公开(公告)号：US6166431A

公开(公告)日：2000-12-26

申请号：US701425

申请日：1996-08-22

申请人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki ,  Takuya Takahashi ,  Takanori Jin ,  Masatoshi Fukuda

发明人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki ,  Takuya Takahashi ,  Takanori Jin ,  Masatoshi Fukuda

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/498 ,  H01C23/02 ,  H01C23/053

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device with a thickness of 1 mm or less is disclosed, that comprises a frame plate main body with a thickness in the range from 0.1 mm to 0.25 mm, a semiconductor pellet disposed on a first surface of the frame plate main body and with a thickness in the range from 0.2 mm to 0.3 mm, an external connection lead, one end thereof being connected to a peripheral portion of the first surface of the frame plate main body, the other end thereof extending to the outside of the frame plate main body, a bonding wire for electrically connecting an electrode of the semiconductor pellet and a connection portion of the end of the external connection lead, and a sealing resin layer for covering and sealing at least a region including the semiconductor pellet, the bonding wire, and a connection portion.

摘要翻译： 公开了一种厚度为1mm以下的半导体器件，其包括厚度为0.1mm至0.25mm的框架板主体，设置在框架板主体的第一表面上并具有 厚度在0.2mm至0.3mm的范围内，外部连接引线，其一端连接到框架板主体的第一表面的周边部分，其另一端延伸到框架主体的外部 电连接半导体芯片的电极和外部连接引线的端部的连接部分的接合线，以及用于覆盖和密封至少包括半导体芯片，接合线和 连接部分。

公开(公告)号：US06333212B1

公开(公告)日：2001-12-25

申请号：US09707850

申请日：2000-11-08

申请人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki ,  Takuya Takahashi ,  Takanori Jin ,  Masatoshi Fukuda

发明人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki ,  Takuya Takahashi ,  Takanori Jin ,  Masatoshi Fukuda

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device with a thickness of 1 mm or less is disclosed, that comprises a frame plate main body with a thickness in the range from 0.1 mm to 0.25 mm, a semiconductor pellet disposed on a first surface of the frame plate main body and with a thickness in the range from 0.2 mm to 0.3 mm, an external connection lead, one end thereof being connected to a peripheral portion of the first surface of the frame plate main body, the other end thereof extending to the outside of the frame plate main body, a bonding wire for electrically connecting an electrode of the semiconductor pellet and a connection portion of the end of the external connection lead, and a sealing resin layer for covering and sealing at least a region including the semiconductor pellet, the bonding wire, and a connection portion.

摘要翻译： 公开了一种厚度为1mm以下的半导体器件，其包括厚度为0.1mm至0.25mm的框架板主体，设置在框架板主体的第一表面上并具有 厚度在0.2mm至0.3mm的范围内，外部连接引线，其一端连接到框架板主体的第一表面的周边部分，其另一端延伸到框架主体的外部 电连接半导体芯片的电极和外部连接引线的端部的连接部分的接合线，以及用于覆盖和密封至少包括半导体芯片，接合线和 连接部分。

公开(公告)号：US5780933A

公开(公告)日：1998-07-14

申请号：US644897

申请日：1996-05-10

申请人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki ,  Takanori Jin

发明人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki ,  Takanori Jin

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56 ,  H01L23/12 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/29 ,  H01L23/02 ,  H01L23/04

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49855 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041

摘要： A one-sided sealed type semiconductor device comprising a substrate proper for a one-sided resin mold provided on the first main surface thereof with a wiring circuit including connection parts for semiconductor elements and on the second main surface thereof with flat type external connection terminals led out thereon via a through hole, semiconductor elements set in place and packaged in predetermined areas of the first main surface of the substrate proper, a transfer mold resin layer for sealing solely the surface having the semiconductor elements packaged thereon, and a metallic layer formed on the first main surface independently of wiring circuit and outside the area having the wiring circuit.

摘要翻译： 一种单侧密封型半导体装置，其包括在其第一主表面上设置有用于单面树脂模具的基板，具有包括用于半导体元件的连接部分的布线电路，并且在其第二主表面上具有扁平型外部连接端子 在其上经由通孔，设置在适当位置的半导体元件封装在基板本体的第一主表面的预定区域中，用于仅封装其上封装有半导体元件的表面的转移模制树脂层和形成在其上的金属层 第一主表面独立于布线电路和具有布线电路的区域外。

公开(公告)号：US06022763A

公开(公告)日：2000-02-08

申请号：US85108

申请日：1998-05-28

申请人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki ,  Takanori Jin

发明人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki ,  Takanori Jin

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/498 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/565 ,  H01L23/49855 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041

摘要： A one-sided sealed type semiconductor device comprising a substrate proper for a one-sided resin mold provided on the first main surface thereof with a wiring circuit including connection parts for semiconductor elements and on the second main surface thereof with flat type external connection terminals led out thereon via a through hole, semiconductor elements set in place and packaged in predetermined areas of the first main surface of the substrate proper, a transfer mold resin layer for sealing solely the surface having the semiconductor elements packaged thereon, and a metallic layer formed on the first main surface independently of wiring circuit and outside the area having the wiring circuit.

摘要翻译： 一种单侧密封型半导体装置，其包括在其第一主表面上设置有用于单面树脂模具的基板，具有包括用于半导体元件的连接部分的布线电路，并且在其第二主表面上具有扁平型外部连接端子 在其上经由通孔，设置在适当位置的半导体元件封装在基板本体的第一主表面的预定区域中，用于仅封装其上封装有半导体元件的表面的转移模制树脂层和形成在其上的金属层 第一主表面独立于布线电路和具有布线电路的区域外。

公开(公告)号：USD368903S

公开(公告)日：1996-04-16

申请号：US36254

申请日：1995-03-16

申请人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki

设计人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki

公开(公告)号：US06054774A

公开(公告)日：2000-04-25

申请号：US890633

申请日：1997-07-09

申请人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki

发明人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki

IPC分类号： H01L23/12 ,  G06K19/077 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L29/41

CPC分类号： H01L23/49855 ,  G06K19/07743 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48227 ,  H01L24/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161

摘要： A semiconductor package having a board, at least one semiconductor chip, and flat type external connecting terminals, the board having a wiring circuit including connecting portions on a first main surface, the semiconductor being mounted on the first main surface, the flat type external connecting terminals being electrically connected to the semiconductor chip and formed on a second main surface of the board, wherein the flat type external connecting terminals are disposed in such a manner that any straight line which is arbitrarily drawn across the surface of a region to form the flat type external connecting terminals of the board runs on at least one of the flat type external connecting terminals.

摘要翻译： 一种具有板，至少一个半导体芯片和平面型外部连接端子的半导体封装，所述板具有布线电路，所述布线电路包括在第一主表面上的连接部分，所述半导体安装在所述第一主表面上，所述平面型外部连接 端子电连接到半导体芯片并形成在板的第二主表面上，其中扁平型外部连接端子以这样的方式设置，即任意直线横过区域的表面而形成平面 板的外部连接端子至少在一个平面型外部连接端子上运行。

公开(公告)号：USD369156S

公开(公告)日：1996-04-23

申请号：US36252

申请日：1995-03-16

申请人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki

设计人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki

公开(公告)号：USD369157S

公开(公告)日：1996-04-23

申请号：US36253

申请日：1995-03-16

申请人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki

设计人： Jun Ohmori ,  Hiroshi Iwasaki

公开(公告)号：US08512590B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US13211422

申请日：2011-08-17

申请人： Takashi Takami ,  Hiroshi Iwasaki ,  Yoshinori Kobayashi ,  Naoki Mochi ,  Ryuji Gotoh

发明人： Takashi Takami ,  Hiroshi Iwasaki ,  Yoshinori Kobayashi ,  Naoki Mochi ,  Ryuji Gotoh

IPC分类号： H01F1/11 ,  H02K15/03

CPC分类号： H01F7/02 ,  C01G49/0018 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/10 ,  C01P2006/42 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/2633 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/62204 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  H01F1/11 ,  H01F41/0266 ,  H01F41/028

摘要： A method for producing a sintered ferrite magnet having an M-type ferrite structure and represented by: Ca1−x−yRxBayFe2n-zCoz, (by atomic ratio), where 0.3≦1−x−y≦0.65, 0.2≦x≦0.65, 0.001≦y≦0.2, 0.03≦z≦0.65, 4≦n≦7, and 1−x−y>y. The method includes mixing a Ca compound, an R element compound, a Ba compound, an iron compound and a Co compound as starting materials; calcining the starting materials to obtain calcined bodies; pulverizing the calcined bodies to obtain a calcined powder; providing recycled materials having an M-type ferrite structure and being represented by the above formula; pulverizing the recycled materials to obtain a recycled material powder; mixing the recycled material powder with the calcined powder to form a moldable material; molding the moldable material to obtain green bodies; and sintering the green bodies to obtain the sintered ferrite magnet.

摘要翻译： 一种具有M型铁氧体结构的烧结铁氧体磁体的制造方法，其特征在于，以Ca1-x-yRxBayFe2n-zCoz（原子比）表示，其中0.3≤1-xy≤0.65，0.2≤x≤0.65，0.001 @ y@0.2，0.03 @ z @ 0.65,4 @ n @ 7和1-xy> y。 该方法包括混合Ca化合物，R元素化合物，Ba化合物，铁化合物和Co化合物作为起始材料; 煅烧原料以获得煅烧体; 粉碎煅烧体以获得煅烧粉末; 提供具有M型铁氧体结构并由上式表示的再循环材料; 粉碎回收材料以获得再生材料粉末; 将再生材料粉末与煅烧粉末混合以形成可模制材料; 模制可模制材料以获得生坯体; 并烧结生坯以获得烧结的铁氧体磁体。

公开(公告)号：US20120196824A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13501074

申请日：2010-10-08

申请人： Akira Nakao ,  Hiroko Suzuki ,  Ryo Tatsumi ,  Tomofumi Setsuta ,  Maki Seki ,  Hiroshi Iwasaki ,  Minoru Tanaka

发明人： Akira Nakao ,  Hiroko Suzuki ,  Ryo Tatsumi ,  Tomofumi Setsuta ,  Maki Seki ,  Hiroshi Iwasaki ,  Minoru Tanaka

IPC分类号： A61K31/55 ,  A61K31/437 ,  A61K31/4162 ,  A61K31/427 ,  A61K31/423 ,  A61K31/405 ,  A61K31/422 ,  A61K31/4166 ,  A61K31/4439 ,  A61K31/501 ,  A61K31/506 ,  A61K31/416 ,  A61K31/433 ,  A61K31/16 ,  A61K31/4965 ,  A61P25/00 ,  A61K31/706 ,  A61K31/4245

CPC分类号： C07D209/44 ,  C07C237/10 ,  C07C2602/08 ,  C07C2602/10 ,  C07D209/46 ,  C07D271/06 ,  C07D295/22 ,  C07D401/12 ,  C07D403/12 ,  C07D405/12 ,  C07D409/12 ,  C07D413/12 ,  C07D413/14 ,  C07D417/12 ,  C07D487/04 ,  C07D495/04

摘要： The invention provides a therapeutic drug for ischemic stroke. The therapeutic drug has the formula (I) wherein each symbol is as defined herein, or a pharmacologically acceptable salt thereof, or a solvate thereof, as an active ingredient.

摘要翻译： 本发明提供了用于缺血性卒中的治疗药物。 治疗药物具有式（I），其中每个符号如本文所定义，或其药理学上可接受的盐或其溶剂合物作为活性成分。