of the III-nitride substrate, and then applying force along the cleavage line to create one or more cleaved facets of the III-nitride substrate, wherein the cleaved facets have an m-plane or a-plane orientation.

摘要翻译： 在具有半极性取向的III族氮化物衬底的表面上形成III族氮化物边缘发射激光二极管，其中通过沿着基本上垂直于III的非极性取向的方向产生裂解线来切割III族氮化物衬底 氮化物衬底，然后沿着切割线施加力以产生III族氮化物衬底的一个或多个切割面，其中所述切割面具有m面或平面取向。

公开(公告)号：US08044383B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12611063

申请日：2009-11-02

申请人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L33/18 ,  H01L33/02

摘要： A light emitting diode (LED) having a p-type layer having a thickness of 100 nm or less, an n-type layer, and an active layer, positioned between the p-type layer and the n-type layer, for emitting light, wherein the LED does not include a separate electron blocking layer.

摘要翻译： 具有厚度为100nm以下的p型层的发光二极管（LED），位于p型层和n型层之间的n型层和有源层，用于发光 ，其中LED不包括单独的电子阻挡层。

公开(公告)号：US08481991B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12861652

申请日：2010-08-23

申请人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

发明人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3425 ,  H01S2301/173

摘要： An epitaxial structure for a III-Nitride based optical device, comprising an active layer with anisotropic strain on an underlying layer, where a lattice constant and strain in the underlying layer are partially or fully relaxed in at least one direction due to a presence of misfit dislocations, so that the anisotropic strain in the active layer is modulated by the underlying layer.

摘要翻译： 用于基于III-Nitride的光学器件的外延结构，其包括在下层上具有各向异性应变的活性层，其中由于存在失配而使底层中的晶格常数和应变在至少一个方向上部分或完全松弛 位错，使得有源层中的各向异性应变被下层调制。

公开(公告)号：US20110062415A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12861652

申请日：2010-08-23

申请人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

发明人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3425 ,  H01S2301/173

摘要： An epitaxial structure for a III-Nitride based optical device, comprising an active layer with anisotropic strain on an underlying layer, where a lattice constant and strain in the underlying layer are partially or fully relaxed in at least one direction due to a presence of misfit dislocations, so that the anisotropic strain in the active layer is modulated by the underlying layer.

摘要翻译： 用于基于III-Nitride的光学器件的外延结构，其包括在下层上具有各向异性应变的活性层，其中由于存在失配而使底层中的晶格常数和应变在至少一个方向上部分或完全松弛 位错，使得有源层中的各向异性应变被下层调制。

公开(公告)号：US20110037085A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12611063

申请日：2009-11-02

申请人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/30 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/18 ,  H01L33/02

摘要： A light emitting diode (LED) having a p-type layer having a thickness of 100 nm or less, an n-type layer, and an active layer, positioned between the p-type layer and the n-type layer, for emitting light, wherein the LED does not include a separate electron blocking layer.

摘要翻译： 具有厚度为100nm以下的p型层的发光二极管（LED），位于p型层和n型层之间的n型层和有源层，用于发光 ，其中LED不包括单独的电子阻挡层。

公开(公告)号：US08114698B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12325946

申请日：2008-12-01

申请人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

摘要： A III-nitride light emitting diode (LED) and method of fabricating the same, wherein at least one surface of a semipolar or nonpolar plane of a III-nitride layer of the LED is textured, thereby forming a textured surface in order to increase light extraction. The texturing may be performed by plasma assisted chemical etching, photolithography followed by etching, or nano-imprinting followed by etching.

摘要翻译： III族氮化物发光二极管（LED）及其制造方法，其中LED的III族氮化物层的半极性或非极性面的至少一个表面被纹理化，从而形成纹理表面以增加光 萃取。 纹理可以通过等离子体辅助化学蚀刻，光刻，然后进行蚀刻或纳米压印，然后蚀刻来进行。

公开(公告)号：US08835200B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13349342

申请日：2012-01-12

申请人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

摘要： A III-nitride light emitting diode (LED) and method of fabricating the same, wherein at least one surface of a semipolar or nonpolar plane of a III-nitride layer of the LED is textured, thereby forming a textured surface in order to increase light extraction. The texturing may be performed by plasma assisted chemical etching, photolithography followed by etching, or nano-imprinting followed by etching.

摘要翻译： III族氮化物发光二极管（LED）及其制造方法，其中LED的III族氮化物层的半极性或非极性面的至少一个表面被纹理化，从而形成纹理表面以增加光 萃取。 纹理可以通过等离子体辅助化学蚀刻，光刻，然后进行蚀刻或纳米压印，然后蚀刻来进行。

公开(公告)号：US09159553B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US12861532

申请日：2010-08-23

申请人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

发明人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22

CPC分类号： H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

摘要： A dislocation-free high quality template with relaxed lattice constant, fabricated by spatially restricting misfit dislocation(s) around heterointerfaces. This can be used as a template layer for high In composition devices. Specifically, the present invention prepares high quality InGaN templates (In composition is around 5-10%), and can grow much higher In-composition InGaN quantum wells (QWs) (or multi quantum wells (MQWs)) on these templates than would otherwise be possible.

摘要翻译： 具有松散晶格常数的无位错高质量模板，通过空间限制异质界面周围的错配位错制造。 这可以用作高In组合设备的模板层。 具体地说，本发明制备了高质量的InGaN模板（In组成为约5-10％），并且可以在这些模板上生长比其它模板高得多的In-InGaN量子阱（QW）（或多量子阱（MQW）） 有可能

公开(公告)号：US20120104412A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13349342

申请日：2012-01-12

申请人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  Anurag Tyagi ,  Kenneth J. Vampola ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

摘要： A III-nitride light emitting diode (LED) and method of fabricating the same, wherein at least one surface of a semipolar or nonpolar plane of a III-nitride layer of the LED is textured, thereby forming a textured surface in order to increase light extraction. The texturing may be performed by plasma assisted chemical etching, photolithography followed by etching, or nano-imprinting followed by etching.

摘要翻译： III族氮化物发光二极管（LED）及其制造方法，其中LED的III族氮化物层的半极性或非极性面的至少一个表面被纹理化，从而形成纹理表面以增加光 萃取。 纹理可以通过等离子体辅助化学蚀刻，光刻，然后进行蚀刻或纳米压印，然后蚀刻来进行。