公开(公告)号：US08481991B2

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：US12861652

申请日：2010-08-23

申请人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

发明人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3425 ,  H01S2301/173

摘要： An epitaxial structure for a III-Nitride based optical device, comprising an active layer with anisotropic strain on an underlying layer, where a lattice constant and strain in the underlying layer are partially or fully relaxed in at least one direction due to a presence of misfit dislocations, so that the anisotropic strain in the active layer is modulated by the underlying layer.

摘要翻译： 用于基于III-Nitride的光学器件的外延结构，其包括在下层上具有各向异性应变的活性层，其中由于存在失配而使底层中的晶格常数和应变在至少一个方向上部分或完全松弛 位错，使得有源层中的各向异性应变被下层调制。

公开(公告)号：US20110062415A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12861652

申请日：2010-08-23

申请人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

发明人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/3425 ,  H01S2301/173

摘要： An epitaxial structure for a III-Nitride based optical device, comprising an active layer with anisotropic strain on an underlying layer, where a lattice constant and strain in the underlying layer are partially or fully relaxed in at least one direction due to a presence of misfit dislocations, so that the anisotropic strain in the active layer is modulated by the underlying layer.

摘要翻译： 用于基于III-Nitride的光学器件的外延结构，其包括在下层上具有各向异性应变的活性层，其中由于存在失配而使底层中的晶格常数和应变在至少一个方向上部分或完全松弛 位错，使得有源层中的各向异性应变被下层调制。

公开(公告)号：US09159553B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US12861532

申请日：2010-08-23

申请人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

发明人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01L21/02 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22

CPC分类号： H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

摘要： A dislocation-free high quality template with relaxed lattice constant, fabricated by spatially restricting misfit dislocation(s) around heterointerfaces. This can be used as a template layer for high In composition devices. Specifically, the present invention prepares high quality InGaN templates (In composition is around 5-10%), and can grow much higher In-composition InGaN quantum wells (QWs) (or multi quantum wells (MQWs)) on these templates than would otherwise be possible.

摘要翻译： 具有松散晶格常数的无位错高质量模板，通过空间限制异质界面周围的错配位错制造。 这可以用作高In组合设备的模板层。 具体地说，本发明制备了高质量的InGaN模板（In组成为约5-10％），并且可以在这些模板上生长比其它模板高得多的In-InGaN量子阱（QW）（或多量子阱（MQW）） 有可能

公开(公告)号：US20110064103A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12861532

申请日：2010-08-23

申请人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

发明人： Hiroaki Ohta ,  Feng Wu ,  Anurag Tyagi ,  Arpan Chakraborty ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Erin C. Young

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L33/04 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  B82Y20/00

CPC分类号： H01L21/0254 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

摘要： A dislocation-free high quality template with relaxed lattice constant, fabricated by spatially restricting misfit dislocation(s) around heterointerfaces. This can be used as a template layer for high In composition devices. Specifically, the present invention prepares high quality InGaN templates (In composition is around 5-10%), and can grow much higher In-composition InGaN quantum wells (QWs) (or multi quantum wells (MQWs)) on these templates than would otherwise be possible.

摘要翻译： 具有松散晶格常数的无位错高质量模板，通过空间限制异质界面周围的错配位错制造。 这可以用作高In组合设备的模板层。 具体地说，本发明制备了高质量的InGaN模板（In组成为约5-10％），并且可以在这些模板上生长比其它模板高得多的In-InGaN量子阱（QW）（或多量子阱（MQW）） 有可能

公开(公告)号：US20110170569A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US12908478

申请日：2010-10-20

申请人： Anurag Tyagi ,  Robert M. Farrell ,  Chia-Yen Huang ,  Po Shan Hsu ,  Daniel A. Haeger ,  Kathryn M. Kelchner ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

发明人： Anurag Tyagi ,  Robert M. Farrell ,  Chia-Yen Huang ,  Po Shan Hsu ,  Daniel A. Haeger ,  Kathryn M. Kelchner ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01L33/02 ,  H01L33/60 ,  H01S5/00 ,  H01S5/183

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/06216 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

摘要： A semipolar {20-21} III-nitride based laser diode employing a cavity with one or more etched facet mirrors. The etched facet mirrors provide an ability to arbitrarily control the orientation and dimensions of the cavity or stripe of the laser diode, thereby enabling control of electrical and optical properties of the laser diode.

摘要翻译： 采用具有一个或多个蚀刻小面镜的空腔的半极性{20-21} III族氮化物基激光二极管。 蚀刻刻面镜提供了任意控制激光二极管的空腔或条纹的取向和尺寸的能力，从而能够控制激光二极管的电学和光学性质。

公开(公告)号：US09077151B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13041120

申请日：2011-03-04

申请人： Po Shan Hsu ,  Kathryn M. Kelchner ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Haeger ,  Hiroaki Ohta ,  Anurag Tyagi ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  S. James Speck

发明人： Po Shan Hsu ,  Kathryn M. Kelchner ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Haeger ,  Hiroaki Ohta ,  Anurag Tyagi ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  S. James Speck

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02 ,  H01S5/343 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0735 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

摘要： An optoelectronic device grown on a miscut of GaN, wherein the miscut comprises a semi-polar GaN crystal plane (of the GaN) miscut x degrees from an m-plane of the GaN and in a c-direction of the GaN, where −15

摘要翻译： 在杂交GaN上生长的光电子器件，其中杂交包括GaN的半极性GaN晶体平面（从GaN的m面）和GaN的c方向偏离x度，其中-15

公开(公告)号：US20110216795A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13041120

申请日：2011-03-04

申请人： Po Shan Hsu ,  Kathryn M. Kelchner ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Haeger ,  Hiroaki Ohta ,  Anurag Tyagi ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  S. James Speck

发明人： Po Shan Hsu ,  Kathryn M. Kelchner ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Haeger ,  Hiroaki Ohta ,  Anurag Tyagi ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  S. James Speck

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0735 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

摘要： An optoelectronic device grown on a miscut of GaN, wherein the miscut comprises a semi-polar GaN crystal plane (of the GaN) miscut x degrees from an m-plane of the GaN and in a c-direction of the GaN, where −15

摘要翻译： 在杂交GaN上生长的光电子器件，其中杂交包括GaN的半极性GaN晶体平面（从GaN的m面）和GaN的c方向偏离x度，其中-15

公开(公告)号：US20110243172A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13080260

申请日：2011-04-05

申请人： You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

发明人： You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/342 ,  H01S2304/04

摘要： A semipolar plane III-nitride semiconductor-based laser diode or light emitting diode, comprising a semipolar Indium containing multiple quantum wells for emitting light, having Aluminum containing quantum well barriers, wherein the Indium containing multiple quantum well and Aluminum containing barriers are grown in a semipolar orientation on a semipolar plane.

摘要翻译： 一种半极性III族氮化物半导体激光二极管或发光二极管，其包含含有多个用于发光的量子阱的半极性铟，其具有含铝的量子阱屏障，其中含有多量子阱和含铝屏障的铟在 在半极性平面上的半极性取向。

公开(公告)号：US20110103418A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12913638

申请日：2010-10-27

申请人： Matthew T. Hardy ,  You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Kathryn M. Kelchner

发明人： Matthew T. Hardy ,  You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Kathryn M. Kelchner

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01L33/22 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L33/0045 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34333

摘要： An optoelectronic device, comprising an active region and a waveguide structure to provide optical confinement of light emitted from the active region; a pair of facets on opposite ends of the device, having opposite surface polarity; and one of the facets which has been roughened by a crystallographic chemical etching process, wherein the device is a nonpolar or semipolar (Ga,In,Al,B)N based device.

摘要翻译： 一种光电子器件，包括有源区和波导结构，以提供从有源区发射的光的光学限制; 在装置的相对端上的一对具有相反表面极性的小面; 和通过结晶化学蚀刻工艺被粗糙化的其中一个方面，其中该器件是基于非极性或半极性（Ga，In，Al，B）N的器件。

公开(公告)号：US08761218B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US13080260

申请日：2011-04-05

申请人： You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

发明人： You-Da Lin ,  Hiroaki Ohta ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck

IPC分类号： H01S5/34 ,  H01S5/343

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/342 ,  H01S2304/04

摘要： A semipolar plane III-nitride semiconductor-based laser diode or light emitting diode, comprising a semipolar Indium containing multiple quantum wells for emitting light, having Aluminum containing quantum well barriers, wherein the Indium containing multiple quantum well and Aluminum containing barriers are grown in a semipolar orientation on a semipolar plane.

摘要翻译： 一种半极性III族氮化物半导体激光二极管或发光二极管，其包含含有多个用于发光的量子阱的半极性铟，其具有含铝的量子阱屏障，其中含有多量子阱和含铝屏障的铟在 在半极性平面上的半极性取向。