公开(公告)号：US09305766B2

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：US13518259

申请日：2010-12-22

申请人： Lars Samuelson ,  Knut Deppert ,  Jonas Ohlsson ,  Martin Magnusson

发明人： Lars Samuelson ,  Knut Deppert ,  Jonas Ohlsson ,  Martin Magnusson

IPC分类号： H01L21/326 ,  H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/06 ,  B03C7/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/0669 ,  B03C7/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

摘要： The present invention provides a method for aligning nanowires which can be used to fabricate devices comprising nanowires that has well-defined and controlled orientation independently on what substrate they are arranged on. The method comprises the steps of providing nanowires (1) and applying an electrical field (E) over the population of nanowires (1), whereby an electrical dipole moment of the nanowires makes them align along the electrical field (E). Preferably the nanowires are dispersed in a fluid during the steps of providing and aligning. When aligned, the nanowires can be fixated, preferably be deposition on a substrate (2). The electrical field can be utilized in the deposition. Pn-junctions or any net charge introduced in the nanowires (1) may assist in the aligning and deposition process. The method is suitable for continuous processing, e.g. in a roll-to-roll process, on practically any substrate materials and not limited to substrates suitable for particle assisted growth.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于对准纳米线的方法，其可用于制造包含纳米线的器件，所述纳米线在其布置在其上的衬底上独立地具有明确且受控的取向。 该方法包括以下步骤：在纳米线（1）群上提供纳米线（1）和施加电场（E），由此纳米线的电偶极矩使得它们沿着电场（E）排列。 优选地，在提供和对准的步骤期间，纳米线分散在流体中。 当对准时，可以将纳米线固定，优选沉积在基底（2）上。 电场可用于沉积。 在纳米线（1）中引入的Pn结或任何净电荷可能有助于对准和沉积过程。 该方法适用于连续加工，例如 在卷对卷方法中，几乎适用于任何基底材料，不限于适用于颗粒辅助生长的基底。

公开(公告)号：US20130203242A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13518259

申请日：2010-12-22

申请人： Lars Samuelson ,  Knut Deppert ,  Jonas Ohlsson ,  Martin Magnusson

发明人： Lars Samuelson ,  Knut Deppert ,  Jonas Ohlsson ,  Martin Magnusson

IPC分类号： H01L21/02 ,  B03C7/00

CPC分类号： H01L29/0669 ,  B03C7/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

摘要： The present invention provides a method for aligning nanowires which can be used to fabricate devices comprising nanowires that has well-defined and controlled orientation independently on what substrate they are arranged on. The method comprises the steps of providing nanowires (1) and applying an electrical field (E) over the population of nanowires (1), whereby an electrical dipole moment of the nanowires makes them align along the electrical field (E). Preferably the nanowires are dispersed in a fluid during the steps of providing and aligning. When aligned, the nanowires can be fixated, preferably be deposition on a substrate (2). The electrical field can be utilised in the deposition. Pn-junctions or any net charge introduced in the nanowires (1) may assist in the aligning and deposition process. The method is suitable for continuous processing, e.g. in a roll-to-roll process, on practically any substrate materials and not limited to substrates suitable for particle assisted growth.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于对准纳米线的方法，其可用于制造包含纳米线的器件，所述纳米线在其布置在其上的衬底上独立地具有明确且受控的取向。 该方法包括以下步骤：在纳米线（1）群上提供纳米线（1）和施加电场（E），由此纳米线的电偶极矩使得它们沿着电场（E）排列。 优选地，在提供和对准的步骤期间，纳米线分散在流体中。 当对准时，可以将纳米线固定，优选沉积在基底（2）上。 电场可用于沉积。 在纳米线（1）中引入的Pn结或任何净电荷可能有助于对准和沉积过程。 该方法适用于连续加工，例如 在卷对卷方法中，几乎适用于任何基底材料，不限于适用于颗粒辅助生长的基底。

公开(公告)号：US09447520B2

公开(公告)日：2016-09-20

申请号：US13696611

申请日：2011-05-11

申请人： Lars Samuelson ,  Martin Magnusson ,  Knut Deppert ,  Magnus Heurlin

发明人： Lars Samuelson ,  Martin Magnusson ,  Knut Deppert ,  Magnus Heurlin

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/62

CPC分类号： C30B25/005 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/42 ,  C30B29/62

摘要： The present invention provides a method and a system for forming wires (1) that enables a large scale process combined with a high structural complexity and material quality comparable to wires formed using substrate-based synthesis. The wires (1) are grown from catalytic seed particles (2) suspended in a gas within a reactor. Due to a modular approach wires (1) of different configuration can be formed in a continuous process. In-situ analysis to monitor and/or to sort particles and/or wires formed enables efficient process control.

摘要翻译： 本发明提供一种用于形成导线（1）的方法和系统，其使得能够与结构复杂性和材料质量相结合的大规模工艺与基于基板的合成形成的导线相比。 电线（1）从悬浮在反应器内的气体中的催化种子颗粒（2）生长。 由于模块化方法，可以在连续过程中形成不同配置的线（1）。 用于监测和/或排列形成的颗粒和/或线的原位分析可以有效地进行过程控制。

公开(公告)号：US20130098288A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13696611

申请日：2011-05-11

申请人： Lars Samuelson ,  Martin Magnusson ,  Knut Deppert ,  Magnus Heurlin

发明人： Lars Samuelson ,  Martin Magnusson ,  Knut Deppert ,  Magnus Heurlin

IPC分类号： C30B25/00

CPC分类号： C30B25/005 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/42 ,  C30B29/62

摘要： The present invention provides a method and a system for forming wires (1) that enables a large scale process combined with a high structural complexity and material quality comparable to wires formed using substrate-based synthesis. The wires (1) are grown from catalytic seed particles (2) suspended in a gas within a reactor. Due to a modular approach wires (1) of different configuration can be formed in a continuous process. In-situ analysis to monitor and/or to sort particles and/or wires formed enables efficient process control.

摘要翻译： 本发明提供一种用于形成导线（1）的方法和系统，其使得能够与结构复杂性和材料质量相结合的大规模工艺与基于基板的合成形成的导线相比。 电线（1）从悬浮在反应器内的气体中的催化种子颗粒（2）生长。 由于模块化方法，可以在连续过程中形成不同配置的线（1）。 用于监测和/或排列形成的颗粒和/或线的原位分析可以有效地进行过程控制。

公开(公告)号：US20060057360A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US10986438

申请日：2004-11-12

申请人： Lars Samuelson ,  Knut Deppert

发明人： Lars Samuelson ,  Knut Deppert

IPC分类号： C23C16/00 ,  B32B5/16 ,  B05D1/36

CPC分类号： C30B29/62 ,  B01J21/185 ,  B01J37/0238 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/40 ,  C30B29/44 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/101 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/50 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/754 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891 ,  Y10S977/921 ,  Y10T428/25

摘要： A method of forming a nanostructure having the form of a tree, comprises a first stage and a second stage. The first stage includes providing one or more catalytic particles on a substrate surface, and growing a first nanowhisker via each catalytic particle. The second stage includes providing, on the periphery of each first nanowhisker, one or more second catalytic particles, and growing, from each second catalytic particle, a second nanowhisker extending transversely from the periphery of the respective first nanowhisker. Further stages may be included to grow one or more further nanowhiskers extending from the nanowhisker(s) of the preceding stage. Heterostructures may be created within the nanowhiskers. Such nanostructures may form the components of a solar cell array or a light emitting flat panel, where the nanowhiskers are formed of a photosensitive material. A neural network may be formed by positioning the first nanowhiskers close together so that adjacent trees contact one another through nanowhiskers grown in a subsequent stage, and heterojunctions within the nanowhiskers create tunnel barriers to current flow.

摘要翻译： 形成具有树形形状的纳米结构的方法包括第一阶段和第二阶段。 第一阶段包括在衬底表面上提供一种或多种催化剂颗粒，以及通过每种催化剂颗粒生长第一纳米晶须。 第二阶段包括在每个第一纳米晶须的外围提供一个或多个第二催化剂颗粒，并且从每个第二催化颗粒生长从相应的第一纳米晶须的周边横向延伸的第二纳米晶须。 可以包括进一步的阶段以生长从前一级的纳米晶须延伸出的一个或多个另外的纳米晶须。 可能在纳米晶须内形成异质结构。 这样的纳米结构可以形成太阳能电池阵列或发光平板的组件，其中纳米晶须由感光材料形成。 可以通过将第一纳米晶须紧靠在一起而使得相邻的树木通过在后续阶段中生长的纳米晶须彼此接触而形成神经网络，并且纳米晶须内的异质结形成对当前流动的隧道势垒。