公开(公告)号：US08207612B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US12682383

申请日：2008-09-19

申请人： Katsuyuki Torii ,  Arata Shiomi

发明人： Katsuyuki Torii ,  Arata Shiomi

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20306 ,  H01L2924/20307 ,  H01L2924/20308 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00012

摘要： The present invention provides a semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device which can prevent breaks in an interlayer insulation film (12) and electrode (13) that arise with bonding while maintaining bonding strength. A semiconductor element (1) mounted on a semiconductor device including an interlayer insulation film (12) which has an aperture part (123) having an opening shape which is defined by an extension part (121) which covers the gate electrode (116) and extends in the first direction, a connection part (122), the extension part (121) and the connection part (122) which connects at fixed intervals in the first direction a pair of extension parts (121) which are adjacent to the second direction, and which exposes a main surface of a base region (112) and a main surface of an emitter region (113). Also, a second width dimension (122W) in the first direction below the connection part (122) is larger than a first width dimension (122W) in the second direction of the emitter region (113) below the extension part (121) of the interlayer insulation film (12).

摘要翻译： 本发明提供了半导体器件的半导体器件和制造方法，其可以防止在保持接合强度的同时通过接合产生的层间绝缘膜（12）和电极（13）的断裂。 一种半导体元件（1），其安装在包括层间绝缘膜（12）的半导体器件（12）上，所述层间绝缘膜具有开口形状，所述开口部分由覆盖所述栅极电极（116）的延伸部分（121） 在第一方向上延伸的连接部分（122），延伸部分（121）和连接部分（122），其在第一方向上以固定间隔连接一对延伸部分（121），其邻近第二方向 并且暴露出基极区域（112）和发射极区域（113）的主表面的主表面。 此外，在连接部分（122）下方的第一方向上的第二宽度尺寸（122W）大于第一宽度尺寸（122W），在第一宽度尺寸（122W）的第二宽度方向上的发射极区域（113）的第二方向 层间绝缘膜（12）。

公开(公告)号：US20100264546A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12682383

申请日：2008-09-19

申请人： Katsuyuki Torii ,  Arata Shiomi

发明人： Katsuyuki Torii ,  Arata Shiomi

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/3754 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20306 ,  H01L2924/20307 ,  H01L2924/20308 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00012

摘要： The present invention provides a semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device which can prevent breaks in an interlayer insulation film (12) and electrode (13) that arise with bonding while maintaining bonding strength. A semiconductor element (1) mounted on a semiconductor device including an interlayer insulation film (12) which has an aperture part (123) having an opening shape which is defined by an extension part (121) which covers the gate electrode (116) and extends in the first direction, a connection part (122), the extension part (121) and the connection part (122) which connects at fixed intervals in the first direction a pair of extension parts (121) which are adjacent to the second direction, and which exposes a main surface of a base region (112) and a main surface of an emitter region (113). Also, a second width dimension (122W) in the first direction below the connection part (122) is larger than a first width dimension (122W) in the second direction of the emitter region (113) below the extension part (121) of the interlayer insulation film (12).

摘要翻译： 本发明提供了半导体器件的半导体器件和制造方法，其可以防止在保持接合强度的同时通过接合产生的层间绝缘膜（12）和电极（13）的断裂。 一种半导体元件（1），其安装在包括层间绝缘膜（12）的半导体器件（12）上，所述层间绝缘膜具有开口形状，所述开口部分由覆盖所述栅极电极（116）的延伸部分（121） 在第一方向上延伸的连接部分（122），延伸部分（121）和连接部分（122），其在第一方向上以固定间隔连接一对延伸部分（121），其邻近第二方向 并且暴露出基极区域（112）和发射极区域（113）的主表面的主表面。 此外，在连接部分（122）下方的第一方向上的第二宽度尺寸（122W）大于第一宽度尺寸（122W），在第一宽度尺寸（122W）的第二宽度方向上的发射极区域（113）的第二方向 层间绝缘膜（12）。

公开(公告)号：US20090001532A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US12160111

申请日：2006-12-27

申请人： Arata Shiomi

发明人： Arata Shiomi

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/4334 ,  H01L21/565 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/06 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13034 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/4554

摘要： A plastic-encapsulated semiconductor device is provided which comprises a plastic-encapsulant 4 formed with notches 14 for exposing outside an upper electrode 12a on a semiconducting element 2 and an inner end 13 of a lead terminal 3a, and a radiator 5 formed with a main radiator body 15 mounted on an upper surface 4a of plastic-encapsulant 4, and connections 16 in notches 14 for electrically connecting upper electrode 12a of semiconducting element 2 with lead terminal 3a through main radiator body 15. Alteration in shape of main radiator body 15 allows appropriate change in thermal volume of radiator 5 by adopting radiator 5 of different shape or size. Also, connections 16 may provide a current path to lead terminal 3a in an existing lead frame without need of change in shape of outer leads 3.

摘要翻译： 提供了一种塑料封装的半导体器件，其包括形成有凹口14的塑料密封剂4，用于暴露在半导电元件2上的上电极12a和引线端子3a的内端13的外部，以及形成有主体 安装在塑料密封剂4的上表面4a上的散热体15，以及用于将半导体元件2的上部电极12a与引线端子3a通过主散热器主体15电连接的凹口14的连接16。主散热体15的形状变化允许 通过采用不同形状或尺寸的散热器5适当改变散热器5的热容量。 此外，连接件16可以在现有引线框架中提供引线端子3a的电流路径，而不需要外引线3的形状改变。