公开(公告)号：US20060143993A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：US11325483

申请日：2006-01-05

申请人： Sung-Jun Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Jae-Dong Lee ,  Jae-Kwang Choi

发明人： Sung-Jun Kim ,  Chang-Ki Hong ,  Jae-Dong Lee ,  Jae-Kwang Choi

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02

摘要： Slurry compositions and method used in a chemical-mechanical polishing process for manufacturing a semiconductor device may include a surfactant and a positive-ionic high molecular compound. The surfactant and the positive-ionic high molecular compound may form first and second passivation layers on the surface of an exposed polysilicon layer.

摘要翻译： 用于制造半导体器件的化学机械抛光工艺中的浆料组合物和方法可以包括表面活性剂和正离子高分子化合物。 表面活性剂和正离子高分子化合物可以在暴露的多晶硅层的表面上形成第一和第二钝化层。

公开(公告)号：US07144301B2

公开(公告)日：2006-12-05

申请号：US10947458

申请日：2004-09-22

申请人： Kwang-Bok Kim ,  Jae-Kwang Choi ,  Yong-Sun Ko ,  Chang-Ki Hong ,  Kyung-Hyun Kim ,  Jae-Dong Lee

发明人： Kwang-Bok Kim ,  Jae-Kwang Choi ,  Yong-Sun Ko ,  Chang-Ki Hong ,  Kyung-Hyun Kim ,  Jae-Dong Lee

IPC分类号： B24B7/22

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  B24B49/16 ,  B24B57/02

摘要： For planarizing an IC (integrate circuit) material, a first slurry is dispensed for a first planarization of the IC material using the first slurry, and a second slurry is dispensed for a second planarization of the IC material using the second slurry. The first and second slurries are different. For example, the first slurry is silica based for faster planarization during the first planarization. Thereafter, the second planarization is performed with the second slurry that is ceria based with higher planarity for attaining sufficient planarization of the IC material.

摘要翻译： 为了平坦化IC（集成电路）材料，使用第一浆料分配第一浆料以使IC材料的第一平面化，并且使用第二浆料分配第二浆料以进行IC材料的第二平面化。 第一和第二种浆料是不同的。 例如，第一浆料是二氧化硅基，用于在第一平面化期间更快的平坦化。 此后，利用二氧化铈为基础，以更高的平面度进行第二平坦化，以获得IC材料的充分平坦化。

公开(公告)号：US20050075052A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：US10947458

申请日：2004-09-22

申请人： Kwang-Bok Kim ,  Jae-Kwang Choi ,  Yong-Sun Ko ,  Chang-Ki Hong ,  Kyung-Hyun Kim ,  Jae-Dong Lee

发明人： Kwang-Bok Kim ,  Jae-Kwang Choi ,  Yong-Sun Ko ,  Chang-Ki Hong ,  Kyung-Hyun Kim ,  Jae-Dong Lee

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B49/16 ,  B24B57/02 ,  C09G1/02 ,  B24B1/00 ,  B24B7/19

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  B24B49/16 ,  B24B57/02

摘要： For planarizing an IC (integrate circuit) material, a first slurry is dispensed for a first planarization of the IC material using the first slurry, and a second slurry is dispensed for a second planarization of the IC material using the second slurry. The first and second slurries are different. For example, the first slurry is silica based for faster planarization during the first planarization. Thereafter, the second planarization is performed with the second slurry that is ceria based with higher planarity for attaining sufficient planarization of the IC material.

摘要翻译： 为了平坦化IC（集成电路）材料，使用第一浆料分配第一浆料以使IC材料的第一平面化，并且使用第二浆料分配第二浆料以进行IC材料的第二平面化。 第一和第二种浆料是不同的。 例如，第一浆料是二氧化硅基，用于在第一平面化期间更快的平坦化。 此后，利用二氧化铈为基础，以更高的平面度进行第二平坦化，以获得IC材料的充分平坦化。

公开(公告)号：US07531456B2

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US11602270

申请日：2006-11-21

申请人： Byoung-Ho Kwon ,  Se-Rah Yun ,  Chang-Ki Hong ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Joon-Sang Park

发明人： Byoung-Ho Kwon ,  Se-Rah Yun ,  Chang-Ki Hong ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Joon-Sang Park

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  Y10S438/925

摘要： Mask patterns used for forming patterns or trenches may include first mask patterns, which may be formed by a typical photolithography process, and second mask patterns, which may be formed in a self-aligned manner between adjacent first mask patterns. A sacrificial layer may be deposited and planarized such that the tops of the first mask patterns and the second mask patterns have planar surfaces. After the planarization of the sacrificial layer, the remaining the sacrificial layer may be removed by an ashing process.

摘要翻译： 用于形成图案或沟槽的掩模图案可以包括可以通过典型的光刻工艺形成的第一掩模图案和可以在相邻的第一掩模图案之间以自对准方式形成的第二掩模图案。 牺牲层可以沉积并平坦化，使得第一掩模图案的顶部和第二掩模图案具有平坦表面。 在牺牲层的平坦化之后，剩余的牺牲层可以通过灰化处理去除。

公开(公告)号：US20070148968A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11602270

申请日：2006-11-21

申请人： Byoung-Ho Kwon ,  Se-Rah Yun ,  Chang-Ki Hong ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Joon-Sang Park

发明人： Byoung-Ho Kwon ,  Se-Rah Yun ,  Chang-Ki Hong ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Joon-Sang Park

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3088 ,  Y10S438/925

摘要： Mask patterns used for forming patterns or trenches may include first mask patterns, which may be formed by a typical photolithography process, and second mask patterns, which may be formed in a self-aligned manner between adjacent first mask patterns. A sacrificial layer may be deposited and planarized such that the tops of the first mask patterns and the second mask patterns have planar surfaces. After the planarization of the sacrificial layer, the remaining the sacrificial layer may be removed by an ashing process.

摘要翻译： 用于形成图案或沟槽的掩模图案可以包括可以通过典型的光刻工艺形成的第一掩模图案和可以在相邻的第一掩模图案之间以自对准方式形成的第二掩模图案。 牺牲层可以沉积并平坦化，使得第一掩模图案的顶部和第二掩模图案具有平坦表面。 在牺牲层的平坦化之后，剩余的牺牲层可以通过灰化处理去除。

公开(公告)号：US08597081B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US13241421

申请日：2011-09-23

申请人： Jae-Kwang Choi ,  Hong-Jin Kim ,  Keon-Sik Seo ,  Sol Han ,  Kun-Tack Lee ,  Byoung-Ho Kwon

发明人： Jae-Kwang Choi ,  Hong-Jin Kim ,  Keon-Sik Seo ,  Sol Han ,  Kun-Tack Lee ,  Byoung-Ho Kwon

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： B24B53/017

摘要： A pad conditioning disk, a pre-conditioning unit, and a CMP apparatus having the same are provided. The pad conditioning disk includes a base in which mountain-type tips and valley-type grooves are repeatedly connected to each other, and a cutting layer formed on the base layer. The cutting layer including conditioning particles deposited on surfaces of the tips and grooves. A surfaces roughness of conditioning particles deposited on the surfaces of the tips is less than a surface roughness of conditioning particles deposited on the surfaces of the grooves.

摘要翻译： 提供了衬垫调节盘，预调节单元和具有该调节盘的CMP设备。 垫调节盘包括其中山型尖端和谷型沟槽彼此重复连接的基底和形成在基底层上的切割层。 切割层包括沉积在尖端和凹槽表面上的调节颗粒。 沉积在尖端表面上的调理颗粒的表面粗糙度小于沉积在凹槽表面上的调理颗粒的表面粗糙度。

公开(公告)号：US09190407B2

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：US14569597

申请日：2014-12-12

申请人： Byoung-Ho Kwon ,  Cheol Kim ,  Ho-Young Kim ,  Se-Jung Park ,  Myeong-Cheol Kim ,  Bo-Kyeong Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Si-Young Choi ,  Suk-Hoon Jeong ,  Geum-Jung Seong ,  Hee-Don Jeong ,  Yong-Joon Choi ,  Ji-Eun Han

发明人： Byoung-Ho Kwon ,  Cheol Kim ,  Ho-Young Kim ,  Se-Jung Park ,  Myeong-Cheol Kim ,  Bo-Kyeong Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Jae-Kwang Choi ,  Si-Young Choi ,  Suk-Hoon Jeong ,  Geum-Jung Seong ,  Hee-Don Jeong ,  Yong-Joon Choi ,  Ji-Eun Han

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/7853 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

摘要： Semiconductor devices may include a semiconductor substrate with a first semiconductor fin aligned end-to-end with a second semiconductor with a recess between facing ends of the first and second semiconductor fins. A first insulator pattern is formed adjacent sidewalls of the first and second semiconductor fins and a second insulator pattern is formed within the first recess. The second insulator pattern may have a top surface higher than a top surface of the first insulator pattern, such as to the height of the top surface of the fins (or higher or lower). First and second gates extend along sidewalls and a top surface of the first semiconductor fin. A dummy gate electrode may be formed on the top surface of the second insulator. Methods for manufacture of the same and modifications are also disclosed.

摘要翻译： 半导体器件可以包括具有第一半导体鳍片的半导体衬底，第一半导体鳍片端对端与第二半导体对准，第二半导体在第一和第二半导体鳍片的相对端之间具有凹陷。 第一绝缘体图案形成在第一和第二半导体鳍片的相邻侧壁附近，并且在第一凹部内形成第二绝缘体图案。 第二绝缘体图案可以具有高于第一绝缘体图案的顶表面的顶表面，例如高于鳍片（或更高或更低）的顶表面的高度。 第一和第二栅极沿第一半导体鳍片的侧壁和顶表面延伸。 可以在第二绝缘体的顶表面上形成伪栅电极。 还公开了其制造方法和修改方案。

公开(公告)号：US20060003507A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US11044968

申请日：2005-01-27

申请人： Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Hwa-Sung Rhee ,  Jae-Kwang Choi

发明人： Hyung-Suk Jung ,  Jong-Ho Lee ,  Hwa-Sung Rhee ,  Jae-Kwang Choi

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Integrated circuit devices include a semiconductor substrate having a first doped region and a second doped region having a different doping type than the first doped region. A gate electrode structure on the semiconductor substrate extends between the first and second doped regions and has a gate insulation layer of a first high dielectric constant material in the first doped region and of a second high dielectric constant material, different from the first high dielectric constant material, in the second doped region. A gate electrode is on the gate insulation layer.

摘要翻译： 集成电路器件包括具有第一掺杂区域和具有与第一掺杂区域不同的掺杂类型的第二掺杂区域的半导体衬底。 半导体衬底上的栅极电极结构在第一和第二掺杂区域之间延伸，并且在第一掺杂区域中具有第一高介电常数材料的栅极绝缘层和不同于第一高介电常数的第二高介电常数材料 材料，在第二掺杂区域。 栅极电极位于栅极绝缘层上。

公开(公告)号：US08475238B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US12855164

申请日：2010-08-12

申请人： Jae-Kwang Choi ,  Bo-Un Yoon ,  Myung-Ki Hong

发明人： Jae-Kwang Choi ,  Bo-Un Yoon ,  Myung-Ki Hong

IPC分类号： B24D11/00

CPC分类号： B24B21/004 ,  B24B37/245 ,  B24B37/26

摘要： A polishing pad may include a base and a plurality of polishing protrusions on a surface of the base. Each polishing protrusion may include a sidewall defining an opening in a surface of the polishing protrusion opposite the base. In addition, portions of the sidewall opposite the base may define a contact surface.

摘要翻译： 抛光垫可以包括基底和在基底的表面上的多个抛光突起。 每个抛光突起可以包括限定在与基座相对的抛光突起的表面中的开口的侧壁。 此外，与基座相对的侧壁的部分可以限定接触表面。

公开(公告)号：US20110039480A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12855164

申请日：2010-08-12

申请人： Jae-Kwang Choi ,  Bo-Un Yoon ,  Myung-Ki Hong

发明人： Jae-Kwang Choi ,  Bo-Un Yoon ,  Myung-Ki Hong

IPC分类号： B24B7/00 ,  B24D11/00

CPC分类号： B24B21/004 ,  B24B37/245 ,  B24B37/26

摘要： A polishing pad may include a base and a plurality of polishing protrusions on a surface of the base. Each polishing protrusion may include a sidewall defining an opening in a surface of the polishing protrusion opposite the base. In addition, portions of the sidewall opposite the base may define a contact surface.

摘要翻译： 抛光垫可以包括基底和在基底的表面上的多个抛光突起。 每个抛光突起可以包括限定在与基座相对的抛光突起的表面中的开口的侧壁。 此外，与基座相对的侧壁的部分可以限定接触表面。