公开(公告)号：US06884662B1

公开(公告)日：2005-04-26

申请号：US10058473

申请日：2002-01-28

申请人： Ken Chen ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Jones Wang ,  Hank Huang

发明人： Ken Chen ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Jones Wang ,  Hank Huang

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： A new method is provided for the interface between a stress relieve interface layer of polyimide and a thereover created layer of mold compound. The invention provides for creating a pattern in the stress relieve layer of polyimide before the layer of mold compound is formed over the stress relieve layer of polyimide.

摘要翻译： 提供了一种新的方法，用于聚酰亚胺的应力消除界面层与其所形成的模具化合物层之间的界面。 本发明提供了在模制化合物层形成在聚酰亚胺的应力释放层上之前在聚酰亚胺的应力释放层中产生图案。

公开(公告)号：US07390697B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US11059732

申请日：2005-02-17

申请人： Ken Chen ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Jones Wang ,  Hank Huang

发明人： Ken Chen ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Jones Wang ,  Hank Huang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： A new method is provided for the interface between a stress relieve interface layer of polyimide and a thereover created layer of mold compound. The invention provides for creating a pattern in the stress relieve layer of polyimide before the layer of mold compound is formed over the stress relieve layer of polyimide.

摘要翻译： 提供了一种新的方法，用于聚酰亚胺的应力消除界面层与其所形成的模具化合物层之间的界面。 本发明提供了在模制化合物层形成在聚酰亚胺的应力释放层上之前在聚酰亚胺的应力释放层中产生图案。

公开(公告)号：US06960518B1

公开(公告)日：2005-11-01

申请号：US10199855

申请日：2002-07-19

申请人： Pei-Haw Tsao ,  Chender Huang ,  Jones Wang ,  Ken Chen ,  Hank Huang

发明人： Pei-Haw Tsao ,  Chender Huang ,  Jones Wang ,  Ken Chen ,  Hank Huang

IPC分类号： H01L21/441 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49811 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30107 ,  H05K3/3473 ,  H05K2201/2081 ,  H05K2203/016 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/0338 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

摘要： A new method is provided for the interconnection of flip chips to a supporting substrate. The invention starts with a conventional first substrate, that serves as a semiconductor device support structure, over the surface of which a first pattern of contacts points has been provided. The invention then uses a second substrate, for instance a glass or quartz plate, and creates over the surface thereof a second pattern of solder bumps separated by solder non-wettable surfaces. The second pattern is a mirror image of the first pattern. By then overlying the first pattern of contact points with the second pattern of solder bumps, a step of reflow can be applied to the solder bumps, transferring the solder bumps from the second substrate to the contact points provided over the first substrate.

摘要翻译： 提供了一种用于将倒装芯片互连到支撑衬底的新方法。 本发明从用作半导体器件支撑结构的常规第一基板开始，其表面上已经提供了第一图案的接触点。 然后，本发明使用第二衬底，例如玻璃或石英板，并在其表面上形成由焊料不可润湿表面分开的第二焊料凸块图案。 第二图案是第一图案的镜像。 然后通过第二图案的焊料凸块覆盖第一图案的接触点，可以对焊料凸点施加回流步骤，将焊料凸起从第二基板转移到设置在第一基板上的接触点。

公开(公告)号：US20050167807A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11059732

申请日：2005-02-17

申请人： Ken Chen ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Jones Wang ,  Hank Huang

发明人： Ken Chen ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Jones Wang ,  Hank Huang

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/02 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： A new method is provided for the interface between a stress relieve interface layer of polyimide and a thereover created layer of mold compound. The invention provides for creating a pattern in the stress relieve layer of polyimide before the layer of mold compound is formed over the stress relieve layer of polyimide.

公开(公告)号：US06656827B1

公开(公告)日：2003-12-02

申请号：US10272629

申请日：2002-10-17

申请人： Pei-Haw Tsao ,  Chender Huang ,  Jones Wang ,  Ken Chen ,  Hank Huang

发明人： Pei-Haw Tsao ,  Chender Huang ,  Jones Wang ,  Ken Chen ,  Hank Huang

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method including providing a first substrate having a first bond pad and a second bond pad; forming a subassembly comprising securing a second substrate to the first substrate with a ground layer interposed between the first substrate and the second substrate; forming a first trench in the subassembly through the first substrate so that the trench is defined at least in part by a side wall of the first substrate and through at least a portion of the ground layer; and forming a first electrically conductive layer overlying the first bond pad, the side wall of the first substrate and overlying a portion of the ground layer.

摘要翻译： 一种包括提供具有第一接合焊盘和第二接合焊盘的第一基板的方法; 形成子组件，其包括将第二衬底固定到所述第一衬底上，所述接地层置于所述第一衬底和所述第二衬底之间; 通过所述第一衬底在所述子组件中形成第一沟槽，使得所述沟槽至少部分地由所述第一衬底的侧壁和所述接地层的至少一部分限定; 以及形成覆盖所述第一接合焊盘，所述第一基板的侧壁并覆盖所述接地层的一部分的第一导电层。

公开(公告)号：US06638837B1

公开(公告)日：2003-10-28

申请号：US10251441

申请日：2002-09-20

申请人： Pei-Haw Tsao ,  Chender Huang ,  Jones Wang ,  Ken Chen ,  Hank Huang

发明人： Pei-Haw Tsao ,  Chender Huang ,  Jones Wang ,  Ken Chen ,  Hank Huang

IPC分类号： H01L2130

CPC分类号： H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of protecting the active surface, front side, of semiconductor wafers during the operations of backside grinding, transporting, and packaging has been achieved. The invention discloses a method for applying an organic passivation layer or an aqueous material for protection of the active components. These materials are easily removed prior to final packaging of the dies.

摘要翻译： 已经实现了在背面研磨，运输和包装的操作期间保护半导体晶片的有源表面正面的方法。 本发明公开了一种用于施加有机钝化层或水性材料以保护活性组分的方法。 这些材料在模具的最终包装之前很容易去除。

公开(公告)号：US06782897B2

公开(公告)日：2004-08-31

申请号：US10154069

申请日：2002-05-23

申请人： Chung-Yu Wang ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Ken Chen ,  Hank Huang

发明人： Chung-Yu Wang ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Ken Chen ,  Hank Huang

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014

摘要： A method for protecting a passivation layer during a solder bump formation process including providing a semiconductor process wafer having a process surface including at least two metal layers comprising an uppermost metal layer and a lowermost metal layer said lowermost metal layer overlying a passivation layer including metal bonding pad regions; photolithographically patterning and anisotropically etching through a first thickness portion of at least the uppermost metal layer to form a first patterned metal layer portion disposed over the metal bonding pad regions and reveal a second thickness portion including the lowermost metal layer; forming a solder bump over the first patterned metal layer portion according to at least a first reflow process; and, anisotropically etching through the second thickness portion surrounding the completely formed solder bump to reveal the passivation layer.

摘要翻译： 一种用于在焊料凸块形成工艺期间保护钝化层的方法，包括提供半导体工艺晶片，该半导体工艺晶片具有包括最上层金属层和最下层金属层的至少两个金属层的工艺表面，所述最下层金属层覆盖在包括金属粘合 垫区; 光刻图案化和各向异性蚀刻通过至少最上层的金属层的第一厚度部分，以形成布置在金属焊盘区域上的第一图案化金属层部分，并露出包括最下面的金属层的第二厚度部分; 根据至少第一回流工艺在所述第一图案化金属层部分上形成焊料凸块; 并且通过围绕完全形成的焊料凸点的第二厚度部分进行各向异性蚀刻以露出钝化层。

公开(公告)号：US06596619B1

公开(公告)日：2003-07-22

申请号：US10150831

申请日：2002-05-17

申请人： Chung Yu Wang ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Ken Chen ,  Hank Huang

发明人： Chung Yu Wang ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Ken Chen ,  Hank Huang

IPC分类号： A01L2144

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

摘要： An under bump metallurgy (UBM) structure is described. Two UBM mask processes are utilized. First, a top layer of copper (Cu) and/or a middle layer of nickel-vanadium (NiV) or chrome-copper (CrCu) is personalized by standard photoprocessing and etching steps utilizing a bump based size mask. This is followed by patterning an underlying seed layer with a second, larger mask, thereby preventing damage to the aluminum cap and seed layer undercut during the etching process.

摘要翻译： 描述了凸块下冶金（UBM）结构。 利用两个UBM掩模过程。 首先，通过使用基于凸块的尺寸掩模的标准光刻处理和蚀刻步骤对铜（Cu）和/或镍 - 钒（NiV）或铬 - 铜（CrCu）的中间层进行个性化的顶层。 之后，用第二个较大的掩模对下面的种子层进行图案化，从而防止在蚀刻过程期间对铝盖和籽晶层的切削损坏。

公开(公告)号：US06774026B1

公开(公告)日：2004-08-10

申请号：US10177912

申请日：2002-06-20

申请人： Chung Yu Wang ,  Chender Huang ,  Pei Haw Tsao ,  Ken Chen ,  Hank Huang

发明人： Chung Yu Wang ,  Chender Huang ,  Pei Haw Tsao ,  Ken Chen ,  Hank Huang

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00014

摘要： Low stress concentration solder bumps are created on a semiconductor wafer by the removal of metal oxides of under bump metallurgy, (UBM). The removal of the oxides from the circular edge of the UBM allow the solder of the solder bump to wet the sides of the UBM, mainly the plated portion, thereby resulting in a solder bump structure with a filled undercut. This results in a lower stress concentration solder bump structure. This solder bump structure is obtained after the solder bumps have been reflowed on the wafer.

摘要翻译： 通过去除不良冲击冶金（UBM）的金属氧化物，在半导体晶片上形成低应力集中焊料凸块。 从UBM的圆形边缘去除氧化物允许焊料凸块的焊料润湿UBM的侧面，主要是镀覆部分，从而导致具有填充底切的焊料凸块结构。 这导致较低的应力集中焊料凸块结构。 在焊料凸起已经在晶片上回流之后获得该焊料凸点结构。

公开(公告)号：US06770958B2

公开(公告)日：2004-08-03

申请号：US10462268

申请日：2003-06-16

申请人： Chung Yu Wang ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Ken Chen ,  Hank Huang

发明人： Chung Yu Wang ,  Chender Huang ,  Pei-Haw Tsao ,  Ken Chen ,  Hank Huang

IPC分类号： H01L23495

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05552

摘要： An under bump metallurgy (UBM) structure is described. Two UBM mask processes are utilized. First, a top layer of copper (Cu) and/or a middle layer of nickel-vanadium (NiV) or chrome-copper (CrCu) is personalized by standard photoprocessing and etching steps utilizing a bump based size mask. This is followed by patterning an underlying seed layer with a second, larger mask, thereby preventing damage to the aluminum cap and seed layer undercut during the etching process.

摘要翻译： 描述了凸块下冶金（UBM）结构。 利用两个UBM掩模过程。 首先，通过使用基于凸块的尺寸掩模的标准光刻处理和蚀刻步骤对铜（Cu）和/或镍 - 钒（NiV）或铬 - 铜（CrCu）的中间层进行个性化的顶层。 之后，用第二个较大的掩模对下面的种子层进行图案化，从而防止在蚀刻过程期间对铝盖和籽晶层的破坏。