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公开(公告)号：US06960764B2
公开(公告)日：2005-11-01
申请号：US10482200
申请日：2002-07-19
IPC分类号： G01N23/225 , H01J37/04 , H01J37/21 , H01J37/22 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01L21/027 , H01L21/66 , G01N23/00 , G21K7/00
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/263 , H01J2237/2823
摘要： The performance of a scanning electron microscope (SEM) (10) is determined by scanning, with this SEM, porous silicon surface areas (PSF, PSC) each having a different average pore size, calculating the Fourier transform spectra (Fc) of the images of the surface areas and extrapolating the resolution (R) at a zero signal-to-noise ratio (SNR) from the width (W(1/e)), the signal amplitude (Sa) and the noise offset (NL) of the spectra. A test sample provided with the different surface areas is obtained by anodizing a silicon substrate (Su) at a constant electric current, while continuously decreasing the substrate area exposed to the etching electrolyte (El).
摘要翻译： 通过扫描来确定扫描电子显微镜（SEM）（10）的性能，通过扫描，各SEM都具有多孔硅表面积（PS，PSC） 计算表面积的图像的傅立叶变换光谱（F
），并将分辨率（R）从宽度的零信噪比（SNR）外推出来， （W（1 / e）），信号振幅（Sa）和噪声偏移（NL）。 通过以恒定的电流阳极氧化硅衬底（Su），同时连续地减小暴露于蚀刻电解质（E1）的衬底区域，获得具有不同表面积的测试样品。 -
2.发明授权Method of and system for determining the aberration of an imaging system test object and detector for use with the method 失效用于确定用于该方法的成像系统测试对象和检测器的像差的方法和系统公开(公告)号：US07423739B2
公开(公告)日：2008-09-09
申请号：US10499271
申请日：2002-05-03
申请人： Peter Dirksen , Casparus Anthonius Henricus Juffermans , Augustus Josephus Elizabeth Maria Janssen
发明人： Peter Dirksen , Casparus Anthonius Henricus Juffermans , Augustus Josephus Elizabeth Maria Janssen
IPC分类号： G01J1/00
CPC分类号： G03F7/706 , G03F7/7085
摘要： For determining aberrations of an optical imaging system (PL), a test object (12,14) comprising at least one delta test feature (10) is imaged either on an aerial scanning detector (110) or in a resist layer (71), which layer is scanned by a scanning device, for example a SEM. A new analytical method is used to retrieve from the data stream generated by the aerial detector or the scanning device different Zernike coefficients (Zn).
摘要翻译： 为了确定光学成像系统（PL）的像差，包括至少一个δ测试特征（10）的测试对象（12,14）在空中扫描检测器（110）或抗蚀剂层（71）中成像， 哪个层被扫描装置扫描，例如SEM。 使用新的分析方法从天线检测器或扫描装置生成的数据流中检索不同的泽尼克系数（Zn）。
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3.发明授权Sensor for lithographic apparatus and method of obtaining measurements of lithographic apparatus 有权用于光刻设备的传感器和获得光刻设备测量的方法公开(公告)号：US07599811B2
公开(公告)日：2009-10-06
申请号：US10582247
申请日：2004-12-09
申请人： Frits Jurgen Van Hout , Josephus Antonius Maria Van Bommel , Peter Dirksen , Mark Kroon , Casparus Anthonius Henricus Juffermans , Renatus Maria Adrianus Mathias Van Den Eijnden
发明人： Frits Jurgen Van Hout , Josephus Antonius Maria Van Bommel , Peter Dirksen , Mark Kroon , Casparus Anthonius Henricus Juffermans , Renatus Maria Adrianus Mathias Van Den Eijnden
IPC分类号： G06F15/00
CPC分类号： G03F7/70591 , G03F7/7085
摘要： A sensor arrangement may be used to measure properties, such as optical properties, of a device arranged to process substrates. The sensor arrangement includes a substrate having the following: a plurality of sensor elements provided as an integrated circuit in the substrate, for each one of the plurality of sensor elements associated electronic circuitry comprising a processing circuit connected to the sensor element and an input/output interface connected to the processing circuit, and a power supply unit configured to supply operating power only to the electronic circuitry associated with one or more of the plurality of sensor elements which are in use. The at least one sensor element and possibly the processing electronics, the input/output unit, and/or the power supply unit may be provided as one or more integrated circuits or other structures in the substrate.
摘要翻译： 可以使用传感器装置来测量布置成处理衬底的器件的性质，例如光学性质。 所述传感器装置包括具有以下基板：多个传感器元件，作为所述基板中的集成电路设置，所述多个传感器元件中的每一个相关联的电子电路包括连接到所述传感器元件的处理电路和输入/输出 接口连接到处理电路，以及电源单元，被配置为仅向与所使用的多个传感器元件中的一个或多个相关联的电子电路提供工作电力。 至少一个传感器元件以及可能的处理电子器件，输入/输出单元和/或电源单元可以被提供为衬底中的一个或多个集成电路或其他结构。
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公开(公告)号：US07037626B2
公开(公告)日：2006-05-02
申请号：US10478339
申请日：2002-05-16
IPC分类号： G01F9/00
CPC分类号： H01L21/32139 , G03F1/26 , G03F1/36 , G03F7/0035
摘要： For lithographically manufacturing a device with a very high density, a design mask pattern (120) is distributed on a number of sub-patterns (120a, 120b, 120c) by means of a new method. The sub-patterns do not comprise “forbidden” structures (135) and can be transferred by conventional apparatus to a substrate layer to be patterned. For the transfer, a new stack of layers is used, which comprise a pair of a processing layer (22; 26) and an inorganic anti-reflection layer (24; 28) for each sub-pattern. After a first processing layer (26) has been patterned with a first sub-pattern, it is coated with a new resist layer (30) which is exposed with a second sub-pattern, and a second processing layer (22) under the first processing layer is processed with the second sub-pattern.
摘要翻译： 为了光刻制造具有非常高密度的器件，通过新的方法将设计掩模图案（120）分布在多个子图案（120a，120b，120c）上。 子图案不包括“禁止”结构（135）并且可以通过常规设备传送到待图案化的基底层。 为了传送，使用新的层叠层，其包括用于每个子图案的一对处理层（22; 26）和无机抗反射层（24; 28）。 在第一处理层（26）已经被图案化为第一子图案之后，其被涂覆有用第二子图案曝光的新抗蚀剂层（30）和在第一子图案下方的第二处理层（22） 用第二子图案处理处理层。
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公开(公告)号：US07659041B2
公开(公告)日：2010-02-09
申请号：US11367810
申请日：2006-03-01
CPC分类号： H01L21/32139 , G03F1/26 , G03F1/36 , G03F7/0035
摘要： For lithographically manufacturing a device with a very high density, a design mask pattern (120) is distributed on a number of sub-patterns (120a, 120b, 120c) by means of a new method. The sub-patterns do not comprise “forbidden” structures (135) and can be transferred by conventional apparatus to a substrate layer to be patterned. For the transfer, a new stack of layers is used, which comprise a pair of a processing layer (22; 26) and an inorganic anti-reflection layer (24; 28) for each sub-pattern. After a first processing layer (26) has been patterned with a first sub-pattern, it is coated with a new resist layer (30) which is exposed with a second sub-pattern, and a second processing layer (22) under the first processing layer is processed with the second sub-pattern.
摘要翻译： 为了光刻制造具有非常高密度的器件，通过新的方法将设计掩模图案（120）分布在多个子图案（120a，120b，120c）上。 子图案不包括“禁止”结构（135）并且可以通过常规设备传送到待图案化的基底层。 为了传送，使用新的层叠层，其包括用于每个子图案的一对处理层（22; 26）和无机抗反射层（24; 28）。 在第一处理层（26）已经被图案化为第一子图案之后，其被涂覆有用第二子图案曝光的新抗蚀剂层（30）和在第一子图案下方的第二处理层（22） 用第二子图案处理处理层。
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6.发明授权Method of manufacturing a device by means of a mask phase-shifting mask for use in said method 失效通过用于所述方法的掩模相移掩模制造器件的方法公开(公告)号：US06544694B2
公开(公告)日：2003-04-08
申请号：US09772485
申请日：2001-01-29
IPC分类号： G03F900
摘要： A method is described for imaging, by means of projection radiation, a phase-shifting mask pattern on a substrate for the purpose of configuring device features in the substrate. By using a mask pattern comprising mask features constituted by a phase transition (22) and two sub-resolution assist features (40,41), arranged symmetrically with respect to the phase transition and having a mutual distance (p), device features having a wide variety of widths can be obtained by varying only the mutual distance.
摘要翻译： 描述了一种用于通过投影辐射成像基板上的相移掩模图案以便配置衬底中的器件特征的方法。 通过使用包括由相变（22）构成的掩模特征的掩模图案和相对于相变对称地具有相互距离（p）的两个子分辨率辅助特征（40,41），装置特征具有 可以通过仅改变相互距离来获得各种各样的宽度。
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7.发明申请CATHETER COMPRISING CAPACITIVE MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCERS WITH AN ADJUSTABLE FOCUS 有权包含具有可调焦点的电容式微超声波超声波传感器的导管公开(公告)号：US20140005521A1
公开(公告)日：2014-01-02
申请号：US13885791
申请日：2011-11-15
CPC分类号： A61B5/015 , A61B5/055 , A61B5/064 , A61B5/4836 , A61B6/03 , A61B6/12 , A61B6/4057 , A61B8/0841 , A61B8/12 , A61B8/445 , A61B8/4488 , A61B8/54 , A61B8/58 , A61B2018/00023 , A61B2090/064 , A61B2090/374 , A61B2562/028 , A61N7/022 , A61N2007/0095 , B06B1/0292 , G06F19/00
摘要： A catheter (700, 800, 1206) comprising: a shaft with distal (808, 906, 1004, 208) and proximal ends (1006),wherein the distal end comprises at least one array of capacitive micromachined ultrasound transducers (308, 402, 404, 500, 512, 600, 604, 802, 008) with an adjustable focus for controllably heating a target zone (806, 1014, 1210); and a connector (1012) at the proximal end for supplying the at least one array of capacitive micromachined ultrasound transducers with electrical power and for controlling the adjustable focus.
摘要翻译： 导管（700,800,1206）包括：具有远端（808,906,1004,208）和近端（1006）的轴，其中所述远端包括至少一个电容微加工超声换能器阵列（308,402， 具有可调焦点，用于可控制地加热目标区域（806,104,1210）; 以及在所述近端处的用于向所述至少一个电容微加工超声换能器阵列供电并用于控制所述可调焦点的连接器（1012）。
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公开(公告)号：US08343424B2
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：US12097082
申请日：2006-12-15
申请人： Peter Dirksen , Yuri Aksenov , Fredericus Christiaan Van Den Heuvel , Johannes Arnoldus Jacobus Maria Kwinten
发明人： Peter Dirksen , Yuri Aksenov , Fredericus Christiaan Van Den Heuvel , Johannes Arnoldus Jacobus Maria Kwinten
IPC分类号： G01N21/01
CPC分类号： G03F7/70616 , B01L3/502707 , B01L2200/12 , B01L2300/0654 , B01L2300/0819 , G03F7/70608 , G03F9/7011 , G03F9/7019 , G03F9/7076 , G06F3/016 , G11C16/16
摘要： A device includes first and second material facing towards each other as to form at least one focusing microstructure with a focal point located outside of the first material.
摘要翻译： 一种装置包括朝向彼此的第一和第二材料，以形成至少一个聚焦微结构，焦点位于第一材料的外侧。
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9.发明授权公开(公告)号：US08148052B2
公开(公告)日：2012-04-03
申请号：US12514777
申请日：2007-11-13
申请人： Anja Monique Vanleenhove , Peter Dirksen , David Van Steenwinckel , Gerben Doornbos , Casper Juffermans , Mark Van Dal
发明人： Anja Monique Vanleenhove , Peter Dirksen , David Van Steenwinckel , Gerben Doornbos , Casper Juffermans , Mark Van Dal
IPC分类号： G03F7/26
CPC分类号： G03F7/0035 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/0273 , H01L21/823821 , H01L29/66795 , H01L29/6681 , H01L29/785
摘要： A method of forming a pattern in at least one device layer in or on a substrate comprises: coating the device layer with a first photoresist layer; exposing the first photoresist using a first mask; developing the first photoresist layer to form a first pattern on the substrate; coating the substrate with a protection layer; treating the protection layer to cause a change therein where it is in contact with the first photoresist, to render the changed protection layer substantially immune to a subsequent exposure and/or developing step; coating the substrate with a second photoresist layer; exposing the second photoresist layer using a second mask; and developing the second photoresist layer to form a second pattern on the substrate without significantly affecting the first pattern in the first photoresist layer, wherein the first and second patterns together define interspersed features having a spatial frequency greater than that of the features defined in each of the first and second patterns separately. The process has particular utility in defining source, drain and fin features of finFET devices with a smaller feature size than otherwise achievable with the prevailing lithography tools.
摘要翻译： 在衬底中或衬底上的至少一个器件层中形成图案的方法包括：用第一光致抗蚀剂层涂覆器件层; 使用第一掩模曝光第一光致抗蚀剂; 显影第一光致抗蚀剂层以在基底上形成第一图案; 用保护层涂覆基板; 处理保护层以在其中与第一光致抗蚀剂接触的地方发生变化，使得改变的保护层基本上不受随后的曝光和/或显影步骤的影响; 用第二光致抗蚀剂层涂覆基板; 使用第二掩模曝光所述第二光致抗蚀剂层; 并且显影所述第二光致抗蚀剂层以在所述基板上形成第二图案，而不会显着影响所述第一光致抗蚀剂层中的所述第一图案，其中所述第一和第二图案一起限定散布特征，其空间频率大于 第一和第二模式分开。 该方法在定义具有较小的特征尺寸的finFET器件的源极，漏极和鳍片特征方面具有特别的用途，而与主要的光刻工具不同。
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公开(公告)号：US20120039522A1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：US10597615
申请日：2005-02-02
申请人： Peter Dirksen , Thomas Steffen
发明人： Peter Dirksen , Thomas Steffen
IPC分类号： G06K9/00
摘要： Apparatus for optical inspection of an object, comprising: an optical imaging system (5) for generating an actual image of the real object, a calculation unit (12) for calculating an estimated image of an object of desired shape in respect of a known aberration coefficient of the optical imaging system, an image analysis unit (13) for detecting differences between the actual image and the image calculated by the calculation unit (12).
摘要翻译： 一种用于物体光学检测的装置，包括：用于产生实际物体的实际图像的光学成像系统（5），用于计算已知像差的所需形状的物体的估计图像的计算单元（12） 光学成像系统的系数，用于检测由计算单元（12）计算出的实际图像和图像之间的差异的图像分析单元（13）。
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