公开(公告)号：US20160099378A1

公开(公告)日：2016-04-07

申请号：US14714223

申请日：2015-05-15

申请人： Sang Heon HAN ,  Dong Yul LEE ,  Seung Hyun KIM ,  Jang Mi KIM ,  Suk Ho YOON ,  Sang Jun LEE

发明人： Sang Heon HAN ,  Dong Yul LEE ,  Seung Hyun KIM ,  Jang Mi KIM ,  Suk Ho YOON ,  Sang Jun LEE

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： A method of fabricating a semiconductor light emitting device includes forming a first conductivity type semiconductor layer, forming an active layer by alternately forming a plurality of quantum well layers and a plurality of quantum barrier layers on the first conductivity type semiconductor layer, and forming a second conductivity type semiconductor layer on the active layer. The plurality of quantum barrier layers include at least one first quantum barrier layer adjacent to the first conductivity type semiconductor layer and at least one second quantum barrier layer adjacent to the second conductivity type semiconductor layer. The forming of the active layer includes allowing the at least one first quantum barrier layer to be grown at a first temperature and allowing the at least one second quantum barrier layer to be grown at a second temperature lower than the first temperature.

摘要翻译： 一种制造半导体发光器件的方法包括：形成第一导电型半导体层，通过在第一导电型半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层，并形成第二导电型半导体层 导电型半导体层。 多个量子势垒层包括与第一导电类型半导体层相邻的至少一个第一量子势垒层和与第二导电类型半导体层相邻的至少一个第二量子势垒层。 活性层的形成包括允许至少一个第一量子势垒层在第一温度下生长并允许至少一个第二量子势垒层在低于第一温度的第二温度下生长。

公开(公告)号：US20150311062A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：US14578940

申请日：2014-12-22

申请人： Dong Yul LEE ,  Sang Heon HAN ,  Seung Hyun KIM ,  Jang Mi KIM ,  William SOLARI ,  Hyun Wook SHIM ,  Suk Ho YOON

发明人： Dong Yul LEE ,  Sang Heon HAN ,  Seung Hyun KIM ,  Jang Mi KIM ,  William SOLARI ,  Hyun Wook SHIM ,  Suk Ho YOON

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02496 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, includes forming an aluminum compound film on a surface of a process chamber by supplying an aluminum (Al) source to the process chamber, the surface contacting the aluminum source in the process chamber; disposing a wafer on a susceptor provided in the process chamber after forming the aluminum compound film; and forming a thin film for the semiconductor device on the wafer.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括通过向处理室提供铝（Al）源，与处理室中的铝源接触的表面，在处理室的表面上形成铝化合物膜; 在形成铝化合物膜之后，在设置在处理室中的基座上设置晶片; 并在晶片上形成用于半导体器件的薄膜。

公开(公告)号：US20120054492A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13189352

申请日：2011-07-22

申请人： Seung Hyun KIM ,  Dae Seon CHOI ,  Soo Hyung KIM ,  Jong Hyouk NOH ,  Sang Rae CHO ,  Young Seob CHO ,  Seung Hun JIN

发明人： Seung Hyun KIM ,  Dae Seon CHOI ,  Soo Hyung KIM ,  Jong Hyouk NOH ,  Sang Rae CHO ,  Young Seob CHO ,  Seung Hun JIN

IPC分类号： H04L9/32

CPC分类号： H04L9/0869 ,  H04L9/083 ,  H04L9/321 ,  H04L9/3242 ,  H04L2209/80 ,  H04W12/04 ,  H04W12/10

摘要： Provided are a mobile terminal for sharing resources, a method of sharing resources within a mobile terminal and a method of sharing resources between a web server and a terminal The mobile terminal for sharing resources includes a web browser using a web standard protocol to display a first random value, an authentication number, and a Distinguished Name (DN) of web server transferred from the web server after it has been determined that there is no key information in a cookie; and a resource when the first random value and the DN are received from the web browser, being terminated after storing the first random value and the DN, and when the resource is re-executed and the authentication number is input by a user, verifying the first random value, generating a second random value and a shared key from the first random value and generating a symmetric key using a part of the shared key, wherein the shared key is generated from the second random value based on the symmetric key, and the symmetric key is identical to a symmetric key of the web server generated from a part of the symmetric key, and the web browser and the resources are operated by an execution unit.

摘要翻译： 提供了用于共享资源的移动终端，在移动终端内共享资源的方法以及在web服务器和终端之间共享资源的方法。用于共享资源的移动终端包括使用web标准协议的web浏览器来显示第一 在确定cookie中没有密钥信息之后，从web服务器传送的web服务器的随机值，认证号和可分辨名称（DN）; 以及当从web浏览器接收到第一随机值和DN时的资源，在存储第一随机值和DN之后被终止，并且当资源被重新执行并且认证号码被用户输入时，验证 第一随机值，从第一随机值生成第二随机值和共享密钥，并使用共享密钥的一部分生成对称密钥，其中，基于对称密钥从第二随机值生成共享密钥，并且 对称密钥与从对称密钥的一部分生成的Web服务器的对称密钥相同，并且Web浏览器和资源由执行单元操作。

公开(公告)号：US20090214776A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12437672

申请日：2009-05-08

申请人： Jun Hee BAE ,  Seung Hyun KIM ,  Yul Kyo CHUNG ,  Won Hoon SONG ,  Sung Taek LIM ,  Hyun Ju JIN

发明人： Jun Hee BAE ,  Seung Hyun KIM ,  Yul Kyo CHUNG ,  Won Hoon SONG ,  Sung Taek LIM ,  Hyun Ju JIN

IPC分类号： B05D3/12

CPC分类号： H01L21/02282 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/316 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179

摘要： Disclosed herein are a coating solution for the formation of a dielectric thin film and a method for the formation of a dielectric thin film using the coating solution. The coating solution comprises a titanium alkoxide, a β-diketone or its derivative, and a benzoic acid derivative having an electron donating group. The method comprises spin coating the coating solution on a substrate to form a thin film and drying the thin film at a low temperature to crystallize the thin film. The titanium-containing coating solution is highly stable. In addition, the coating solution enables formation of a thin film, regardless of the kind of substrates, and can be used to form dielectric thin films in an in-line mode in the production processes of PCBs.

摘要翻译： 本文公开了用于形成电介质薄膜的涂布溶液和使用该涂布溶液形成电介质薄膜的方法。 涂布溶液包含钛醇盐，β-二酮或其衍生物，以及具有给电子基团的苯甲酸衍生物。 该方法包括将涂布溶液旋涂在基材上以形成薄膜，并在低温下干燥薄膜以使薄膜结晶。 含钛涂层溶液高度稳定。 此外，涂布溶液能够形成薄膜，而不管基板的种类如何，并且可以用于在PCB的生产过程中以在线模式形成电介质薄膜。

公开(公告)号：US20110126010A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12795254

申请日：2010-06-07

申请人： Soo Hyung KIM ,  Young Seob CHO ,  Jin Man CHO ,  Sang Rae CHO ,  Dae Seon CHOI ,  Jong Hyouk NOH ,  Seung Hyun KIM ,  Kwan Soo JUNG ,  Deok Jin KIM ,  Seung Hun JIN

发明人： Soo Hyung KIM ,  Young Seob CHO ,  Jin Man CHO ,  Sang Rae CHO ,  Dae Seon CHOI ,  Jong Hyouk NOH ,  Seung Hyun KIM ,  Kwan Soo JUNG ,  Deok Jin KIM ,  Seung Hun JIN

IPC分类号： G06F21/00 ,  H04B5/00 ,  G06F15/16 ,  H04L9/32

CPC分类号： H04L63/0853 ,  G06F21/33 ,  G06F21/34 ,  G06F21/445 ,  H04L9/3234 ,  H04L9/3263 ,  H04L9/3273 ,  H04L63/061 ,  H04L63/0823 ,  H04L63/0869 ,  H04L67/02 ,  H04L2209/56 ,  H04L2209/76 ,  H04L2209/805

摘要： Disclosed herein is a system and method for managing identity. The system includes a mobile terminal, a web server, and a service terminal. The mobile terminal includes a smart card on which a management server for managing user identity is mounted. The web server generates the user identity and provides the generated identity to the management server over a wired/wireless network. The service terminal receives a required identity from the mobile terminal using Near Field Communication (NFC).

摘要翻译： 本文公开了一种用于管理身份的系统和方法。 该系统包括移动终端，web服务器和服务终端。 移动终端包括其上安装用于管理用户身份的管理服务器的智能卡。 Web服务器生成用户身份，并通过有线/无线网络将生成的身份提供给管理服务器。 服务终端使用近场通信（NFC）从移动终端接收所需的身份。

公开(公告)号：US20090142922A1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：US12262915

申请日：2008-10-31

申请人： Seung Hyun KIM

发明人： Seung Hyun KIM

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76877 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1063

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device. In one example embodiment, a method for manufacturing a semiconductor device includes various steps. First, a dielectric layer is formed on the whole surface of a semiconductor substrate that includes an upper surface of a transistor. Next, a trench and a contact hole are formed by etching the dielectric layer so that the upper surface of the transistor is exposed. Then, a contact is formed by embedding a first conductive layer in the contact hole. Next, an etching stop layer is selectively forming on an upper part of the contact. Then, the semiconductor device is blanket-etched such that the first conductive layer remains in the trench. Next, the etching stop layer is removed. Finally, a metal line is formed by embedding a second conductive layer in the trench.

摘要翻译： 一种半导体器件的制造方法。 在一个示例性实施例中，制造半导体器件的方法包括各种步骤。 首先，在包括晶体管的上表面的半导体衬底的整个表面上形成电介质层。 接下来，通过蚀刻电介质层形成沟槽和接触孔，使晶体管的上表面露出。 然后，通过在接触孔中嵌入第一导电层形成接触。 接下来，在接触件的上部选择性地形成蚀刻停止层。 然后，半导体器件被覆盖蚀刻，使得第一导电层保留在沟槽中。 接下来，去除蚀刻停止层。 最后，通过在沟槽中嵌入第二导电层形成金属线。

公开(公告)号：US20120311326A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13588132

申请日：2012-08-17

申请人： Seung Hyun KIM ,  Dae Seon CHOI ,  Jong Hyouk NOH ,  Sang Rae CHO ,  Yeong Sub CHO ,  Seung Hun JIN

发明人： Seung Hyun KIM ,  Dae Seon CHOI ,  Jong Hyouk NOH ,  Sang Rae CHO ,  Yeong Sub CHO ,  Seung Hun JIN

IPC分类号： H04L9/32 ,  H04L9/00

CPC分类号： H04L63/08 ,  H04L63/126

摘要： A mobile terminal provides a personal information sharing service using a signed URL message. The terminal includes; a personal information sharing service module which receives a message that includes a first callback URL and a personal information sharing request and is signed using a private key of a server, and creates a second callback URL by adding a user response result in response to the personal information sharing request to the first callback URL; and an authentication module which verifies a signature of the message using a public key of the server, and signs the second callback URL using a user private key.

摘要翻译： 移动终端使用签名的URL消息来提供个人信息共享服务。 终端包括 个人信息共享服务模块，其接收包括第一回叫URL和个人信息共享请求的消息，并使用服务器的私钥进行签名，并且通过响应于所述个人来添加用户响应结果来创建第二回调URL 信息共享请求到第一个回调URL; 以及验证模块，其使用所述服务器的公钥来验证所述消息的签名，并且使用用户私钥对所述第二回调URL进行签名。

公开(公告)号：US20070293046A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US11764315

申请日：2007-06-18

申请人： Seung Hyun KIM

发明人： Seung Hyun KIM

IPC分类号： H01L21/461 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76847 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a metal wiring of a semiconductor device, includes forming a first metal layer on a wafer, partially etching a portion of the first metal layer where a metal wiring is to be formed, sequentially forming a first copper barrier layer, a copper seed layer, and a copper layer on the first metal layer, annealing the copper layer, polishing the resulting structure until the first metal layer is exposed, patterning the first metal layer and the first copper barrier layer to form a portion of a metal wiring, forming a second copper barrier layer, forming a second metal layer, and patterning the second metal layer and the second copper barrier layer to form the metal wiring.

摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的金属布线的方法，包括在晶片上形成第一金属层，部分地蚀刻要形成金属布线的第一金属层的一部分，顺序地形成第一铜阻挡层，铜 籽晶层和铜层，退火铜层，研磨所得结构直到第一金属层露出为止，构图第一金属层和第一铜阻挡层以形成金属布线的一部分， 形成第二铜阻挡层，形成第二金属层，以及图案化第二金属层和第二铜阻挡层以形成金属布线。