公开(公告)号：US20170018507A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：US15280632

申请日：2016-09-29

申请人： STATS ChipPAC Pte. Ltd.

发明人： Reza A. Pagaila ,  Flynn Carson ,  Seung Uk Yoon

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/528 ,  H01L21/56 ,  H01L23/06 ,  H01L23/00 ,  H01L21/48 ,  H01L25/065 ,  H01L23/10

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/115 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0217 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device has a plurality of first semiconductor die mounted over an interface layer formed over a temporary carrier. An encapsulant is deposited over the first die and carrier. A flat shielding layer is formed over the encapsulant. A channel is formed through the shielding layer and encapsulant down to the interface layer. A conductive material is deposited in the channel and electrically connected to the shielding layer. The interface layer and carrier are removed. An interconnect structure is formed over conductive material, encapsulant, and first die. The conductive material is electrically connected through the interconnect structure to a ground point. The conductive material is singulated to separate the first die. A second semiconductor die can be mounted over the first die such that the shielding layer covers the second die and the conductive material surrounds the second die or the first and second die.

摘要翻译： 半导体器件具有安装在形成在临时载体上的界面层上的多个第一半导体管芯。 密封剂沉积在第一模具和载体上。 在密封剂上形成平坦的屏蔽层。 通过屏蔽层和密封剂形成通道，直到界面层。 导电材料沉积在通道中并电连接到屏蔽层。 界面层和载体被去除。 在导电材料，密封剂和第一模具上形成互连结构。 导电材料通过互连结构电连接到接地点。 将导电材料分开以分离第一模具。 可以将第二半导体管芯安装在第一管芯上，使得屏蔽层覆盖第二管芯，并且导电材料围绕第二管芯或第一和第二管芯。