公开(公告)号：US07999607B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12775209

申请日：2010-05-06

申请人： Kelin J. Kuhn ,  Richard K. Hose, Jr. ,  Edward Burton ,  Rajesh Kumar

发明人： Kelin J. Kuhn ,  Richard K. Hose, Jr. ,  Edward Burton ,  Rajesh Kumar

IPC分类号： G05F1/10 ,  G05F3/02

CPC分类号： H01L27/088

摘要： Power switch units for microelectronic devices are disclosed. In one aspect, a microelectronic device may include a functional circuit, and a power switch unit to switch power to the functional circuit on and off. The power switch unit may include a large number of transistors coupled together. The transistors may include predominantly positive-channel, insulated gate field effect transistors, which have a gate dielectric that includes a high dielectric constant material. Power switch units having such transistors may tend to have low power consumption. In an aspect, an overdrive voltage may be applied to the gates of such transistors to further reduce power consumption. Methods of overdriving such transistors and systems including such power switch units are also disclosed.

摘要翻译： 公开了用于微电子器件的功率开关单元。 一方面，微电子器件可以包括功能电路，以及电源开关单元，用于将功率电路接通和断开。 电源开关单元可以包括耦合在一起的大量晶体管。 晶体管可以包括主要为正沟道绝缘栅场效应晶体管，其具有包括高介电常数材料的栅极电介质。 具有这种晶体管的功率开关单元倾向于具有低功耗。 在一方面，可以将过驱动电压施加到这种晶体管的栅极，以进一步降低功耗。 还公开了过载驱动这种晶体管和包括这种功率开关单元的系统的方法。

公开(公告)号：US20100214005A1

公开(公告)日：2010-08-26

申请号：US12775209

申请日：2010-05-06

申请人： Kelin J. Kuhn ,  Richard K. Hose, JR. ,  Edward Burton ,  Rajesh Kumar

发明人： Kelin J. Kuhn ,  Richard K. Hose, JR. ,  Edward Burton ,  Rajesh Kumar

IPC分类号： H03K17/687

CPC分类号： H01L27/088

摘要： Power switch units for microelectronic devices are disclosed. In one aspect, a microelectronic device may include a functional circuit, and a power switch unit to switch power to the functional circuit on and off. The power switch unit may include a large number of transistors coupled together. The transistors may include predominantly positive-channel, insulated gate field effect transistors, which have a gate dielectric that includes a high dielectric constant material. Power switch units having such transistors may tend to have low power consumption. In an aspect, an overdrive voltage may be applied to the gates of such transistors to further reduce power consumption. Methods of overdriving such transistors and systems including such power switch units are also disclosed.

摘要翻译： 公开了用于微电子器件的功率开关单元。 一方面，微电子器件可以包括功能电路，以及电源开关单元，用于将功率电路接通和断开。 电源开关单元可以包括耦合在一起的大量晶体管。 晶体管可以包括主要为正沟道绝缘栅场效应晶体管，其具有包括高介电常数材料的栅极电介质。 具有这种晶体管的功率开关单元倾向于具有低功耗。 在一方面，可以将过驱动电压施加到这种晶体管的栅极，以进一步降低功耗。 还公开了过载驱动这种晶体管和包括这种功率开关单元的系统的方法。

公开(公告)号：US07737770B2

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：US11394810

申请日：2006-03-31

申请人： Kelin J. Kuhn ,  Richard K. Hose, Jr. ,  Edward Burton ,  Rajesh Kumar

发明人： Kelin J. Kuhn ,  Richard K. Hose, Jr. ,  Edward Burton ,  Rajesh Kumar

IPC分类号： G05F1/10 ,  G05F3/02

CPC分类号： H01L27/088

摘要： Power switch units for microelectronic devices are disclosed. In one aspect, a microelectronic device may include a functional circuit, and a power switch unit to switch power to the functional circuit on and off. The power switch unit may include a large number of transistors coupled together. The transistors may include predominantly positive-channel, insulated gate field effect transistors, which have a gate dielectric that includes a high dielectric constant material. Power switch units having such transistors may tend to have low power consumption. In an aspect, an overdrive voltage may be applied to the gates of such transistors to further reduce power consumption. Methods of overdriving such transistors and systems including such power switch units are also disclosed.

摘要翻译： 公开了用于微电子器件的功率开关单元。 一方面，微电子器件可以包括功能电路，以及电源开关单元，用于将功率电路接通和断开。 电源开关单元可以包括耦合在一起的大量晶体管。 晶体管可以包括主要为正沟道绝缘栅场效应晶体管，其具有包括高介电常数材料的栅极电介质。 具有这种晶体管的功率开关单元倾向于具有低功耗。 在一方面，可以将过驱动电压施加到这种晶体管的栅极，以进一步降低功耗。 还公开了过载驱动这种晶体管和包括这种功率开关单元的系统的方法。

公开(公告)号：US09183829B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13725773

申请日：2012-12-21

申请人： Sasikanth Manipatruni ,  Kelin J. Kuhn ,  Debendra Mallik ,  John C. Johnson

发明人： Sasikanth Manipatruni ,  Kelin J. Kuhn ,  Debendra Mallik ,  John C. Johnson

IPC分类号： G10K11/34

CPC分类号： G10K11/346 ,  A41D2400/00 ,  H04R1/403 ,  H04R1/406 ,  H04R2201/023 ,  H04R2201/401 ,  H04R2499/11 ,  H04R2499/15

摘要： A system includes a processor and a phased array, coupled to the processor, having an arrayed waveguide for acoustic waves to enable directional sound communication.

摘要翻译： 系统包括耦合到处理器的处理器和相控阵列，其具有用于声波的阵列波导以实现定向声音通信。

公开(公告)号：US20140285980A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：US13976068

申请日：2012-04-13

申请人： Annalisa Cappellani ,  Van H. Le ,  Glenn A. Glass ,  Kelin J. Kuhn ,  Stephen M. Cea

发明人： Annalisa Cappellani ,  Van H. Le ,  Glenn A. Glass ,  Kelin J. Kuhn ,  Stephen M. Cea

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02241 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02455 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/306 ,  H01L21/76 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76283 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7378 ,  H01L29/785 ,  H01L33/12 ,  H05K1/18

摘要： Techniques are disclosed for converting a strain-inducing semiconductor buffer layer into an electrical insulator at one or more locations of the buffer layer, thereby allowing an above device layer to have a number of benefits, which in some embodiments include those that arise from being grown on a strain-inducing buffer and having a buried electrical insulator layer. For instance, having a buried electrical insulator layer (initially used as a strain-inducing buffer during fabrication of the above active device layer) between the Fin and substrate of a non-planar integrated transistor circuit may simultaneously enable a low-doped Fin with high mobility, desirable device electrostatics and elimination or otherwise reduction of substrate junction leakage. Also, the presence of such an electrical insulator under the source and drain regions may further significantly reduce junction leakage. In some embodiments, substantially the entire buffer layer is converted to an electrical insulator.

摘要翻译： 公开了用于将应变诱导半导体缓冲层转化为缓冲层的一个或多个位置处的电绝缘体的技术，从而允许上述器件层具有许多益处，其在一些实施例中包括由于生长而产生的那些 在应变诱导缓冲器上并具有埋入的电绝缘体层。 例如，在非平面集成晶体管电路的Fin和衬底之间具有埋入的电绝缘体层（最初用作制造上述有源器件层期间的应变诱导缓冲器）可以同时使得具有高的低掺杂Fin 移动性，期望的器件静电，以及消除或以其他方式减少衬底结泄漏。 此外，源极和漏极区域下的这种电绝缘体的存在可以进一步显着减少结漏电。 在一些实施例中，基本上整个缓冲层被转换成电绝缘体。

公开(公告)号：US08766372B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13569150

申请日：2012-08-07

申请人： Kelin J. Kuhn ,  Kaizad Mistry ,  Mark Bohr ,  Chris Auth

发明人： Kelin J. Kuhn ,  Kaizad Mistry ,  Mark Bohr ,  Chris Auth

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L29/41725 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76859 ,  H01L21/76874 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of fabricating a first contact to a semiconductor device, which fundamentally comprises providing a semiconductor device formed on a substrate. The substrate further includes a conductive surface. A dielectric layer is formed over the substrate and has an opening exposing the conductive surface. The opening extends an entire length of the semiconductor device, partway down the entire length of the device, extending from the device onto adjacent field of the device, or and a combination thereof. A barrier layer is formed within the opening. A copper containing material fills the opening to form a first contact to the semiconductor device.

摘要翻译： 制造半导体器件的第一接触的方法，其基本上包括提供形成在衬底上的半导体器件。 基板还包括导电表面。 介电层形成在衬底上并具有暴露导电表面的开口。 开口延伸半导体器件的整个长度，从设备的整个长度的一部分延伸到器件的相邻的场上，或其组合。 在开口内形成阻挡层。 含铜材料填充开口以形成与半导体器件的第一接触。

公开(公告)号：US08753942B2

公开(公告)日：2014-06-17

申请号：US12958179

申请日：2010-12-01

申请人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

发明人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/772 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include forming a nanowire device comprising a substrate comprising source/drain structures adjacent to spacers, and nanowire channel structures disposed between the spacers, wherein the nanowire channel structures are vertically stacked above each other.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括形成纳米线装置，其包括基板，该基板包括与间隔物相邻的源极/漏极结构，以及设置在间隔物之间​​的纳米线通道结构，其中纳米线通道结构在彼此之上垂直堆叠。

公开(公告)号：US20120161202A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US12978248

申请日：2010-12-23

申请人： Annalisa Cappellani ,  Kelin J. Kuhn ,  Rafael Rios ,  Titash Rakshit ,  Sivakumar P. Mudanai

发明人： Annalisa Cappellani ,  Kelin J. Kuhn ,  Rafael Rios ,  Titash Rakshit ,  Sivakumar P. Mudanai

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/775 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

摘要： A junctionless accumulation-mode (JAM) semiconductive device is isolated from a semiconducive substrate by a reverse-bias band below a prominent feature of a JAM semiconductive body. Processes of making the JAM device include implantation and epitaxy.

摘要翻译： 通过在JAM半导体主体的突出特征之下的反向偏压带将无连接累积模式（JAM）半导体器件从半导体衬底隔离。 制造JAM器件的过程包括植入和外延。

公开(公告)号：US20120138886A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US12958179

申请日：2010-12-01

申请人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

发明人： Kelin J. Kuhn ,  Seiyon Kim ,  Rafael Rios ,  Stephen M. Cea ,  Martin D. Giles ,  Annalisa Cappellani ,  Titash Rakshit ,  Peter Chang ,  Willy Rachmady

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L29/66 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

摘要： Methods of forming microelectronic structures are described. Embodiments of those methods include forming a nanowire device comprising a substrate comprising source/drain structures adjacent to spacers, and nanowire channel structures disposed between the spacers, wherein the nanowire channel structures are vertically stacked above each other.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括形成纳米线装置，其包括基板，该基板包括与间隔物相邻的源极/漏极结构，以及设置在间隔物之间​​的纳米线通道结构，其中纳米线通道结构在彼此之上垂直堆叠。

公开(公告)号：US20110147848A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12655085

申请日：2009-12-23

申请人： Kelin J. Kuhn ,  Tahir Ghani ,  Justin S. Sandford

发明人： Kelin J. Kuhn ,  Tahir Ghani ,  Justin S. Sandford

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886

摘要： The present disclosure relates to the field of fabricating microelectronic devices. In at least one embodiment, the present subject matter relates to forming transistor fins of differing heights to obtain a performance improvement for a given type of integrated circuit within the microelectronic device.

摘要翻译： 本公开涉及制造微电子器件的领域。 在至少一个实施例中，本主题涉及形成不同高度的晶体管鳍片，以获得微电子器件内的给定类型的集成电路的性能改进。