公开(公告)号：US06739193B2

公开(公告)日：2004-05-25

申请号：US10169511

申请日：2002-10-28

申请人： Jochen Franz ,  Matthias Illing ,  Frank Henning ,  Frank Fischer ,  Peter Hein

发明人： Jochen Franz ,  Matthias Illing ,  Frank Henning ,  Frank Fischer ,  Peter Hein

IPC分类号： G01P1508

CPC分类号： G01C19/5755 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0831

摘要： A micromechanical structure and a corresponding manufacturing method. The structure includes a substrate, which includes an anchoring device, and a centrifugal mass, which is connected to the anchoring device via a flexible spring device, so that the centrifugal mass is elastically deflectable from its rest position. The centrifugal mass includes clearances and is configured to be deflectable by etching a sacrificial layer underneath it. The sacrificial layer is present in a first area located underneath the centrifugal mass with a first etchable thickness, and in a second area located underneath the centrifugal mass with a second etchable thickness, the second thickness is greater than the first thickness. The centrifugal mass is structured in the first area so that in etching only a maximum of two etching fronts may come together in order to limit the etching residue deposits.

摘要翻译： 微机械结构和相应的制造方法。 该结构包括一个包括一个锚定装置的基片和一个通过柔性弹簧装置连接到锚固装置的离心质量块，使得离心质量块从其静止位置弹性偏转。 离心质量包括间隙，并且被配置为通过蚀刻其下方的牺牲层而可偏转。 牺牲层存在于位于离心质量下方的第一区域中，具有第一可蚀刻厚度，并且在位于离心质量下方的第二区域中具有第二可蚀刻厚度，第二厚度大于第一厚度。 离心质量体在第一区域中构成，使得在蚀刻中只有最多两个蚀刻前沿可以聚在一起，以便限制蚀刻残渣沉积物。

公开(公告)号：US20090236610A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12282842

申请日：2007-03-09

申请人： Gerhard Lammel ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Franz Laermer ,  Silvia Kronmueller ,  Paul Farber ,  Simon Armbruster ,  Ralf Reichenbach ,  Christoph Schelling ,  Ando Feyh

发明人： Gerhard Lammel ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Franz Laermer ,  Silvia Kronmueller ,  Paul Farber ,  Simon Armbruster ,  Ralf Reichenbach ,  Christoph Schelling ,  Ando Feyh

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/228 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L21/324

摘要： A method for manufacturing a semiconductor structure is provided which includes the following operations: supplying a crystalline semiconductor substrate, providing a porous region adjacent to a surface of the semiconductor substrate, introducing a dopant into the porous region from the surface, and thermally recrystallizing the porous region into a crystalline doping region of the semiconductor substrate whose doping type and/or doping concentration and/or doping distribution are/is different from those or that of the semiconductor substrate. A corresponding semiconductor structure is likewise provided.

摘要翻译： 提供了一种制造半导体结构的方法，其包括以下操作：提供晶体半导体衬底，提供与半导体衬底的表面相邻的多孔区域，从表面引入掺杂剂到多孔区域中，并将多孔 区域形成半导体衬底的掺杂类型和/或掺杂浓度和/或掺杂分布/不同于半导体衬底或/或掺杂分布的晶体掺杂区域。 同样提供相应的半导体结构。

公开(公告)号：US08492850B2

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US12308200

申请日：2007-04-27

申请人： Gerhard Lammel ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Franz Laermer ,  Silvia Kronmueller ,  Paul Farber ,  Simon Armbruster ,  Ralf Reichenbach ,  Christoph Schelling ,  Ando Feyh

发明人： Gerhard Lammel ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Franz Laermer ,  Silvia Kronmueller ,  Paul Farber ,  Simon Armbruster ,  Ralf Reichenbach ,  Christoph Schelling ,  Ando Feyh

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L21/02008 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L33/346

摘要： A method for producing a silicon substrate, including the steps of providing a silicon substrate having an essentially planar silicon surface, producing a porous silicon surface having a plurality of pores, in particular having macropores and/or mesopores and/or nanopores, applying a filling material that is to be inserted into the silicon, which has a diameter that is less than a diameter of the pores, inserting the filling material into the pores and removing the excess filling material form the silicon surface, if necessary, and tempering the silicon substrate that is furnished with the filling material that has been filled into the pores, at a temperature between ca. 1000° C. and ca. 1400° C., in order to close the generated pores again and to enclose the filling material.

摘要翻译： 一种制造硅衬底的方法，包括以下步骤：提供具有基本平坦的硅表面的硅衬底，产生具有多个孔的多孔硅表面，特别是具有大孔和/或介孔和/或纳米孔， 要插入硅的材料，其直径小于孔的直径，如果需要，将填充材料插入孔中并除去多余的填充材料形成硅表面，并回火硅衬底 配备有已经填充到孔中的填充材料，温度约为 1000℃和约 1400℃，以便再次闭合所产生的孔并包围填充材料。

公开(公告)号：US20110019337A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：US12508894

申请日：2009-07-24

申请人： Po-Jui Chen ,  Gary Yama ,  Matthieu Liger ,  Matthias Illing

发明人： Po-Jui Chen ,  Gary Yama ,  Matthieu Liger ,  Matthias Illing

IPC分类号： H01G9/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01G11/26 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86 ,  H01M4/02 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/417

摘要： A method for fabricating a pair of large surface area planar electrodes. The method includes forming a first template above a first substrate, the first template having a first plurality of pores, coating the first plurality of pores of the first template with a first layer of conducting material to form a first electrode, placing the first plurality of pores of the first electrode in proximity to a second electrode, thereby forming a gap between the first plurality of pores and the second electrode, and filling the gap with an electrolyte material.

摘要翻译： 一种制造一对大面积平面电极的方法。 该方法包括在第一基板上形成第一模板，第一模板具有第一多个孔，用第一导电材料层涂覆第一模板的第一多个孔以形成第一电极，将第一多个 在第二电极附近形成第一电极的孔，从而在第一多个孔和第二电极之间形成间隙，并用电解质材料填充间隙。

公开(公告)号：US20100283147A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12677068

申请日：2008-07-24

申请人： Torsten Kramer ,  Matthias Boehringer ,  Stefan Pinter ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Frieder Haag ,  Simon Ambruster

发明人： Torsten Kramer ,  Matthias Boehringer ,  Stefan Pinter ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Frieder Haag ,  Simon Ambruster

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/78 ,  B81C1/00896 ,  B81C2201/053

摘要： A production method for chips, in which as many method steps as possible are carried out in the wafer composite, that is, in parallel for a plurality of chips disposed on a wafer. This is a method for producing a plurality of chips whose functionality is implemented on the basis of the surface layer of a substrate. In this method, the surface layer is patterned and at least one cavity is produced below the surface layer, so that the individual chip regions are connected to each other and/or to the rest of the substrate by suspension webs only, and/or so that the individual chip regions are connected to the substrate layer below the cavity via supporting elements in the region of the cavity. The suspension webs and/or supporting elements are cut when the chips are separated. The patterned and undercut surface layer of the substrate is embedded in a plastic mass before the chips are separated.

摘要翻译： 一种芯片的制造方法，其中在晶片复合体中进行尽可能多的方法步骤，即对于设置在晶片上的多个芯片并行。 这是用于制造多个芯片的方法，其功能是基于基板的表面层来实现的。 在该方法中，对表面层进行图案化，并且在表面层下方产生至少一个空腔，使得单独的芯片区域仅通过悬挂网彼此连接和/或连接到基板的其余部分，和/或 单个芯片区域通过腔体区域中的支撑元件连接到腔体下方的衬底层。 当芯片分离时，悬挂网和/或支撑元件被切割。 在芯片分离之前，将衬底的图案和底切表面层嵌入塑料块中。

公开(公告)号：US08405210B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12677068

申请日：2008-07-24

申请人： Torsten Kramer ,  Matthias Boehringer ,  Stefan Pinter ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Frieder Haag ,  Simon Ambruster

发明人： Torsten Kramer ,  Matthias Boehringer ,  Stefan Pinter ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Frieder Haag ,  Simon Ambruster

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L21/78 ,  B81C1/00896 ,  B81C2201/053

摘要： A production method for chips, in which as many method steps as possible are carried out in the wafer composite, that is, in parallel for a plurality of chips disposed on a wafer. This is a method for producing a plurality of chips whose functionality is implemented on the basis of the surface layer of a substrate. In this method, the surface layer is patterned and at least one cavity is produced below the surface layer, so that the individual chip regions are connected to each other and/or to the rest of the substrate by suspension webs only, and/or so that the individual chip regions are connected to the substrate layer below the cavity via supporting elements in the region of the cavity. The suspension webs and/or supporting elements are cut when the chips are separated. The patterned and undercut surface layer of the substrate is embedded in a plastic mass before the chips are separated.

摘要翻译： 一种芯片的制造方法，其中在晶片复合体中进行尽可能多的方法步骤，即对于设置在晶片上的多个芯片并行。 这是用于制造多个芯片的方法，其功能是基于基板的表面层来实现的。 在该方法中，对表面层进行图案化，并且在表面层下方产生至少一个空腔，使得单独的芯片区域仅通过悬挂网彼此连接和/或连接到基板的其余部分，和/或 单个芯片区域通过腔体区域中的支撑元件连接到腔体下方的衬底层。 当碎片分离时，悬挂网和/或支撑元件被切割。 在芯片分离之前，将衬底的图案和底切表面层嵌入塑料块中。

公开(公告)号：US08389327B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12736721

申请日：2008-12-02

申请人： Torsten Kramer ,  Matthias Boehringer ,  Stefan Pinter ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Frieder Haag ,  Simon Armbruster

发明人： Torsten Kramer ,  Matthias Boehringer ,  Stefan Pinter ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Frieder Haag ,  Simon Armbruster

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L25/50 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0191 ,  H01L21/02002 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941

摘要： A method for manufacturing chips (1, 2), in which at least one diaphragm (11, 12) is produced in the surface layer of a semiconductor substrate (10) spanning a cavity (13). The functionality of the chip (1, 2) is then integrated into the diaphragm (11, 12). In order to separate the chip (1, 2), the diaphragm (11, 12) is detached from the substrate composite. The method according to the present invention is characterized by metal plating of the back of the chip (1, 2) in an electroplating process before the chip is separated.

摘要翻译： 一种制造芯片（1,2）的方法，其中在跨越空腔（13）的半导体衬底（10）的表面层中产生至少一个隔膜（11,12）。 然后将芯片（1,2）的功能集成到隔膜（11,12）中。 为了分离芯片（1,2），隔膜（11,12）与基片复合体分离。 根据本发明的方法的特征在于在芯片分离之前在电镀工艺中对芯片（1,2）的背面进行金属电镀。

公开(公告)号：US20130234270A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13415479

申请日：2012-03-08

申请人： Gary Yama ,  Fabian Purkl ,  Matthieu Liger ,  Matthias Illing

发明人： Gary Yama ,  Fabian Purkl ,  Matthieu Liger ,  Matthias Illing

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： B81C1/00039 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2203/0307 ,  B81C2201/0181 ,  G01J5/023 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14683

摘要： In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes providing a substrate, forming a sacrificial layer above the substrate layer, forming a first trench in the sacrificial layer, forming a first sidewall layer with a thickness of less than about 50 nm on a first sidewall of the first trench using atomic layer deposition (ALD), and removing the sacrificial layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，形成半导体器件的方法包括提供衬底，在衬底层上形成牺牲层，在牺牲层中形成第一沟槽，形成厚度小于约50nm的第一侧壁层 使用原子层沉积（ALD）的第一沟槽的第一侧壁，以及去除牺牲层。

公开(公告)号：US20120132925A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：US13366067

申请日：2012-02-03

申请人： Gerhard Lammel ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Franz Laermer ,  Silvia Kronmueller ,  Paul Farber ,  Simon Armbruster ,  Ralf Reichenbach ,  Christoph Schelling ,  Ando Feyh

发明人： Gerhard Lammel ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Franz Laermer ,  Silvia Kronmueller ,  Paul Farber ,  Simon Armbruster ,  Ralf Reichenbach ,  Christoph Schelling ,  Ando Feyh

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L21/228 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/223 ,  H01L21/225 ,  H01L21/324

摘要： A method for manufacturing a semiconductor structure is provided which includes the following steps: a crystalline semiconductor substrate (1) is supplied; a porous region (10) is provided adjacent to a surface (OF) of the semiconductor substrate (1); a dopant (12) is introduced into the porous region (10) from the surface (OF); and the porous region (10) is thermally recrystallized into a crystalline doping region (10′) of the semiconductor substrate (1) whose doping type and/or doping concentration and/or doping distribution are/is different from those or that of the semiconductor substrate (1). A corresponding semiconductor structure is likewise provided.

摘要翻译： 提供一种制造半导体结构的方法，包括以下步骤：提供晶体半导体衬底（1）; 邻近半导体衬底（1）的表面（OF）设置多孔区域（10）; 从表面（OF）将掺杂剂（12）引入多孔区域（10）中; 并且多孔区域（10）被热再结晶成半导体衬底（1）的结晶掺杂区域（10'），其掺杂类型和/或掺杂浓度和/或掺杂分布与半导体衬底 基板（1）。 同样提供相应的半导体结构。

公开(公告)号：US20110169107A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13054435

申请日：2009-06-09

申请人： Torsten Kramer ,  Stefan Pinter ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Frieder Haag ,  Simon Armbruster

发明人： Torsten Kramer ,  Stefan Pinter ,  Hubert Benzel ,  Matthias Illing ,  Frieder Haag ,  Simon Armbruster

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L21/62

CPC分类号： B81C99/008 ,  B81B7/0006 ,  B81B2207/093

摘要： A process for manufacturing a component is described. In a first manufacturing step a base structure having a substrate, a diaphragm, and a cavern region is provided. The diaphragm is oriented substantially parallel to a main plane of extension of the substrate. The cavern region is situated between the substrate and the diaphragm, and has an access opening. In a second manufacturing step, a first conductive layer is provided at least partially in the cavern region, in particular on a second side of the diaphragm facing the substrate, perpendicularly to the main plane of extension.

摘要翻译： 描述了用于制造部件的工艺。 在第一制造步骤中，提供具有基底，隔膜和洞穴区域的基底结构。 隔膜取向为基本平行于基板延伸的主平面。 洞穴区域位于基板和隔膜之间，并且具有进入开口。 在第二制造步骤中，第一导电层至少部分地设置在垂直于主延伸平面的洞穴区域中，特别是在面向衬底的隔膜的第二侧上。