公开(公告)号：US5602414A

公开(公告)日：1997-02-11

申请号：US260791

申请日：1994-06-16

申请人： Kotaro Mitsui ,  Zenpei Kawazu ,  Kazuo Mizuguchi ,  Seiji Ochi ,  Yuji Ohkura ,  Norio Hayafuji ,  Hirotaka Kizuki ,  Mari Tsugami ,  Akihiro Takami ,  Manabu Katoh

发明人： Kotaro Mitsui ,  Zenpei Kawazu ,  Kazuo Mizuguchi ,  Seiji Ochi ,  Yuji Ohkura ,  Norio Hayafuji ,  Hirotaka Kizuki ,  Mari Tsugami ,  Akihiro Takami ,  Manabu Katoh

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L27/14649

摘要： In a method for fabricating an infrared detector, initially, a CdHgTe layer of a first conductivity type is produced on a front surface of a semiconductor substrate, a plurality of spaced apart CdHgTe regions of a second conductivity type, opposite the first conductivity type, are produced at the surface of the first conductivity type CdHgTe layer, and part of the surface of the first conductivity type CdHgTe layer between the second conductivity type CdHgTe regions is selectively irradiated with a charged particle beam to evaporate Hg atoms from that part, whereby a CdHgTe separation region of the first conductivity type and having a Cd composition larger than that of the first conductivity type CdHgTe layer is produced penetrating through the first conductivity type CdHgTe layer and surrounding each of the second conductivity type CdHgTe regions. Therefore, a highly-integrated high-resolution infrared detector with no crosstalk between pixels is achieved.

摘要翻译： 在红外线检测器的制造方法中，首先，在半导体基板的正面形成有与第一导电型相反的多个第二导电类型的间隔开的CdHgTe区域的第一导电型CdHgTe层， 在第一导电型CdHgTe层的表面产生，并且第二导电型CdHgTe区域之间的第一导电类型CdHgTe层的表面的一部分被带电粒子束选择性地照射，以从该部分蒸发Hg原子，由此CdHgTe 产生具有比第一导电型CdHgTe层的Cd组分大的第一导电类型的分离区，穿过第一导电型CdHgTe层并围绕每个第二导电型CdHgTe区。 因此，实现了在像素之间没有串扰的高度集成的高分辨率红外检测器。

公开(公告)号：US20110240463A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13133349

申请日：2009-12-07

申请人： Kazunori Nishio ,  Kazuo Mizuguchi ,  Minoru Kawashima ,  Toshio Aritomi

发明人： Kazunori Nishio ,  Kazuo Mizuguchi ,  Minoru Kawashima ,  Toshio Aritomi

IPC分类号： C25B13/08 ,  C08J5/20

CPC分类号： B01D61/445 ,  B01D69/10 ,  B01D71/26 ,  B01D2325/14 ,  B01D2325/16 ,  C08J5/2275 ,  C08J2327/08

摘要： To provide a bipolar membrane featuring improved adhesion between an anion-exchange membrane and a cation-exchange membrane without accompanied by an increase in the membrane voltage.[Means for Solution] A bipolar membrane comprising a cation-exchange membrane and an anion-exchange membrane joined together facing each other, wherein at least one of the ion exchange membranes contains a chlorinated polyolefin.

摘要翻译： 提供一种具有改进阴离子交换膜和阳离子交换膜之间粘附性的双极膜，而不伴随膜电压的增加。 [解决方案]包括彼此面对的阳离子交换膜和阴离子交换膜的双极膜，其中至少一个离子交换膜含有氯化聚烯烃。

公开(公告)号：US08980070B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13133349

申请日：2009-12-07

申请人： Kazunori Nishio ,  Kazuo Mizuguchi ,  Minoru Kawashima ,  Toshio Aritomi

发明人： Kazunori Nishio ,  Kazuo Mizuguchi ,  Minoru Kawashima ,  Toshio Aritomi

IPC分类号： B01D61/48 ,  B01D61/44 ,  B01D69/10 ,  B01D71/26 ,  C08J5/22

CPC分类号： B01D61/445 ,  B01D69/10 ,  B01D71/26 ,  B01D2325/14 ,  B01D2325/16 ,  C08J5/2275 ,  C08J2327/08

摘要： To provide a bipolar membrane featuring improved adhesion between an anion-exchange membrane and a cation-exchange membrane without accompanied by an increase in the membrane voltage.[Means for Solution]A bipolar membrane comprising a cation-exchange membrane and an anion-exchange membrane joined together facing each other, wherein at least one of the ion exchange membranes contains a chlorinated polyolefin.

摘要翻译： 提供一种具有改进阴离子交换膜和阳离子交换膜之间粘附性的双极膜，而不伴随膜电压的增加。 [解决方案]包括彼此面对的阳离子交换膜和阴离子交换膜的双极膜，其中至少一个离子交换膜含有氯化聚烯烃。

公开(公告)号：US20140014519A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US14007290

申请日：2012-03-28

申请人： Nobuhiko Ohmura ,  Kazuo Mizuguchi ,  Kazunori Nishio ,  Toshio Aritomi

发明人： Nobuhiko Ohmura ,  Kazuo Mizuguchi ,  Kazunori Nishio ,  Toshio Aritomi

IPC分类号： B01D61/48

CPC分类号： B01D61/485 ,  B01D69/10 ,  B01D71/28 ,  B01D2325/42 ,  B01J39/20 ,  B01J41/14 ,  B01J47/018 ,  B01J47/12 ,  C08J5/22 ,  C08J5/2231 ,  C08J2323/06

摘要： An ion-exchange membrane including a porous unstretched polyethylene sheet in which fine pores are piercing, the pores being filled with an ion-exchange resin.The ion-exchange membrane exhibits excellent concentration property.

摘要翻译： 一种离子交换膜，其包括多孔未拉伸聚乙烯片，其中细孔被刺穿，所述孔填充有离子交换树脂。 离子交换膜表现出优异的浓度特性。

公开(公告)号：US4377734A

公开(公告)日：1983-03-22

申请号：US195380

申请日：1980-10-09

申请人： Yoji Mashiko ,  Hirozo Takano ,  Haruhiko Abe ,  Sotoju Asai ,  Kazuo Mizuguchi ,  Sumio Nomoto

发明人： Yoji Mashiko ,  Hirozo Takano ,  Haruhiko Abe ,  Sotoju Asai ,  Kazuo Mizuguchi ,  Sumio Nomoto

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3215 ,  B23K9/00

CPC分类号： H01L21/3215 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

摘要： Ions of a metal which becomes passive under the presence of oxygen with regard to plasma etching are implanted into selected portions of the surface of a workpiece, after which the workpiece is subjected to plasma etching with a reaction gas mixed with oxygen, whereby that layer which has been rendered passive acts as a mask, and an etched pattern is formed.

摘要翻译： 在等离子体蚀刻的氧气存在下变为无源的金属的离子注入到工件的表面的选定部分中，之后用与氧混合的反应气体进行等离子体蚀刻，由此将该层 已被赋予被动作为掩模，并且形成蚀刻图案。

公开(公告)号：US09162185B2

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：US14007290

申请日：2012-03-28

申请人： Nobuhiko Ohmura ,  Kazuo Mizuguchi ,  Kazunori Nishio ,  Toshio Aritomi

发明人： Nobuhiko Ohmura ,  Kazuo Mizuguchi ,  Kazunori Nishio ,  Toshio Aritomi

IPC分类号： B01D61/48 ,  B01D69/10 ,  B01D71/28 ,  C08J5/22 ,  B01J39/20 ,  B01J41/14 ,  B01J47/00 ,  B01J47/12

CPC分类号： B01D61/485 ,  B01D69/10 ,  B01D71/28 ,  B01D2325/42 ,  B01J39/20 ,  B01J41/14 ,  B01J47/018 ,  B01J47/12 ,  C08J5/22 ,  C08J5/2231 ,  C08J2323/06

摘要： An ion-exchange membrane including a porous unstretched polyethylene sheet in which fine pores are piercing, the pores being filled with an ion-exchange resin.The ion-exchange membrane exhibits excellent concentration property.

摘要翻译： 一种离子交换膜，其包括多孔未拉伸聚乙烯片，其中细孔被刺穿，所述孔填充有离子交换树脂。 离子交换膜表现出优异的浓度特性。

公开(公告)号：US5161167A

公开(公告)日：1992-11-03

申请号：US717046

申请日：1991-06-18

申请人： Takashi Murakami ,  Shigeki Kageyama ,  Kazuo Mizuguchi

发明人： Takashi Murakami ,  Shigeki Kageyama ,  Kazuo Mizuguchi

IPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01S5/32325 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2207 ,  H01S5/2209 ,  H01S5/221 ,  H01S5/2219

摘要： A semiconductor laser producing visible light includes a first conductivity type GaAs substrate, a first conductivity type (Al.sub.w Ga.sub.1-w).sub.0.5 In.sub.0.5 P cladding layer disposed on the substrate, a (Al.sub.z Ga.sub.1-z).sub.0.5 In.sub.0.5 P active layer disposed on the first conductivity type cladding layer wherein 0.ltoreq.z

公开(公告)号：US4341616A

公开(公告)日：1982-07-27

申请号：US215185

申请日：1980-12-11

申请人： Masao Nagatomo ,  Haruhiko Abe ,  Kazuo Mizuguchi

发明人： Masao Nagatomo ,  Haruhiko Abe ,  Kazuo Mizuguchi

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  C23C15/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01J37/32559

摘要： A dry etching device is provided in which on at least one portion of the path of etchant movement from the plasma production region to the etching workpiece a resin coating containing atoms or molecules of the same type as the chemically active atoms or molecules which constitute the etchant, is formed.

摘要翻译： 提供一种干蚀刻装置，其中在腐蚀剂路径的至少一部分从等离子体生成区域移动到蚀刻工件时，树脂涂层含有与构成蚀刻剂的化学活性原子或分子相同类型的原子或分子 ， 形成了。

公开(公告)号：US4314874A

公开(公告)日：1982-02-09

申请号：US190286

申请日：1980-09-24

申请人： Haruhiko Abe ,  Yoji Mashiko ,  Hiroshi Harada ,  Sotoju Asai ,  Kazuo Mizuguchi ,  Sumio Nomoto

发明人： Haruhiko Abe ,  Yoji Mashiko ,  Hiroshi Harada ,  Sotoju Asai ,  Kazuo Mizuguchi ,  Sumio Nomoto

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3215 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01L21/31683 ,  C23F4/00 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/3215

摘要： A thin aluminum film 3 is formed on the top surface of a substrate 2, 1. Selected areas of the aluminum film are irradiated by an oxygen ion beam 6 to form implanted regions 7. The surface is then plasma etched, with the oxygen ion implanted regions serving as a mask to thereby prevent the removal of the underlying areas of the aluminum film.

摘要翻译： 在基板2的顶表面上形成薄的铝膜3.铝膜的一些区域被氧离子束6照射以形成注入区域7.然后等离子体蚀刻该表面，并将氧离子注入 作为掩模的区域，从而防止去除铝膜的下面的区域。