公开(公告)号：US4314874A

公开(公告)日：1982-02-09

申请号：US190286

申请日：1980-09-24

申请人： Haruhiko Abe ,  Yoji Mashiko ,  Hiroshi Harada ,  Sotoju Asai ,  Kazuo Mizuguchi ,  Sumio Nomoto

发明人： Haruhiko Abe ,  Yoji Mashiko ,  Hiroshi Harada ,  Sotoju Asai ,  Kazuo Mizuguchi ,  Sumio Nomoto

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3215 ,  C23F1/02

CPC分类号： H01L21/31683 ,  C23F4/00 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/3215

摘要： A thin aluminum film 3 is formed on the top surface of a substrate 2, 1. Selected areas of the aluminum film are irradiated by an oxygen ion beam 6 to form implanted regions 7. The surface is then plasma etched, with the oxygen ion implanted regions serving as a mask to thereby prevent the removal of the underlying areas of the aluminum film.

摘要翻译： 在基板2的顶表面上形成薄的铝膜3.铝膜的一些区域被氧离子束6照射以形成注入区域7.然后等离子体蚀刻该表面，并将氧离子注入 作为掩模的区域，从而防止去除铝膜的下面的区域。

公开(公告)号：US4377734A

公开(公告)日：1983-03-22

申请号：US195380

申请日：1980-10-09

申请人： Yoji Mashiko ,  Hirozo Takano ,  Haruhiko Abe ,  Sotoju Asai ,  Kazuo Mizuguchi ,  Sumio Nomoto

发明人： Yoji Mashiko ,  Hirozo Takano ,  Haruhiko Abe ,  Sotoju Asai ,  Kazuo Mizuguchi ,  Sumio Nomoto

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3215 ,  B23K9/00

CPC分类号： H01L21/3215 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

摘要： Ions of a metal which becomes passive under the presence of oxygen with regard to plasma etching are implanted into selected portions of the surface of a workpiece, after which the workpiece is subjected to plasma etching with a reaction gas mixed with oxygen, whereby that layer which has been rendered passive acts as a mask, and an etched pattern is formed.

摘要翻译： 在等离子体蚀刻的氧气存在下变为无源的金属的离子注入到工件的表面的选定部分中，之后用与氧混合的反应气体进行等离子体蚀刻，由此将该层 已被赋予被动作为掩模，并且形成蚀刻图案。

公开(公告)号：US4341616A

公开(公告)日：1982-07-27

申请号：US215185

申请日：1980-12-11

申请人： Masao Nagatomo ,  Haruhiko Abe ,  Kazuo Mizuguchi

发明人： Masao Nagatomo ,  Haruhiko Abe ,  Kazuo Mizuguchi

IPC分类号： C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  C23C15/00 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01J37/32559

摘要： A dry etching device is provided in which on at least one portion of the path of etchant movement from the plasma production region to the etching workpiece a resin coating containing atoms or molecules of the same type as the chemically active atoms or molecules which constitute the etchant, is formed.

摘要翻译： 提供一种干蚀刻装置，其中在腐蚀剂路径的至少一部分从等离子体生成区域移动到蚀刻工件时，树脂涂层含有与构成蚀刻剂的化学活性原子或分子相同类型的原子或分子 ， 形成了。

公开(公告)号：US4333226A

公开(公告)日：1982-06-08

申请号：US209889

申请日：1980-11-24

申请人： Haruhiko Abe ,  Masao Nagatomo ,  Natsuro Tsubouchi ,  Hiroshi Harada ,  Junichi Mitsuhashi

发明人： Haruhiko Abe ,  Masao Nagatomo ,  Natsuro Tsubouchi ,  Hiroshi Harada ,  Junichi Mitsuhashi

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  B05D3/06 ,  B05D5/12 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/76888 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/321 ,  Y10S148/02 ,  Y10S148/117 ,  Y10S438/911

摘要： A thin film of a metal which is capable of oxidation and sublimation is formed on a major surface of a semiconductor substrate, and a portion of a major surface of the thin metallic film is irradiated with an oxygen ion beam to convert a portion of the thin metallic film to an oxide, and subsequently the thin metallic film is heat treated to remove the oxide by sublimation, whereby electrodes or wiring for a semiconductor integrated circuit are formed by the remaining thin metallic film.

摘要翻译： 在半导体衬底的主表面上形成能够氧化和升华的金属薄膜，并且用氧离子束照射薄金属膜的主表面的一部分，以将薄的一部分 金属膜与氧化物接触，随后通过升华来对金属薄膜进行热处理以除去氧化物，由剩余的薄金属膜形成用于半导体集成电路的电极或布线。

公开(公告)号：US4454166A

公开(公告)日：1984-06-12

申请号：US455251

申请日：1983-01-03

申请人： Haruhiko Abe ,  Hiroshi Harada ,  Shigeji Kinoshita ,  Yoshihiro Hirata ,  Masahiko Denda ,  Yoichi Akasaka

发明人： Haruhiko Abe ,  Hiroshi Harada ,  Shigeji Kinoshita ,  Yoshihiro Hirata ,  Masahiko Denda ,  Yoichi Akasaka

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/76889 ,  H01L21/3144

摘要： A nitride film is formed on a main surface of a semiconductor substrate by plasma CVD process and an oxygen-containing layer is formed on the nitride film and an aluminum-containing film is further formed on the oxygen-containing layer.

摘要翻译： 通过等离子体CVD法在半导体基板的主表面上形成氮化物膜，在氮化膜上形成含氧层，在含氧层上形成含铝膜。

公开(公告)号：US4438368A

公开(公告)日：1984-03-20

申请号：US315730

申请日：1981-10-28

申请人： Haruhiko Abe ,  Hiroshi Harada ,  Masahiko Denda ,  Koichi Nagasawa ,  Yoshio Kono

发明人： Haruhiko Abe ,  Hiroshi Harada ,  Masahiko Denda ,  Koichi Nagasawa ,  Yoshio Kono

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C8/36 ,  C23C16/513 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01J7/46 ,  H01J19/80

CPC分类号： H01J37/32623 ,  C23C16/513 ,  C23C8/36 ,  C23F1/00 ,  C23F4/00 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32678 ,  H01L21/302

摘要： A plasma treating apparatus includes: an air-core coil for generating a static magnetic field which is axially uniform and a high-frequency waveguide for generating a high-frequency electromagnetic field which is irregular in the axial direction of the air-core coil. A plasma generating glass tube is disposed in the high-frequency waveguide and adapted to be supplied with a gas and a plasma reaction bath held under a vacuum for receiving the plasma flow which is generated axially in the glass tube. A substrate platform is disposed in the reaction bath for supporting a substrate to be treated at a right angle with respect to the plasma flow. There is also included a magnetic field generating coil disposed outside of said reaction bath for shaping the plasma.

摘要翻译： 等离子体处理装置包括：用于产生轴向均匀的静磁场的空心线圈和用于产生在空心线圈的轴向上不规则的高频电磁场的高频波导。 等离子体产生玻璃管设置在高频波导中并且适于被供应气体和等离子体反应槽，其保持在真空下以接收在玻璃管中轴向产生的等离子体流。 基板平台设置在反应槽中，用于相对于等离子体流以直角支撑待处理的基板。 还包括设置在所述反应槽的外侧以形成等离子体的磁场产生线圈。

公开(公告)号：US20070288184A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11717769

申请日：2007-03-14

申请人： Hideaki Konishi ,  Ryuji Shimizu ,  Masayasu Hojo ,  Haruhiko Abe ,  Satoshi Masuda ,  Naofumi Kobayashi

发明人： Hideaki Konishi ,  Ryuji Shimizu ,  Masayasu Hojo ,  Haruhiko Abe ,  Satoshi Masuda ,  Naofumi Kobayashi

IPC分类号： G01R29/02

CPC分类号： G01R31/31858 ,  G01R31/318552 ,  G01R31/318594

摘要： In a delay failure test circuit, a delay failure test between two clock domains among a plurality of clock domains having different operation clock rates is performed. The delay failure test circuit inputs, to a first clock domain, a clock signal having only a launch edge for transferring data from the first clock domain to a second clock domain, and to input, to the second clock domain, a clock signal having only a capture edge for capturing the data.

摘要翻译： 在延迟故障测试电路中，执行具有不同操作时钟速率的多个时钟域中的两个时钟域之间的延迟失败测试。 延迟故障测试电路向第一时钟域输入仅具有用于将数据从第一时钟域传送到第二时钟域的发射边缘的时钟信号，并将仅具有唯一的时钟信号输入到第二时钟域 用于捕获数据的捕获边。

公开(公告)号：US08399807B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US12449937

申请日：2008-02-19

申请人： Haruhiko Abe

发明人： Haruhiko Abe

IPC分类号： F23Q7/22 ,  F23Q7/00

CPC分类号： F23Q7/001 ,  F23Q2007/004 ,  Y10T29/49083

摘要： The present invention provides a glow plug capable of preventing a deformation or eccentricity of the coil, thereby improving a durability of the coil and preventing a variation in temperature-rising characteristic. Also, the present invention provides a method for manufacturing the glow plug.

摘要翻译： 本发明提供能够防止线圈变形或偏心的电热塞，从而提高线圈的耐久性并防止升温特性的变化。 另外，本发明提供一种电热塞的制造方法。

公开(公告)号：US07640124B2

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US11717769

申请日：2007-03-14

申请人： Hideaki Konishi ,  Ryuji Shimizu ,  Masayasu Hojo ,  Haruhiko Abe ,  Satoshi Masuda ,  Naofumi Kobayashi

发明人： Hideaki Konishi ,  Ryuji Shimizu ,  Masayasu Hojo ,  Haruhiko Abe ,  Satoshi Masuda ,  Naofumi Kobayashi

IPC分类号： G01R29/02

CPC分类号： G01R31/31858 ,  G01R31/318552 ,  G01R31/318594

摘要： In a delay failure test circuit, a delay failure test between two clock domains among a plurality of clock domains having different operation clock rates is performed. The delay failure test circuit inputs, to a first clock domain, a clock signal having only a launch edge for transferring data from the first clock domain to a second clock domain, and to input, to the second clock domain, a clock signal having only a capture edge for capturing the data.

摘要翻译： 在延迟故障测试电路中，执行具有不同操作时钟速率的多个时钟域中的两个时钟域之间的延迟失败测试。 延迟故障测试电路向第一时钟域输入仅具有用于将数据从第一时钟域传送到第二时钟域的发射边缘的时钟信号，并将仅具有唯一的时钟信号输入到第二时钟域 用于捕获数据的捕获边。

公开(公告)号：US20100133252A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12449937

申请日：2008-02-19

申请人： Haruhiko Abe

发明人： Haruhiko Abe

IPC分类号： F23Q7/22 ,  H01C17/00

CPC分类号： F23Q7/001 ,  F23Q2007/004 ,  Y10T29/49083

摘要： The present invention provides a glow plug capable of preventing a deformation or eccentricity of the coil, thereby improving a durability of the coil and preventing a variation in temperature-rising characteristic. Also, the present invention provides a method for manufacturing the glow plug.

摘要翻译： 本发明提供能够防止线圈变形或偏心的电热塞，从而提高线圈的耐久性并防止升温特性的变化。 另外，本发明提供一种电热塞的制造方法。