公开(公告)号：US20090221133A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12370783

申请日：2009-02-13

申请人： Seung-Woo Choi ,  Dae-Lok Bae ,  Jong-Wook Lee ,  Yong-Won Cha ,  Pil-Kyu Kang ,  Jung-Ho Kim

发明人： Seung-Woo Choi ,  Dae-Lok Bae ,  Jong-Wook Lee ,  Yong-Won Cha ,  Pil-Kyu Kang ,  Jung-Ho Kim

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： Methods of fabricating SOI wafers are provided including providing a donor wafer and forming a hydrogen ion implantation layer in the donor wafer. A circumference portion of one side of the donor wafer is recessed to form a height difference. The one side of the donor wafer and a handle wafer are bonded to form a bonded wafer. The bonded wafer is heat treated to separate the bonded wafer along the hydrogen ion implantation layer.

摘要翻译： 提供制造SOI晶片的方法包括提供施主晶片并在施主晶片中形成氢离子注入层。 供体晶片的一侧的周边部分被凹入以形成高度差。 供体晶片和处理晶片的一侧被结合以形成接合晶片。 接合的晶片被热处理以沿着氢离子注入层分离键合的晶片。

公开(公告)号：US20100109164A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12606799

申请日：2009-10-27

申请人： Pil-kyu Kang ,  Jung-Ho Kim ,  Jong-Wook Lee ,  Seung-woo Choi ,  Dae-Lok Bae

发明人： Pil-kyu Kang ,  Jung-Ho Kim ,  Jong-Wook Lee ,  Seung-woo Choi ,  Dae-Lok Bae

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/50 ,  H01L25/04

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/25 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Microelectronic packages are fabricated by stacking integrated circuits upon one another. Each integrated circuit includes a semiconductor layer having microelectronic devices and a wiring layer on the semiconductor layer having wiring that selectively interconnects the microelectronic devices. After stacking, a via is formed that extends through at least two of the integrated circuits that are stacked upon one another. Then, the via is filled with conductive material that selectively electrically contacts the wiring. Related microelectronic packages arc also described.

摘要翻译： 微电子封装通过彼此堆叠集成电路制造。 每个集成电路包括具有微电子器件的半导体层和在半导体层上具有有选择性地互连微电子器件的布线的布线层。 在堆叠之后，形成延伸通过彼此堆叠的至少两个集成电路的通孔。 然后，通孔被选择性地电接触布线的导电材料填充。 还描述了相关的微电子封装。

公开(公告)号：US08319329B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US13359047

申请日：2012-01-26

申请人： Pil-kyu Kang ,  Jung-Ho Kim ,  Jong-Wook Lee ,  Seung-woo Choi ,  Dae-Lok Bae

发明人： Pil-kyu Kang ,  Jung-Ho Kim ,  Jong-Wook Lee ,  Seung-woo Choi ,  Dae-Lok Bae

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L29/40 ,  H01L23/053 ,  H01L23/12 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/25 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Microelectronic packages are fabricated by stacking integrated circuits upon one another. Each integrated circuit includes a semiconductor layer having microelectronic devices and a wiring layer on the semiconductor layer having wiring that selectively interconnects the microelectronic devices. After stacking, a via is formed that extends through at least two of the integrated circuits that are stacked upon one another. Then, the via is filled with conductive material that selectively electrically contacts the wiring. Related microelectronic packages are also described.

摘要翻译： 微电子封装通过彼此堆叠集成电路制造。 每个集成电路包括具有微电子器件的半导体层和在半导体层上具有有选择性地互连微电子器件的布线的布线层。 在堆叠之后，形成延伸通过彼此堆叠的至少两个集成电路的通孔。 然后，通孔被选择性地电接触布线的导电材料填充。 还描述了相关微电子封装。

公开(公告)号：US20120119383A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US13359047

申请日：2012-01-26

申请人： Pil-kyu Kang ,  Jung-Ho Kim ,  Jong-Wook Lee ,  Seung-woo Choi ,  Dae-Lok Bae

发明人： Pil-kyu Kang ,  Jung-Ho Kim ,  Jong-Wook Lee ,  Seung-woo Choi ,  Dae-Lok Bae

IPC分类号： H01L25/07

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/25 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Microelectronic packages are fabricated by stacking integrated circuits upon one another. Each integrated circuit includes a semiconductor layer having microelectronic devices and a wiring layer on the semiconductor layer having wiring that selectively interconnects the microelectronic devices. After stacking, a via is formed that extends through at least two of the integrated circuits that are stacked upon one another. Then, the via is filled with conductive material that selectively electrically contacts the wiring. Related microelectronic packages are also described.

摘要翻译： 微电子封装通过彼此堆叠集成电路制造。 每个集成电路包括具有微电子器件的半导体层和在半导体层上具有有选择性地互连微电子器件的布线的布线层。 在堆叠之后，形成延伸通过彼此堆叠的至少两个集成电路的通孔。 然后，通孔被选择性地电接触布线的导电材料填充。 还描述了相关微电子封装。

公开(公告)号：US08129833B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12606799

申请日：2009-10-27

申请人： Pil-kyu Kang ,  Jung-Ho Kim ,  Jong-Wook Lee ,  Seung-woo Choi ,  Dae-Lok Bae

发明人： Pil-kyu Kang ,  Jung-Ho Kim ,  Jong-Wook Lee ,  Seung-woo Choi ,  Dae-Lok Bae

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/053 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L27/10 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/25 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Microelectronic packages are fabricated by stacking integrated circuits upon one another. Each integrated circuit includes a semiconductor layer having microelectronic devices and a wiring layer on the semiconductor layer having wiring that selectively interconnects the microelectronic devices. After stacking, a via is formed that extends through at least two of the integrated circuits that are stacked upon one another. Then, the via is filled with conductive material that selectively electrically contacts the wiring. Related microelectronic packages are also described.

摘要翻译： 微电子封装通过彼此堆叠集成电路制造。 每个集成电路包括具有微电子器件的半导体层和在半导体层上具有有选择性地互连微电子器件的布线的布线层。 在堆叠之后，形成延伸通过彼此堆叠的至少两个集成电路的通孔。 然后，通孔被选择性地电接触布线的导电材料填充。 还描述了相关微电子封装。

公开(公告)号：US08873901B2

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：US13494445

申请日：2012-06-12

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/30 ,  G02B6/124 ,  G02B6/42

CPC分类号： G02B6/305 ,  G02B6/124 ,  G02B6/30 ,  G02B6/4204 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12147

摘要： Optical input/output (I/O) devices, which include a substrate including a trench, a waveguide within the trench of the substrate; and a photodetector within the trench and optically connected to the waveguide. An upper surface of the photodetector is at a same level as an upper surface of the waveguide.

摘要翻译： 光输入/输出（I / O）器件，其包括衬底，其包括沟槽，衬底的沟槽内的波导; 以及在沟槽内的光电检测器，并且光学连接到波导。 光检测器的上表面与波导的上表面处于同一水平。

公开(公告)号：US08390120B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12913748

申请日：2010-10-27

申请人： Kwang-Jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

发明人： Kwang-Jin Moon ,  Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Lyul Park ,  Dong-Chan Lim ,  Deok-Young Jung

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a via structure and a conductive structure. The via structure has a surface with a planar portion and a protrusion portion. The conductive structure is formed over at least part of the planar portion and not over at least part of the protrusion portion of the via structure. For example, the conductive structure is formed only onto the planar portion and not onto any of the protrusion portion for forming high quality connection between the conductive structure and the via structure.

摘要翻译： 半导体器件包括通孔结构和导电结构。 通孔结构具有平坦部分和突出部分的表面。 导电结构形成在平面部分的至少一部分上，而不是在通孔结构的突出部分的至少一部分之上。 例如，导电结构仅形成在平面部分上，而不形成在任何突出部分上，用于在导电结构和通孔结构之间形成高质量的连接。

公开(公告)号：US09103974B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US13412210

申请日：2012-03-05

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/34 ,  G02B6/124 ,  G02B6/42 ,  G02B6/43 ,  G02B6/136

CPC分类号： G02B6/124 ,  G02B6/136 ,  G02B6/4206 ,  G02B6/43

摘要： Semiconductor devices having an optical transceiver include a cladding on a substrate, a protrusion vertically extending trough the cladding and materially in continuity with the substrate, and a coupler on the cladding and the protrusion.

摘要翻译： 具有光收发器的半导体器件包括在衬底上的包层，垂直延伸穿过覆层并与衬底物理连续的突起，以及在包层和突起上的耦合器。

公开(公告)号：US08735265B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13082861

申请日：2011-04-08

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02381 ,  G02B6/13 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675

摘要： A method of forming a silicon based optical waveguide can include forming a silicon-on-insulator structure including a non-crystalline silicon portion and a single crystalline silicon portion of an active silicon layer in the structure. The non-crystalline silicon portion can be replaced with an amorphous silicon portion and maintaining the single crystalline silicon portion and the amorphous portion can be crystallized using the single crystalline silicon portion as a seed to form a laterally grown single crystalline silicon portion including the amorphous and single crystalline silicon portions.

摘要翻译： 形成硅基光波导的方法可以包括在该结构中形成包括非晶硅部分和活性硅层的单晶硅部分的绝缘体上硅结构。 可以用非晶硅部分替代非晶硅部分，并且使用单晶硅部分作为种子来保持单晶硅部分和非晶部分可以结晶，以形成横向生长的单晶硅部分，其包括非晶态和 单晶硅部分。

公开(公告)号：US20120314993A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13494445

申请日：2012-06-12

申请人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

发明人： Pil-Kyu Kang ,  Dae-Lok Bae ,  Byung-Lyul Park ,  Gil-Heyun Choi

IPC分类号： G02B6/12

CPC分类号： G02B6/305 ,  G02B6/124 ,  G02B6/30 ,  G02B6/4204 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12107 ,  G02B2006/12147

摘要： Optical input/output (I/O) devices, which include a substrate including a trench, a waveguide within the trench of the substrate; and a photodetector within the trench and optically connected to the waveguide. An upper surface of the photodetector is at a same level as an upper surface of the waveguide.

摘要翻译： 光输入/输出（I / O）器件，其包括衬底，其包括沟槽，衬底的沟槽内的波导; 以及在沟槽内的光电检测器，并且光学连接到波导。 光检测器的上表面与波导的上表面处于同一水平。